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公开(公告)号：CN112652620A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011527813.8
申请日：2020-12-22
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供了一种三维集成结构,包括：壳体，上下设置的第一纳米电容和第二纳米电容，所述壳体具有二个间隔设置第一通孔；导电组件，分别通过二个所述第一通孔使所述第一底部金属电极层和所述第二底部金属电极层电连接，使所述第一顶部金属电极层和所述第二顶部金属电极层电连接。本发明通过将电组件，分别通过二个所述第一通孔使所述第一底部金属电极层和所述第二底部金属电极层电连接，使所述第一顶部金属电极层和所述第二顶部金属电极层电连接，实现了第一纳米电容和第二纳米电容并联设置，增大了电容密度，提高了电容的整体性能。另外，本发明还提供了三维集成结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN112466839A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011327436.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种锗硅‑硅通孔结构及其制备方法，所述TSV结构包括：复合衬底结构，所述复合衬底结构内部设置有上下导通的通孔结构，所述复合衬底结构包括衬底层，所述衬底层顶部设置有多个复合层，所述复合层包括锗硅材料层和硅材料层；沟槽结构；电感结构，所述电感结构设置在所述沟槽结构内壁和所述通孔结构内壁，且所述电感结构将所述沟槽结构内部完全填充；铜互连结构；其中，所述电感结构上分别设置有第一顶部接触层和第一底部接触层，所述铜互连结构上下两端分别连接有第二顶部接触层和第二底部接触层，本发明制备得到的TSV结构不仅可以实现芯片之间的垂直连接，而且具有高电感值的电感结构，提高了TSV结构的性能。
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公开(公告)号：CN112151496A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010944507.8
申请日：2020-09-10
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种内嵌电感的TSV结构及其制备方法。在硅衬底中刻蚀形成通孔，在通孔内部交替沉积屏蔽介质和金属电极，其中电感由多层以S形相连接的金属电极构成；在电感表面依次沉积隔离介质、铜扩散阻挡层和铜籽晶层，并电镀铜金属层，其中铜扩散阻挡层、铜籽晶层和铜金属层构成TSV互连结构，用于连通上下芯片。TSV结构不仅充当芯片之间垂直互连的导电通道，同时还作为电感的基底，有效增大了电感值。
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公开(公告)号：CN112071974A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010920784.5
申请日：2020-09-04
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L41/047 , H01L41/113 , H01L41/317 , H02J7/32 , H02N2/18
Abstract: 本发明提供了一种三维集成系统及制备方法，所述集成系统包括纳米发电机、纳米电容结构、第一硅通孔结构和第二硅通孔结构；所述方法包括如下步骤：选择刻蚀衬底并在所述刻蚀衬底表面刻蚀出多个硅纳米孔并制备获得纳米电容结构；在所述纳米电容结构表面制备出共用电极的纳米发电机；对所述纳米发电机顶部两侧处理得到第一硅通孔结构和第二硅通孔结构；在所述第一硅通孔结构和所述第二硅通孔结构内部进行金属布线，将所述纳米电容结构与所述纳米发电机之间导通连接，以获得最终的集成系统，将压电发电机产生的电能储存在纳米电容结构之中，获得持续稳定的能量输出，而且整个系统尺寸易于微缩，占用面积小。
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公开(公告)号：CN112018079A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010747376.4
申请日：2020-07-29
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种铜互连结构及其制备方法。该铜互连结构包括：自下而上依次包括铜金属线(200)、第一刻蚀终止层(201)、第一介质层(202)、第二刻蚀终止层(203)和第二介质层(204)；通孔/沟槽结构，两者垂直相连通，贯穿第一刻蚀终止层(201)、第一介质层(202)、第二刻蚀终止层(203)和第二介质层(204)，其中，沟槽位于通孔上方；AlN/Al2O3叠层薄膜(206)，阻挡层(207)和铜薄膜(208)，其中，AlN/Al2O3叠层薄膜(206)形成在通孔和所述沟槽的侧壁，且不与通孔底部相接触；阻挡层(207)覆盖AlN/Al2O3叠层薄膜(206)并覆盖通孔底部的铜金属线(200)的表面；铜薄膜(208)完全填充通孔/沟槽内部；铜扩散覆盖层(209)，覆盖铜互连结构的上表面。
