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公开(公告)号:CN101435894A
公开(公告)日:2009-05-20
申请号:CN200810174524.7
申请日:2005-08-09
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02B6/02
Abstract: 本发明提供一种单模光纤,在第一波长λ1(μm)下具有规定的模场直径MFD1(μm),利用第二波长λ2(μm)测定的、以弯曲半径r(mm)卷绕时的弯曲损耗为每圈Lb(dB),弯曲圈数为tb,与在第一波长λ1(μm)下具有上述规定的模场直径MFD2i(μm)的光纤的连接损耗,在上述第二波长λ2(μm)下为每个连接部位Lsi(dB),连接部位为nsi处,使用下式(B)计算出的总损耗系数L的模场直径依赖性,在MFD1±0.5μm的范围内达到极小值,,式中,n表示与上述单模光纤连接的光纤的数量,nsi表示上述单模光纤与第i个光纤的连接次数,Lsi表示上述单模光纤与第i个光纤的连接损耗(dB)。
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公开(公告)号:CN100403070C
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN02126954.8
申请日:2002-07-24
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02B6/00 , C03B37/012
CPC classification number: G02B6/03688 , C03B37/01228 , C03B37/014 , C03B37/01861 , C03B2203/22 , C03B2203/36 , G02B6/02238 , G02B6/02261 , G02B6/0228 , G02B6/03605 , G02B6/03627 , G02B6/03644 , Y02P40/57
Abstract: 一种制造光纤预制棒的改进方法,使用了CVD方法,其中部分或整个光纤预制棒是通过在底管(14)的内壁上淀积玻璃形成的。方法包括第一步在底管(14)的内壁上淀积玻璃并破坏底管(14)以形成硅棒;第二步去掉硅棒周围的底管(14)或去掉底管(14)和部分有机玻璃;第三步在第二步中得到的硅棒的外表面上淀积玻璃。通过使用本方法将镀层(19)的折射率设置为小于纯硅的折射率,可以得到传输损耗非常低的光纤。
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公开(公告)号:CN100353192C
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200410098270.7
申请日:2000-07-11
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/03666 , G02B6/02019 , G02B6/02238 , G02B6/03611 , G02B6/03633 , G02B6/03644 , G02B6/0365
Abstract: 本发明提供一种色散位移光纤,其由芯体和设置其外周上的包层形成,该芯体包括中心芯部;周边芯部,该周边芯部设置该中心芯部的外周上,其折射率大于该中心芯部,所述包层具有其折射率小于所述周边芯部的折射率分布形状,通过适当地设定结构参数,满足实质上为单一模式,并且弯曲损耗在100dB/m以下的条件,另外可充分地增加有效芯体截面面积,并且减小色散斜率。
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公开(公告)号:CN1957242A
公开(公告)日:2007-05-02
申请号:CN200680000289.0
申请日:2006-04-14
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G01M11/02
CPC classification number: G01M11/3145 , G01M11/3181
Abstract: 本发明提供一种光纤的双折射测定方法,取得被测定光纤的从测定起点0到规定的位置z的第1区间(0,z)的往返琼斯矩阵R(z)、以及从测定起点0到与上述位置z不同的位置z+Δz的第2区间(0,z+Δz)的往返琼斯矩阵R(z+Δz),求矩阵R(z+Δz)R(z)-1的固有值ρ1、ρ2,通过对上式(1)、(2)进行运算,求从上述位置z到上述位置z+Δz的微小区间Δz的双折射,其中,Φ表示基于双折射的正交偏振光之间的相位差,Δn表示双折射,λ表示波长。
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公开(公告)号:CN1910435A
公开(公告)日:2007-02-07
申请号:CN200580002967.2
申请日:2005-01-26
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G01M11/02
CPC classification number: G01M99/002 , G01M11/30
Abstract: 本发明提供一种精密的测定方法,用于提高多模光纤的DMD测定精度,准确地测定、评价多模光纤的特性。其特征在于,在多模光纤的DMD测定中,监控测定时间内的温度变化,在控制了温度变化量的环境下进行DMD测定。
