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公开(公告)号：CN114927147A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110858621.3
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极、以及设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。第2磁性层包括第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。第1磁性层不包括第2元素。第1磁性层的第1厚度为第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。
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公开(公告)号：CN119601046A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202410179764.5
申请日：2024-02-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高特性的磁器件、磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁器件包括磁元件和磁场产生部，所述磁元件包括第1磁性层和第2磁性层。所述磁场产生部能够实施第1变迁动作和第2变迁动作。在所述第1变迁动作中，从产生第1磁场的第1状态向产生第2磁场的第2状态转变。在所述第2变迁动作中，从所述第2状态向所述第1状态转变。所述第1磁场包含从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1朝向的第1成分。所述第2磁场包含从所述第2磁性层向所述第1磁性层的第2朝向的第2成分。
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公开(公告)号：CN119380761A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410168380.3
申请日：2024-02-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头及磁记录介质。磁头包括第1磁极、第2磁极以及设置在第1磁极与第2磁极之间的磁元件。磁元件包括第1磁性层和第2磁性层。磁元件包含从第1磁极向第2磁极的第1方向上的第1磁性层与第2磁性层之间的中点。第1比(r1)及第2比(r2)满足‑0.26×r1+0.60≤r2≤‑0.26×r2+0.70。第1比(r1)是第1磁极与中点之间的第2距离(L2)相对于第1磁极与第2磁极之间的第1距离(L1)之比。第2比(r2)是磁记录介质的动态矫顽力(Hc0)相对于平均各向异性磁场(Hk)之比。
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公开(公告)号：CN113889152B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202110214042.5
申请日：2021-02-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第3磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第3磁性层之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。沿第2方向的第1磁极的第1磁极长度比沿第2方向的第2磁极的第2磁极长度短，第2方向相对于从第1磁性层向第2磁性层的第1方向垂直且沿第1磁极的介质对置面。沿第3方向的第1磁性层的长度比沿第3方向的第2磁性层的长度长，第3方向相对于第1方向垂直。
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公开(公告)号：CN116230025A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210926360.9
申请日：2022-08-03
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1磁性层～第4磁性层和第1非磁性层～第5非磁性层，第2非磁性层与第2磁性层及第1磁性层接触，第3非磁性层与第3磁性层及第2磁性层接触，第4非磁性层与第4磁性层及第3磁性层接触，沿着从第1磁极向第2磁极的第1方向的第4磁性层的第4厚度为沿着第1方向的第1磁性层的第1厚度的0.5倍以上且1.6倍以下，沿着第1方向的第2磁性层的第2厚度小于第1厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114974318A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110857056.9
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第2磁极与第1磁性层之间的第2磁性层、设置于第2磁极与第2磁性层之间的第3磁性层、设置于第2磁极与第3磁性层之间的第4磁性层、设置于第1磁性层与第1磁极之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第1磁性层之间的第2非磁性层、设置于第3磁性层与第2磁性层之间的第3非磁性层、设置于第4磁性层与第3磁性层之间的第4非磁性层、以及设置于第2磁极与第4磁性层之间的第5非磁性层。第2非磁性层与第2、第1磁性层相接。第3非磁性层与第3、第2磁性层相接。第4非磁性层与第4、第3磁性层相接。
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公开(公告)号：CN112614517B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010933146.7
申请日：2020-09-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和电气电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、和设置在磁极与第1屏蔽件之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、第2磁性层、设置在第1磁性层与第2磁性层之间的第1层以及设置在第1磁性层与第1层之间的第1非磁性层，所述第1层包含选自由Ta、Zr、Hf、Mo、W、Tc、Re、Ru、Rh、Os、Ir、Pd、Pt、Mn、Cr、V、Ti、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、GD、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的至少一种。电气电路向层叠体供给电流。
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公开(公告)号：CN114550754A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110947763.7
申请日：2021-08-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/39
Abstract: 提供能够进行稳定的动作的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、及层叠体。层叠体包括第1磁性部件、设置于第1磁性部件与第2磁极之间的第2磁性部件、及设置于第1磁性部件与第2磁性部件之间且包含选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个的第1层。第1磁性部件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。第1非磁性区域包含选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。多个第1磁性区域包含选自由Fe、Co及Ni构成的群的至少1个。第1层的沿着第1方向的厚度比第1非磁性区域的沿着第1方向的厚度厚。
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公开(公告)号：CN110875061B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201910183329.9
申请日：2019-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供一种能够提高记录密度的磁头及磁记录再现装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、第2屏蔽件、第1层叠体以及第2层叠体。磁极的至少一部分设置于第1屏蔽件与第2屏蔽件之间。第1层叠体设置于磁极与第1屏蔽件之间。第2层叠体设置于磁极与第2屏蔽件之间。第1层叠体包括：第1磁性层，包含选自Fe、Co以及Ni中的至少一个；第1导电层，设置于磁极与第1磁性层之间；以及第2导电层，设置于第1磁性层与第1屏蔽件之间。第2层叠体包括：第2磁性层，包含选自Fe、Co以及Ni中的至少一个；第3导电层，设置于磁极与第2磁性层之间；以及第4导电层，设置于第2磁性层与第2屏蔽件之间。
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公开(公告)号：CN111681683B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201910805545.2
申请日：2019-08-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高记录密度的磁记录装置以及磁头。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路以及第2电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、层叠体、第1端子、第2端子以及线圈。第1电路至少实施第1工作。在第1工作中，当第2电路向线圈供给着记录电流时，第1电路向第1端子与第2端子之间的电流路径供给第1电流。第1电流比使得电流路径的电阻振荡的第2电流小。
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