公开(公告)号：CN112466407A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011337537.9

申请日：2020-11-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郝树伟 ,  付昊 ,  雷作涛 ,  朱崇强 ,  赵丽丽 ,  杨春晖

IPC: G16C10/00 ,  G16C20/10 ,  G16C60/00

Abstract: 利用CGSim软件模拟获取大尺寸黄铜矿类单晶的方法，它涉及计算机模拟生长单晶的方法，它要解决现有的大尺寸黄铜矿类ABP2单晶生长的研究周期长﹑无法直接观察此类单晶生长及应力分布的问题。本方法：实际测量单晶生长装置的各个部分的实际结构、材质和尺寸，根据实测结果利用CGSim模拟仿真平台建立二维旋转轴对称模型，通过校准验证获得稳定热场的模型；在该模型中设定晶体生长参数进行模拟生长，获得随着晶体高度变化晶体的热应力分布情况，利用平均热应力预测晶体生长状态，完成大尺寸黄铜矿类单晶的模拟生长。通过计算机模拟生长大尺寸的ABP2晶体，效率高、操作简单，成本低，可用于黄铜矿类单晶的生长领域。

公开(公告)号：CN111909685A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010835719.2

申请日：2020-08-19

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郝树伟 ,  陈童 ,  尚云飞 ,  杨春晖

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/85 ,  G01N21/64

Abstract: 一种超疏水三通路同步检测上转换荧光探针检测试片及其制备方法，涉及染料检测试片及制备方法，它是要解决单一上转换荧光探针无法进行多种待测物的同时检测和单液滴循环检测的技术问题，本发明的检测试片由基片、多层核壳结构的上转换纳米晶层和超疏水SiO2覆盖层组成，其中多层核壳结构的上转换纳米晶层的纳米晶是在晶核表面依次沉积第一功能层、第一隔离层、第二功能层、第二隔离层、第三功能层和第三隔离层形成的。制法：一、制备多层核壳结构的上转换纳米晶；二、制备硅烷改性疏水SiO2颗粒；三、制备超疏水上转换薄膜。本发明的检测试片可实现三种混合染料的同步检测，检测限达到约0.1μg/mL，可用于染料的检测领域。

公开(公告)号：CN110042461A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910358621.X

申请日：2019-04-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱崇强 ,  陈亮 ,  雷作涛 ,  杨春晖 ,  郝树伟

IPC: C30B11/02 ,  C30B29/10 ,  G02F1/355

Abstract: 一种增加热传递大尺寸磷化锗锌晶体的生长方法，本发明涉及磷化锗锌晶体的生长方法。本发明是要解决现有的采用垂直布里奇曼法生长的磷化锗锌晶体易开裂，晶体内部出现裂纹、挛晶缺陷的技术问题。本方法：一、将籽晶和ZnGeP2多晶料放入PBN坩埚中，装入石英安瓿中真空封装；二、将石英安瓿放入晶体生长炉中，升温；三、加热使ZnGeP2多晶料和籽晶部分融化；三、籽晶再生长；四、晶体生长；五、降温，得到磷化锗锌晶体。制备过程中通过调节惰性气体的流量及温度对晶体的生长速率及晶体内部热量的散失速率进行调节。该磷化锗锌晶体内部无裂纹、挛晶缺陷，晶体元件的2μm吸收系数降低至0.02cm-1，可用于大能量激光输出器件中。

公开(公告)号：CN106449120A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610895633.2

申请日：2016-10-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郝树伟 ,  陈冠英 ,  尚云飞 ,  杨春晖

IPC: H01G9/20

CPC classification number: Y02E10/542 ,  H01G9/2063 ,  H01G9/2031

Abstract: 一种红外染料级联敏化的染料敏化太阳能电池光阳极及其制备方法，本发明涉及太阳能电池光阳极材料及其制备方法。它是要解决现有上转换基染料敏化太阳能电池的窄带弱吸收红外波段太阳光的技术问题。本发明的染料敏化太阳能电池光阳极由FTO导电玻璃基板、负载N719染料的二氧化钛层和IR783红外染料敏化的NaYF4:Yb/Er@NaYF4:Nd层组成。制法：先在FTO导电玻璃基板上制备二氧化钛层，然后浸渍N719染料，然后再浸渍在敏化NaYF4:Yb/Er@NaYF4:Nd溶液中处理，取出后洗净晾干，得到光阳极。用该光阳极制备的电池可吸收可见及红外光，光电转换效率比常规太阳能电池提高了13.4％。

公开(公告)号：CN103525397A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310469742.4

申请日：2013-10-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈冠英 ,  邵韦 ,  邱海龙 ,  郝树伟 ,  杨春晖

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/85 ,  C30B29/12 ,  C30B27/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种核壳壳结构的纳米晶体的制备方法，涉及一种纳米晶体的制备方法。本发明是要解决目前的制备方法合成出的晶体无法同时解决硅基太阳能电池的两种主要损耗的技术问题。本发明的制备方法如下：一、制备核结构的NaYF4:Er3+纳米晶体；二、制备第一层核壳结构的NaYF4:Er3+@NaYF4:Yb3+，Tb3+纳米晶体；三、制备核壳壳结构的NaYF4:Er3+@NaYF4:Yb3+，Tb3+@NaYF4纳米晶体。本发明的制备方法可应用于太阳能电池领域中。