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公开(公告)号：CN112018070A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010754763.0
申请日：2020-07-31
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种纳米电容三维集成结构及其制备方法。该纳米电容三维集成结构包括形成在硅衬底的沟槽内的垂直堆叠的第一纳米电容结构和第二纳米电容结构，两者相互并联连接。本发明将一次性刻蚀出高深宽比硅纳米结构变为两次刻蚀出高深宽比硅纳米结构，可以降低对刻蚀设备精度的要求，从而可以降低制造成本。由于单个硅纳米结构的深宽比降低，所以薄膜台阶覆盖率可以提高，薄膜的保形性也可以增强，从而可以减小薄膜在沉积过程中孔洞的出现。并且可以采用传统的溅射设备来沉积金属材料，从而可以获得电阻率较低的金属电极。此外，能够提高纳米电容整体的电容密度，减少电容所占据的平面面积，从而可以获得小尺寸的能量缓冲器件。
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公开(公告)号：CN111883498A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010620300.5
申请日：2020-06-30
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L25/065 , H01L21/768 , H01L21/52
Abstract: 本发明公开了一种DRAM芯片三维集成系统及其制备方法。在硅片正反面刻蚀出若干个沟槽结构；然后，在上下相对的两个沟槽之间刻蚀出TSV结构进行电气连通；接着，在沟槽内放置DRAM芯片，并采用铜-铜键合的方式使得垂直方向上芯片与TSV结构电气连通；最后进行重布线，使得水平方向上的芯片之间电气连通。本发明能够充分利用硅材料，而且可以避免转接板出现翘曲、变形等问题。此外，将芯片放置在沟槽内，既不会增大整体封装厚度，又能保护芯片不会受到外力冲击。
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公开(公告)号：CN111769076A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010561678.2
申请日：2020-06-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/306 , H01L23/48
Abstract: 本发明属于集成电路封装技术领域，具体为一种用于2.5D封装的TSV转接板及其制备方法。本发明采用金属辅助化学刻蚀工艺减薄硅片，并且采用金属辅助化学刻蚀工艺形成硅通孔，该方法无需复杂的工艺设备，工艺简单，且硅通孔的深宽比易调。此外，通过在硅衬底背面形成籽晶层，而后在硅通孔内填充导电金属的方法，无需化学机械抛光去除硅通孔上表面的导电金属，从而可以进一步地缩减工艺步骤。
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公开(公告)号：CN111769075A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010561659.X
申请日：2020-06-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3065 , H01L23/48
Abstract: 发明属于集成电路封装技术领域，具体为一种用于系统级封装的TSV无源转接板及其制造方法。本发明通过注入离子在硅片内部形成硅化合物，而后采用湿法腐蚀将顶层硅与体硅分离作为制作无源转接板的基底。本发明能够充分利用硅材料，节约成本。此外，在硅片中所形成的硅化合物可以作为刻蚀阻挡层，进一步简化了工艺步骤。
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公开(公告)号：CN111540745A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010401243.1
申请日：2020-05-13
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11568
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种低功耗二维材料半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器，采用高介电常数材料作为阻挡层和隧穿层，可以在满足等效氧化层厚度的前提下，减小漏电流，从而降低功耗；采用PTCDA作为在二维材料表面生长高介电常数材料的缓冲层，可以抑制位阻效应，增大成核密度，可以生长出致密的高介电常数材料，进而可以抑制漏电流，降低功耗。此外，利用PTCDA与二维材料之间没有共价键的优点，从而减少两者之间的界面缺陷，可以抑制漏电流，降低功耗。
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