公开(公告)号：CN1206738C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN97102282.8

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。

公开(公告)号：CN1553270A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN200410069448.5

申请日：1995-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行 ,  寺本聪

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  H01L29/78636

Abstract: 本发明提供了一种卡型电子装置，包括：一个薄的或柔性的衬底；形成在所述衬底上的薄膜晶体管，一个树脂层位于所述衬底和所述薄膜晶体管之间，所述薄膜晶体管具有含硅的沟道形成区；和覆盖所述薄膜晶体管的含树脂的层。

公开(公告)号：CN1545144A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN200410043530.0

申请日：1995-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L27/02 ,  H01L21/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/02686 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1229

Abstract: 在一块衬底上所形成的单片有源矩阵电路中，至少用于驱动矩阵区的构成外围电路的一部分薄膜晶体管(TFT)的有源区添加了浓度为1×1016－5×1019cm－3的促进硅结晶化的金属元素，没有金属元素添加到矩阵区的TFT有源区。至少构成外围电路的一部分TFT的沟道形成区和用于短阵区的TFT的沟道形成区是由具有单畴结构的硅半导体薄膜形成。

公开(公告)号：CN1089449C

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN96101623.X

申请日：1996-01-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西毅 ,  寺本聪

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/1333 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133516

Abstract: 以低成本连续制造液晶元件的一种方法，采用卷绕在其相应的滚筒上的两个树脂衬底。用印制法形成滤色层和电极图形。此外，定向膜层也是印制的。这些制造工序通过转动各种滚筒连续进行。(图1)

公开(公告)号：CN1283868A

公开(公告)日：2001-02-14

申请号：CN99118056.9

申请日：1994-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/154

Abstract: 制造TFTs的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成TFTs。

公开(公告)号：CN1255731A

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN99118111.5

申请日：1994-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/154

Abstract: 制造TFTs的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成TFTs。

公开(公告)号：CN1163487A

公开(公告)日：1997-10-29

申请号：CN97102282.8

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。

公开(公告)号：CN1123471A

公开(公告)日：1996-05-29

申请号：CN95107198.X

申请日：1995-05-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 寺本聪 ,  大谷久 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786

Abstract: 一种半导体器件，特别是交错型薄膜晶体管，包括：一种含N或P型杂质的半导体区；在半导体区之上或之下设置的一层，所述层含有催化元素，对非晶硅的晶化起加速作用，并具有基本与半导体区相同的形状；覆盖半导体区的基本上为本征的半导体层；覆盖半导体区的基本上为本征的半导体区；覆盖半导体层的绝缘膜；设置在绝缘膜上的栅电极。权利要求还包括制造上述半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1123463A

公开(公告)日：1996-05-29

申请号：CN95117780.X

申请日：1995-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757

Abstract: 在制造薄膜晶体管的方法中，添加含有用于促进硅晶化的金属元素的溶液，使其与非晶硅膜接触，然后通过加热处理形成硅化物层。而且，通过蚀刻硅化物层形成了作为晶体生长核的区之后，照射激光同时加热处理。结果，从作为晶体生长核的区，在非晶硅膜中完成晶体生长，从而形成对应于单晶的单畴区。此外，在添加溶液之前，可以对非晶硅膜进行等离子体处理。

公开(公告)号：CN1881620B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200610101853.X

申请日：1994-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  寺本聪

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的一种半导体设备，包括：在具有绝缘表面的衬底上的硅岛，所述硅岛包括源极、漏极和位于所述源极和所述漏极之间的沟道；毗邻所述沟道配置的栅电极，所述栅电极和所述沟道之间有栅绝缘层；掺杂区，其掺杂浓度比所述源极和配置在所述沟道和所述源极和所述漏极中的至少一个之间的所述漏极的浓度要低；和在所述栅电极和所述硅岛上具有氮化硅的层，所述层具有与栅绝缘层接触的部分，其中所述栅绝缘层具有在所述沟道上的第一部分和在所述掺杂区上的第二部分，且所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度要薄。