公开(公告)号：CN106882966A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201710044044.8

申请日：2017-01-19

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 杨新宇 ,  何超 ,  张久兴 ,  胡可 ,  李志

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/653

Abstract: 本发明公开了一种通过光学区熔技术制备SiC/LaB6共晶复合材料的方法，其特征在于：首先以SiC粉末和LaB6粉末为原材料，经预压成型、真空烧结，获得SiC‑LaB6预制体；然后将由预制体切割成的圆柱棒两根分别置于光学区熔炉的上抽拉杆和下抽拉杆上，使上、下圆柱棒轴对称且上、下圆柱棒结合的部位位于光斑中心；最后经光学区熔并定向生长，即获得SiC/LaB6共晶复合材料。本发明所得SiC/LaB6共晶复合材料，白色的LaB6纤维规整的排列在黑色的SiC基体中，组织均匀。

公开(公告)号：CN106498205A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201611145943.9

申请日：2016-12-13

Applicant: 合肥工业大学 ,  陕西斯瑞新材料股份有限公司

Inventor： 张久兴 ,  韩翠柳 ,  胡可 ,  杨新宇 ,  刘凯 ,  王小军 ,  师晓云 ,  杨平

IPC: C22C1/04 ,  C22C9/00 ,  B22F3/14

CPC classification number: C22C1/0425 ,  B22F3/14 ,  B22F2998/10 ,  C22C9/00 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02

Abstract: 本发明公开了一种大尺寸高致密度高均匀性的CuCr合金的制造方法，其是采用放电等离子烧结对CuCr混合粉末进行固结成形，通过优化烧结模具结构，施加轴向机械压力的同时在10～50℃/min以梯级升温方式加热至800～880℃后保温2～8min，即可获得直径不小于50mm、长径比为0.04～1.0、致密度大于99.0％且沿轴向和径向的波动小于1％、成分组织均匀的烧结圆柱锭。本发明可根据CuCr合金的尺寸需求选择不同的烧结条件，工艺简单，周期短，生产效率高，所得CuCr合金经后续少量加工即可成品而用作大功率输变电设备中真空断路器的零部件。

公开(公告)号：CN106007727A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610316167.8

申请日：2016-05-11

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 张久兴 ,  王翔 ,  杨新宇 ,  胡可 ,  李志

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/50 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/5805 ,  C04B35/50 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3813

Abstract: 本发明公开了一种快速烧结制备LaB6/ZrB2共晶复合材料的方法，其特征在于：首先通过高能球磨将ZrB2粉末和LaB6粉末混合，筛粉后再预压成型，最后再在放电等离子烧结炉中烧结，即获得LaB6/ZrB2共晶复合材料。本发明通过放电等离子烧结技术制备的LaB6/ZrB2共晶复合材料具有较高的致密度，达98.43％。

公开(公告)号：CN105753481A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610137723.5

申请日：2016-03-10

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 杨新宇 ,  王翔 ,  张久兴 ,  胡可 ,  李志

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/5805 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/77

Abstract: 本发明公开了一种采用放电等离子烧结技术制备SiC/LaB6共晶复合材料的方法，其特征在于：首先通过高能球磨将SiC粉末和LaB6粉末混合，再预压成型，最后再在放电等离子烧结炉中烧结，即获得SiC/LaB6共晶复合材料。本发明通过放电等离子烧结技术制备的SiC/LaB6共晶复合材料具有较高的致密度，达96％。

公开(公告)号：CN114908422B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202210746466.0

申请日：2022-06-29

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 王衍 ,  鲍妍 ,  张久兴 ,  杨新宇 ,  罗时峰 ,  蔡铭辉

IPC: C30B29/10 ,  C30B13/28 ,  B22F3/105

Abstract: 本发明提供了一种锶元素掺杂的六硼化镧单晶体、其制备方法，及包括其的阴极器件。所述锶元素掺杂的六硼化镧单晶体的分子式为La1‑xSrxB6，其中，0

公开(公告)号：CN117564272A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311623413.0

