公开(公告)号：CN111199982B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201911040109.7

申请日：2019-10-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的薄膜晶体管基板具备基底基板和薄膜晶体管，上述薄膜晶体管具有：上述基底基板上的栅极电极；栅极绝缘层；源极电极和漏极电极；以及氧化物半导体层，其至少隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极相对，并且第1端部和第2端部分别重叠在上述源极电极和上述漏极电极上从而连接到上述源极电极和上述漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极各自具有第1导电层和包覆上述第1导电层的第2导电层，上述第2导电层包含从包括钼、钽、钨以及镍的组中选择的至少1种元素，上述源极电极与上述漏极电极之间的区域下的上述栅极绝缘层的膜厚比上述源极电极下的上述栅极绝缘层的膜厚小，并且比上述漏极电极下的上述栅极绝缘层的膜厚小。

公开(公告)号：CN110392930B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201880015402.5

申请日：2018-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: TFT基板(106)具有：电介质基板(1)；多个天线单位区域(U)，其排列在电介质基板上，各自具有：TFT(10)；贴片电极(15)，其电连接到TFT的漏极电极(7D)；辅助电容电极(7C)，其与漏极电极电连接；以及辅助电容相对电极(3C)，其隔着绝缘层与辅助电容电极相对；以及多个CS总线(CL)，其各自连接到辅助电容相对电极中的任意一个辅助电容相对电极。多个CS总线各自包含在其间隔着绝缘层配置的至少2个导电层(3CL、15CL)。

公开(公告)号：CN109804468B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201780062797.X

申请日：2017-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/20 ,  H01L27/144 ,  H01L29/786 ,  H04N23/30

Abstract: 提供能抑制光电转换层的漏电流的X射线的摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像。摄像面板(1)在基板(101)上具备：薄膜晶体管(13)；绝缘膜(103)，其覆盖薄膜晶体管(13)；光电转换层(15)，其将闪烁光转换为电荷；上部电极(14b)；下部电极(14a)，其与薄膜晶体管(13)连接；以及保护膜(142)，其覆盖下部电极(14a)的侧端部。

公开(公告)号：CN110100311B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201780080214.6

申请日：2017-12-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H04N25/70 ,  H04N25/76 ,  G01T1/20 ,  G01T1/24 ,  H01L27/12 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H10K39/36

Abstract: 提供能提高生产性的X射线摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像。摄像面板(1)在基板(101)上具有有源区域和端子区域。在有源区域中具备：薄膜晶体管；第1绝缘膜，其设置于薄膜晶体管之上；光电转换元件，其设置于第1绝缘膜之上；第2绝缘膜，其分开配置于光电转换元件的上层，具有接触孔；以及导电膜，其经由接触孔与上述光电转换元件连接。光电转换元件包含光电转换层，该光电转换层包含第1半导体层、本征非晶质半导体层以及第2半导体层。端子区域具备：第1导电层(100)，其包括与薄膜晶体管的栅极电极或源极电极相同的材料；端子用第1绝缘膜(103)，其包括与第1绝缘膜相同的材料，在第1导电层(110)的一部分之上分开设置，具有开口；端子用半导体层(1501)，其设置于端子用第1绝缘膜(103)之上，包括与光电转换层的至少一部分半导体层相同的材料；以及第2导电层(1702)，其设置于端子用半导体层(1501)之上，包括与上述导电膜相同的材料，在端子用第1绝缘膜(103)的开口中与第1导电层(100)连接。

公开(公告)号：CN110462841B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201880022448.X

申请日：2018-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: TFT基板(105A)具备包含多个天线单位区域(U)的发送接收区域(R1)和位于发送接收区域以外的区域的非发送接收区域(R2)。多个天线单位区域各自具有TFT(10)和电连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(3PE)。TFT基板具有：源极金属层(7)，其包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极以及源极总线(SL)；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)、栅极总线(GL)以及贴片电极；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层之间；以及导电层(19)，其形成在栅极金属层上，在栅极金属层与导电层之间不具有绝缘层。