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公开(公告)号:CN1218198C
公开(公告)日:2005-09-07
申请号:CN01145666.3
申请日:2001-10-03
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02B6/22 , G02B6/18 , C03B37/018 , C03C13/04
CPC classification number: G02B6/03661 , C03C13/045 , G02B6/02261 , G02B6/03611 , G02B6/03644
Abstract: 本发明涉及抗氢性提高了的光纤。光纤包括高浓度锗层和低浓度锗层。高浓度锗层在光纤的中心位置,其含氧化锗,相对于高浓度锗层总重量,浓度为0.1%(重量)或更多。低浓度锗层在高浓度锗层周围,其含氧化锗,相对于低浓度锗层总重量,浓度小于0.1%(重量)。从高浓度锗层漏进低浓度锗层的光功率与经光纤传播的总光功率的比率是0.4%或更小。
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公开(公告)号:CN1217209C
公开(公告)日:2005-08-31
申请号:CN03101856.4
申请日:2003-01-20
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/02242 , G02B6/02009 , G02B6/02271 , G02B6/02285 , G02B6/03666 , G02B6/03688 , G02B6/29377 , H04B10/2525
Abstract: 一种光纤,其在1460nm波长带具有+1.0ps/nm/km或更大的色散、在1550nm波长带具有0.04ps/nm2/km或更小的色散斜率、以及1450nm或更小的截止波长,其中RDS与波长λ的关系是-1.67×10-5λ+0.0300≥RDS(λ)≥-1.67×10-5λ+0.0285,RDS是色散斜率与色散的比值。
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公开(公告)号:CN1201173C
公开(公告)日:2005-05-11
申请号:CN02107099.7
申请日:2002-03-13
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/02242 , G02B6/02004 , G02B6/02261 , G02B6/03644 , G02B6/29377 , H04B10/2525
Abstract: 一种可以在L-波段(1.565微米至1.625微米的波长)补偿DSF色散的色散补偿光纤被提供。所述色散补偿光纤被提供有中心芯体部分(1)、中间芯体部分(2)、环形芯体部分(3)和包覆层(5),这些部分按照这个顺序从内开始被同心地加以布置,并且具有这样的折射率分布以使这些部分的折射率满足中间芯体部分<包覆层环形芯体部分<中心芯体部分这一关系。当一个具有1.55微米±0.05微米的零色散波长的色散移位光纤已经被加以补偿时,在所有或部分L-波段处的残余色散处在±1.5ps/nm/km范围内。
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公开(公告)号:CN118591745A
公开(公告)日:2024-09-03
申请号:CN202380019282.7
申请日:2023-01-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02B6/024
Abstract: 一种偏振保持光纤(1),其具备:芯(11)、配置在芯(11)的两侧的一对应力付与部(12a、12b)、内包芯(11)及一对应力付与部(12a、12b)的包层(13)。将光纤长度设为2m并将弯曲半径设为140mm时的、偏振保持光纤(1)的截止波长为1.20μm以上且小于1.31μm,将弯曲半径设为5mm并将每31.4mm光纤长度的扭转设为1圈时的、偏振保持光纤(1)在波长1.31μm下的弯曲损耗为6.6dB以下。由此,实现了一种偏振保持光纤,其即使产生在通常的使用中可产生的程度的扭转,也能够将弯曲损耗较小地抑制在可耐受通常的使用的程度。
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公开(公告)号:CN103814312B
公开(公告)日:2017-10-31
申请号:CN201280042994.2
申请日:2012-09-04
Applicant: 株式会社藤仓 , 国立大学法人北海道大学
CPC classification number: G02B6/02042 , G02B6/02014 , G02B6/02019 , G02B6/02366 , G02B6/02395 , G02B6/0365
Abstract: 本发明的目的在于提供一种通信用多芯光纤,其在能够确保可靠性地进行敷设的条件下,能够配置更多的纤芯。该通信用多芯光纤是传播光信号的通信用多芯光纤(10),具备包层(12)、配置在包层(12)的中心的1个纤芯(11a)、按照包围1个纤芯(11a)的方式等间隔配置的7个~10个纤芯(11b),包层(12)的外径为230μm以下,相邻的纤芯(11a、11b)的中心间距离为30μm以上,并且纤芯(11b)的中心与包层(12)的外周面之间的距离分别为35μm以上,在各个纤芯(11a、11b)中传播的光的模场直径为9μm~13μm。
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