申请日：2023-11-30

Applicant: 合肥工业大学 ,  蚌埠市双环电子集团股份有限公司

Inventor： 罗时峰 ,  张久兴 ,  王楠 ,  王衍 ,  杨新宇 ,  李响 ,  邵建强 ,  李福喜

IPC: B22F3/105 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C30/00 ,  C22C27/06 ,  B22F1/14

Abstract: 本发明提供了一种放电等离子烧结制备高阻溅射靶材的方法以及由该方法得到的高阻溅射靶材。所述方法包括如下步骤：1)混粉，相对于100wt％的Si粉、Cr粉和Ni粉的总重量，加入35wt％～70wt％的Si粉、25wt％～50wt％的Cr粉、2wt％～20wt％的镍粉，以及0.1wt％～2wt％的稀土金属粉末，并在混粉机中充分混合；2)烧结：将混合后的粉末置于等离子烧结炉中烧结；3)机加工：对烧结后的靶材样品进行表面抛光处理及外形加工处理。所制备的靶材晶粒尺寸细小，组织分布均匀、致密度高、降低烧结温度和缩短保温时间，能够有效提升金属膜电阻器的稳定性。

公开(公告)号：CN115418721A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211081992.6

申请日：2022-09-06

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 王衍 ,  鲍妍 ,  张久兴 ,  杨新宇 ,  罗时峰

IPC: C30B29/10 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明提供了一种六硼化钕[100]单晶块体材料、其制备方法以及包括其的制品。所述NdB6单晶体生长沿[100]方向，并且没有亚晶界。X‑ray摇摆曲线分析表明，根据本发明的NdB6单晶体的摇摆曲线光滑对称，无劈裂，半高宽0.049°～0.082°，表明单晶体晶体质量高、完整性好。

公开(公告)号：CN113563080B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202110889044.4

申请日：2021-08-04

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 杨新宇 ,  王可 ,  张久兴 ,  彭天帅 ,  韩翠柳 ,  罗时峰

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提供了一种制备高致密度HfC制品的方法，包括步骤：1)将HfC粉末装入石墨模具；对装好HfC粉末的石墨模具进行预压，调整上下压头高度，使HfC粉末位于石墨模具的中心；2)将石墨模具装入SPS炉腔中，将炉腔真空抽到10Pa以下，通入直流脉冲电流，对HfC粉末进行烧结成形；3)烧结结束，随炉冷却，保压降温，待烧结腔温度降至100℃以下，将样品从烧结腔里取出高致密度的HfC制品，所述高致密度的HfC制品的致密度为90％以上。本发明采用放电等离子烧结技术制备了高致密度的HfC制品，所述方法具有烧结温度低、实现快速致密化、能保持严格的化学计量比且无杂质、致密度高的优点。

公开(公告)号：CN111910249B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202010684686.6

申请日：2020-07-16

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 杨新宇 ,  宁舒羽 ,  张久兴 ,  王衍

IPC: C30B29/10 ,  C30B13/16 ,  C30B28/02

Abstract: 本发明公开了一种大尺寸、高性能的GdB6单晶，及其制备方法。所述GdB6单晶不包含GdB4，特别地，GdB6单晶的直径为3～7mm。所述GdB6单晶的摇摆曲线半高宽仅为0.1～0.25°；其在1873K的温度下的最高发射电流密度为6.50A/cm2以上。本发明所述的大尺寸、高性能的GdB6单晶非常适合用作电子束焊机中的阴极材料。

公开(公告)号：CN107245758B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201710441703.1

申请日：2017-06-13

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 张久兴 ,  王衍 ,  杨新宇 ,  王盼 ,  宁舒羽 ,  胡可 ,  李志

IPC: C30B29/10 ,  C30B28/02 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明公开了一种多元稀土六硼化物(La0.6CexPr0.4‑x)B6单晶体的制备方法，是采用放电等离子烧技术结合光学区熔法制备得到高质量、高性能、大尺寸的(La0.6CexPr0.4‑x)B6单晶体。本发明所得样品单一物相，没有杂质生成，且单晶质量良好没有出现孪晶现象。