公开(公告)号：CN216251139U

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202122188502.X

申请日：2021-09-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 莫锦军 ,  张胜妃 ,  王宜颖 ,  于新华 ,  伍铁生 ,  王庆勇

IPC: H01Q1/52 ,  H01Q9/04 ,  H01Q13/08 ,  H01Q1/48 ,  H01Q1/36

Abstract: 本实用新型公开了一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构，其结构包括平行于E面放置的n型缺陷金属墙和两组贴片天线。所述缺陷金属墙贯穿所述介质基板并与所述金属地板相连，两组所述贴片天线的间距为λ0/20，采用微带线馈电，并用四分之一波长阻抗变换器调整阻抗匹配。该结构在满足去耦和匹配要求的前提下，还修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有紧间距去耦结构中存在的方向图偏移问题。

公开(公告)号：CN212780507U

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202020467852.2

申请日：2020-04-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 伍铁生 ,  王学玉 ,  张慧仙 ,  刘智慧 ,  杨祖宁 ,  杨丹 ,  曹卫平 ,  王宜颖

IPC: G01N21/41

Abstract: 本实用新型公开了一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器，通过所述基于二维简单超材料结构的维纳折射率传感器是由周期性结构单元构成；所述周期性单元结构由一维介质光栅阵列叠放在由SiO2薄膜层和Al2O3薄膜层组成的下层结构上所构成。利用结构产生的导模共振和腔模，对周围的介质环境十分敏感的特性，可以将结构表面临近物质的折射率的微小变化转换成可测量的透射峰的位移，设计实现高灵敏度的微纳尺度折射率传感测量，该传感器具有优越的折射率灵敏度(410.2nm/RIU)和超高的品质因子(4769.8)，也可用于亚波长范围内的气体密度的检测。该传感器既能明显降低半峰全宽，提高传感器的灵敏度，又能有效防止结构的腐蚀及氧化，延长产品的使用寿命。

公开(公告)号：CN209198690U

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201920062121.7

申请日：2019-01-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 伍铁生 ,  王学玉 ,  张慧仙 ,  王宜颖 ,  曹卫平

IPC: G02B5/00

Abstract: 本实用新型涉及一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器，解决的是品质因数差的技术问题，通过采用所述基于表面晶格共振的超窄带吸收体是由纳米环柱阵列组成的；所述的纳米阵列单元从下往上依次设置为介质层基底、金属薄膜反射层及谐振器；所述的纳米阵列单元反射层薄膜金的厚度大于入射电磁波在贵金属金的趋肤深度的技术方案；所述的纳米阵列单元采用双环柱结构压缩了吸波体的吸收频谱的半峰全宽，较好地解决了传统吸波体吸收效率低，吸收半峰全宽大，品质因数低等问题，可用于窄带热辐射器，等离子体生物传感器的应用中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208675678U

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201821303891.8

申请日：2018-08-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 伍铁生 ,  王学玉 ,  曹卫平 ,  王宜颖 ,  于新华

IPC: H05K9/00

Abstract: 本实用新型涉及一种新型超宽带吸波器，解决的是性能差的技术问题，通过采用所述新型超宽带吸波器包括周期性结构的吸波单元；吸波单元的底层是超过入射电磁波波长的趋肤深度的连续金属薄膜的技术方案，较好的解决了该问题，可用于吸波系统应用中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利