公开(公告)号：CN103765512A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280042926.6

申请日：2012-09-18

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 加藤拓 ,  原口将幸 ,  小泽雅昭

IPC: G11B5/65 ,  B05D7/00 ,  B05D7/24 ,  C09D4/00 ,  C09D4/02 ,  C09D5/00 ,  C09D7/12 ,  G11B5/72 ,  G11B5/84

CPC classification number: C09D167/00 ,  C08F230/08 ,  C08K5/541 ,  C09D125/08 ,  G11B5/65 ,  G11B5/72 ,  G11B5/84 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/8408 ,  C08L25/04 ,  C08L25/06 ,  C08L25/08 ,  C09D125/04

Abstract: 本发明的课题是提供可以防止钴成分等磁性材料扩散至填充部(非磁性层)的形成硬盘用平坦化膜的组合物。作为解决本发明的课题的方法涉及一种形成硬盘用平坦化膜的组合物，其特征在于，包含光聚合性被覆材料，并且在该被覆材料中含有相对于每1摩尔苯环为1～90摩尔%的乙烯基，所述光聚合性被覆材料含有：选自具有来源于二乙烯基芳香族化合物的单元结构的均聚物和具有该单元结构的共聚物中的至少1种聚合物、或该聚合物与光聚合性化合物的混合物。光聚合性化合物为具有丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基或乙烯基的化合物。聚合物为还包含加聚性化合物作为共聚成分的共聚物。一种硬盘的制造方法，其包括下述工序：第1工序，在磁性体上形成凹凸；第2工序，用形成平坦化膜的组合物被覆该凹凸；第3工序，通过蚀刻来平坦化，使磁性体表面露出。

公开(公告)号：CN103270115A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201180060897.1

申请日：2011-10-28

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 西村直也 ,  加藤拓 ,  小出泰之 ,  安井圭 ,  武藏秀树 ,  小泽雅昭

IPC: C08L79/04 ,  C08G73/06 ,  C08K3/00 ,  C08K5/00 ,  C09D179/04 ,  G02B5/20 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/0232 ,  C08G73/0273 ,  C08G73/0644 ,  C08K5/0008 ,  C08K5/09 ,  C08K5/16 ,  C08L79/02 ,  C08L79/04 ,  C09D179/02 ,  C09D179/04 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02327 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种成膜用组合物，其特征在于，包含：含三嗪环的超支化聚合物，其含有由式（1）表示的重复单元结构；和至少一种溶解促进剂，其用于破坏至少在超支化聚合物分子内部和/或分子之间、在三嗪环上的氮原子与来自二芳基胺的NH基之间形成的氢键。所述成膜用组合物在例如光刻胶溶剂等有机溶剂中具有优良的溶解性，且在低粘度下具有良好的操作性和过滤性。式中，R和R'各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基，（但是，R和R'中的至少一个表示氢原子）；且Ar表示含有芳环和/或杂环的二价有机基团。

公开(公告)号：CN103237848A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180058144.7

申请日：2011-12-01

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 原口将幸 ,  松山元信 ,  三崎朋子 ,  小泽雅昭

IPC: C09D4/06 ,  B32B27/00 ,  C09D133/16 ,  C09D171/00 ,  C09D183/04

CPC classification number: C09D133/14 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C09D4/06 ,  C09D183/04 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明的课题是提供耐指纹性等表面特性优异，溶剂擦拭耐性也优异，另一方面通过在一般所使用的氮气气氛下或空气气氛下的紫外线照射能够固化的硬涂层形成用组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种涂布用固化性组合物、由该组合物获得的固化膜以及使用该组合物而得的硬涂膜，所述涂布用固化性组合物包含：(a)含氟高支化聚合物，其是通过使分子内具有2个以上自由基聚合性双键的单体A与分子内具有氟烷基和至少1个自由基聚合性双键的单体B，在相对于该单体A的摩尔数为5～200摩尔%量的聚合引发剂C的存在下进行聚合而得到的，(b)表面改性剂，其是选自全氟聚醚化合物和有机硅化合物中的至少1种，(c)多官能单体，其是活性能量射线固化性多官能单体，以及(d)聚合引发剂，其通过活性能量射线产生自由基。

公开(公告)号：CN102167757B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201110048236.9

申请日：2007-08-29

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 安井圭 ,  小泽雅昭 ,  田中章博 ,  竹本洋己

IPC: C08F12/30 ,  C08F8/32 ,  C08F8/44 ,  C03C23/00

CPC classification number: C08F2/38 ,  C08F8/00 ,  C08F8/22 ,  C08F8/26 ,  C08F8/30 ,  C08F8/32 ,  C08F8/44 ,  C08G83/005 ,  C08F112/14

Abstract: 本发明的课题在于提供一种光学稳定的新的、并且分子末端能够用各种化合物衍生化的新的超支化聚合物、提供该聚合物的制造方法。本发明通过提供下述超支化聚合物而解决了上述课题，即，一种具有式(1)所示的结构，分子末端为卤素原子的超支化聚合物。该超支化聚合物，可以通过将具有乙烯基结构的二硫代氨基甲酸酯化合物进行活性自由基聚合，将所得到的在分子末端具有二硫代氨基甲酸酯基的超支化聚合物，用卤素原子进行置换来获得。另外，还提供卤素原子的分子末端被置换为氨基或铵基的超支化聚合物。

公开(公告)号：CN102459415A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080028087.3

申请日：2010-05-06

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 西村直也 ,  加藤拓 ,  小泽雅昭 ,  飞田将大 ,  小出泰之

IPC: C08G73/06 ,  C09D179/04 ,  G02B1/04 ,  H01L21/318

CPC classification number: C08G73/00 ,  C07D401/12 ,  C07D403/00 ,  C08G73/0273 ,  C08G73/0644 ,  C08K5/3492 ,  C09D179/02 ,  C09D179/04 ,  G02B1/04 ,  H01L31/0232 ,  C08L79/06 ,  C08L39/04

Abstract: 本发明涉及含有例如由式(23)或(24)表示的含三嗪环的重复单元结构的聚合物，其单独可以实现高耐热性、高透明性、高折射率、高溶解度和低体积收缩，不需要加入金属氧化物。

公开(公告)号：CN100384937C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200580010634.4

申请日：2005-03-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 小泽雅昭 ,  河村保夫 ,  笠井干生

IPC: C08L67/04 ,  C08K5/5313 ,  C08K5/5317

CPC classification number: C08K5/53 ,  C08L67/04

Abstract: 本发明的目的是提供一种添加了适合于促进聚乳酸树脂结晶化的晶核剂的聚乳酸树脂组合物。所述的聚乳酸树脂组合物，含有聚乳酸树脂、和用式(I)(式中，R1和R2可以相同也可以不同，表示氢原子、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为2～10的烷氧羰基)。表示的磷化合物的金属盐或用式(II)(式中，R3、R4、R5和R6可以相同也可以不同，表示氢原子、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为2～10的烷氧羰基)。表示的磷化合物的金属盐。