公开(公告)号：CN109478515B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN201780046128.3

申请日：2017-07-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/13 ,  H01L29/786 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: TFT基板具有：栅极金属层，其包含TFT(10)的栅极电极(3)；栅极绝缘层(4)，其形成在栅极金属层上；源极金属层，其形成在栅极绝缘层上，并包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极(7D)以及贴片电极(7PE)。源极金属层包含：第一金属层，其含有Ti、Mo、Ta、W及Nb中的任一种；和第二金属层，其形成在第一金属层上，并含有Cu、Al、Ag及Au中的任一种。源极电极及漏极电极分别包含第一金属层及第二金属层。源极电极的第一金属层(7SL)与漏极电极的第一金属层(7DL)之间在沟道方向上的距离小于源极电极的第二金属层(7SU)与漏极电极的第二金属层(7DU)之间在沟道方向上的距离。

公开(公告)号：CN109155339B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201780029753.7

申请日：2017-05-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/13 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: TFT基板(107)包含TFT与电连接于TFT的贴片电极(15)，且包括栅极金属层、栅极绝缘层(4)、源极金属层、第一绝缘层(11)及包含贴片电极(15)的贴片金属层，栅极金属层包含配置于非收发区域(R2)的多条栅极连接布线(3sg)，各源极总线SL经由导电体部而与多条栅极连接布线中的一条栅极连接布线电连接，导电体部在设置于栅极绝缘层及第一绝缘层的第二开口部(12sg(2))内与栅极连接布线接触，且在设置于第一绝缘层的第一开口部(12sg(1))内与源极总线SL接触，贴片金属层还包含位于第一开口部内及/或第二开口部内的第一贴片连接部(15sg)，第一贴片连接部(15sg)包含导电体部，或配置在导电体部上。

公开(公告)号：CN109314317B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201780035195.5

申请日：2017-06-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪 ,  松原邦夫

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: 一种扫描天线具有TFT基板、缝隙基板和液晶层(LC)，TFT基板的传输端子部(PT)具有由与贴片电极(15)相同的低电阻金属膜形成的贴片连接部(15p)、形成在贴片连接部(15p)上的第一保护金属层(25)、和具有露出第一保护金属层的上表面的一部分的开口部(18p)的第一绝缘层(17)，缝隙基板的端子部具有由与缝隙电极55相同的低电阻金属膜形成的缝隙连接部(55M)、形成在缝隙连接部上的第二保护金属层(45a)、(45b)、和具有露出第二保护金属层的上表面的一部分的开口部(58a)的第二绝缘层(58)，第一和第二保护金属层分别独立地由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的至少一种层形成，并且厚度为18nm以上。

公开(公告)号：CN110797357A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910693584.8

申请日：2019-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146

Abstract: 摄像面板在基板的一面侧包括光电转换层(15)。另外，摄像面板包括：电极(14b)，其与光电转换层(15)的一个面连接；偏置布线(16)，其与电极(14b)连接；以及保护膜(17)，其由对含有氢氟酸的蚀刻剂具有耐蚀性的材料构成，且覆盖偏置布线(16)的侧面。

公开(公告)号：CN110392930A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201880015402.5

申请日：2018-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: TFT基板(106)具有：电介质基板(1)；多个天线单位区域(U)，其排列在电介质基板上，各自具有：TFT(10)；贴片电极(15)，其电连接到TFT的漏极电极(7D)；辅助电容电极(7C)，其与漏极电极电连接；以及辅助电容相对电极(3C)，其隔着绝缘层与辅助电容电极相对；以及多个CS总线(CL)，其各自连接到辅助电容相对电极中的任意一个辅助电容相对电极。多个CS总线各自包含在其间隔着绝缘层配置的至少2个导电层(3CL、15CL)。