公开(公告)号：CN102005470B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201010251741.9

申请日：2010-08-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好実人 ,  仓冈义孝 ,  角谷茂明 ,  市村干也 ,  杉山智彦 ,  田中光浩

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供一种外延基板，所述外延基板能够实现肖特基接触特性优良、并具有良好的设备特性的半导体元件。采用的解决手段为在基底基板之上形成由第一III族氮化物构成的沟道层，所述第一III族氮化物至少含有Al和Ga、具有Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)的组成；在上述沟道层之上形成由第二III族氮化物构成的势垒层，所述第二III族氮化物至少含有In和Al、具有Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的组成，并且所述势垒层的形成方式为：表面附近部的In组成比相对于表面附近部以外的部分的In组成比要小。

公开(公告)号：CN102859695A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020720.9

申请日：2011-04-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好实人 ,  角谷茂明 ,  市村干也 ,  前原宗太 ,  田中光浩

IPC: H01L29/06 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/15 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/155 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良的外延基板。将在（111）取向的单晶Si基底基板上，以使（0001）结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组的外延基板，以如下方式形成。该外延基板具有：缓冲层，其具有多个通过交替层叠由AlN构成的第一组分层和由AlxGa1-xN（0≦x＜1）构成的第二组分层而形成的组分调制层；形成在缓冲层上的结晶层；将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n，并将从基底基板侧开始的第i个第二组分层的x的值设为x（i）时，以满足x（1）≧x（2）≧···≧x（n-1）≧x（n），且x（1）＞x（n）的方式形成，使得各第二组分层相对于第一组分层形成共格状态。

公开(公告)号：CN101925696B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200980103154.0

申请日：2009-01-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  今井克宏 ,  市村干也

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/12

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B19/12

Abstract: 一种III族金属氮化物单晶的制造方法，使用模板基板(10A)，其具有：具备侧面(1b)以及一对主面(1a)的基板主体(1)、形成在主面(1a)上的III族金属氮化物单晶的基膜(2)。通过液相法，在基板主体1的至少一个主面(1a)上培养III族金属氮化物单晶(3)。从平面观测，基膜(2)呈凸图形。未设置基膜的未成面(4)包围在基膜(2)的整个周围。在基膜(2)成长的III族金属氮化物单晶(3)不与成长在其他基膜的III族金属氮化物单晶接触。

公开(公告)号：CN102576679A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201180003806.0

申请日：2011-07-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好实人 ,  角谷茂明 ,  市村干也 ,  杉山智彦 ,  田中光浩

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种抑制反向漏电流并充分强化栅极和外延基板的肖特基接合的半导体元件。该半导体元件具备：外延基板，在衬底上以使(0001)结晶面与基板面大致平行的方式层叠形成III族氮化物层组；肖特基电极。其中，外延基板具备：沟道层，其由具有Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1、z1＞0)；组成的第一III族氮化物构成，势垒层，其由具有Inx2Aly2N(x2+y2＝1、x2＞0、y2＞0)的组成的第二III族氮化物构成；接触层，其由具有绝缘性的第三III族氮化物构成且与势垒层相邻。肖特基电极接合在接触层上。进而，在形成栅极后在氮气氛围下进行热处理。

公开(公告)号：CN102484049A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080035067.9

申请日：2010-06-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 角谷茂明 ,  三好実人 ,  杉山智彦 ,  市村干也 ,  仓冈义孝 ,  田中光浩

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/338 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供将单晶硅用作基底基板的品质和特性优异的氮化物外延基板。在(111)单晶硅基板上，以(0001)结晶面大致平行于基板面的方式形成III族氮化物层群而成的外延基板具有：形成于基底基板上且由AlN构成的第一III族氮化物层；形成于第二III族氮化物层上且由InxxAlyyGazzN(xx+yy+zz＝1、0≤xx≤1、0＜yy≤1、0＜zz≤1)构成的第二III族氮化物层；以及在第二III族氮化物层上外延形成的至少一个第三III族氮化物层，而且，第一III族氮化物层为由柱状结晶、粒状结晶或晶畴中的至少一种构成的含多缺陷的层，第一III族氮化物层与第二III族氮化物层之间的界面为三维凹凸面。

公开(公告)号：CN102005471A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010251920.2

申请日：2010-08-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好実人 ,  仓冈义孝 ,  角谷茂明 ,  市村干也 ,  杉山智彦 ,  田中光浩

IPC: H01L29/205 ,  H01L29/778 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201

Abstract: 提供一种外延基板，所述外延基板能够实现欧姆接触特性优良、并具有良好的设备特性的半导体元件。采用的解决手段为在基底基板之上形成由第一III族氮化物构成的沟道层，所述第一III族氮化物至少含有Al和Ga、具有Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)的组成；在上述沟道层之上形成由第二III族氮化物构成的势垒层，所述第二III族氮化物至少含有In和Al、具有Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的组成，并且所述势垒层的形成方式为：表面附近部的In组成比相对于表面附近部以外的部分的In组成比要大。