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公开(公告)号：CN112668932B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202110052566.9
申请日：2021-01-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F11/10
Abstract: 本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种电子器件的加固设计方法、计算机设备和存储介质，包括获取电子器件的软错误率指标；根据电子器件的模拟辐照试验，获取电子器件发生各种单粒子翻转类型的软错误率，单粒子翻转类型包括单位翻转和多位翻转；根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与软错误率指标，确定电子器件的待加固类型；根据待加固类型，对电子器件进行加固纠正。通过获取发生各种单粒子翻转类型的软错误率，以实际应用环境下的软错误率指标为导向，选择合适的加固方式对电子器件进行加固纠正，以保证电子器件在达到软错误率指标的同时避免过度加固，以降低加固带来的资源消耗和性能下降。
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公开(公告)号：CN115225064A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210586273.3
申请日：2022-05-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H03K3/356
Abstract: 本发明涉及一种D触发器，包括时钟输入模块，用于接收外部时钟信号，并根据所述外部时钟信号生成延时时钟信号和直通时钟信号，生成第一时钟信号和第二时钟信号；数据输入模块，与所述时钟输入模块连接，用于接收外部数据信号，响应于所述第一时钟信号和所述第二时钟信号，根据所述外部数据信号输出第一数据信号和第二数据信号；置位复位模块，用于接收置位信号和复位信号，根据所述置位信号生成置位控制信号，根据所述复位信号生成复位控制信号；锁存器模块，与所述时钟输入模块、所述数据输入模块、所述置位复位模块连接，用于基于所述置位控制信号、所述复位控制信号对所述外部数据信号进行锁存。采用本申请提供的D触发器可以抗单粒子辐射。
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公开(公告)号：CN111060794B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201911134386.4
申请日：2019-11-19
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种热载流子注入效应的寿命评估方法、装置和计算机设备，其中一种热载流子注入效应的寿命评估方法，可针对SOI器件的自热效应，降低环境温度来进行热载流子注入试验，使得SOI器件在进行热载流子注入试验时的工作温度可以保持在目标温度，进而在进行寿命评估时能够消除自热效应对待测SOI器件热载流子注入效应的影响，提高了输出的寿命时间的可靠性和准确性，对SOI器件的可靠性寿命时间评估方法进行修正与应用，有助于提高工艺加工过程中的SOI器件的热载流子可靠性。
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公开(公告)号：CN114329993A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111666433.7
申请日：2021-12-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本申请涉及一种电子器件软错误率评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取电子器件的封装材料释放的粒子的通量‑能量谱；对所述电子器件进行反向分析，确定电子器件的有源区至所述封装材料之间的介质属性信息；根据通量‑能量谱以及介质属性信息，确定电子器件在有源区的粒子通量‑有效线性能量转移值谱；获取对电子器件进行辐照试验获得的电子器件的单粒子效应截面值‑有效线性能量转移值谱；对粒子通量‑有效线性能量转移值谱和单粒子效应截面值‑有效线性能量转移值谱进行运算，确定电子器件的软错误率。采用本方法能够提高电子器件软错误率的评估精度。
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公开(公告)号：CN113568031A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110654904.6
申请日：2021-06-11
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种α粒子发射率测试方法，包括获取测试样品；对测试设备的背底噪声进行调试，使得测试设备的α粒子发射率小于设定值；利用完成调试的测试设备对测试样品进行α粒子发射率测试，并对测试到的α粒子进行计数；当α粒子的计数达到目标计数时结束测试，并获取测试数据；对测试数据进行分析和处理。通过在对测试过程前通过背底噪声调试来降低环境噪声和设备自身发射α粒子本底对测试结果的影响，在测试完成后通过数据分析来进一步确定超低本底电子材料的测试样品的实际α粒子发射率。利用上述α粒子发射率测试方法可以实现对超低本底电子材料的测试样品α粒子发射率、能谱的准确测量，提高试验准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110045205B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910341901.X
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种单粒子闩锁限制电流测试方法、装置和系统。所述方法包括：当监测到处于当前离子束辐照中的待测器件出现单粒子闩锁效应时，以单粒子闩锁维持电流作为待测器件的输入电流的初始值，逐次减小输入电流；记录在各输入电流下、待测器件退出单粒子闩锁效应的所用时长；并根据各输入电流和所用时长，建立待测器件处于当前离子束辐照中的电流时长曲线；获取处于下一种离子束辐照中的待测器件对应的电流时长曲线；根据各电流时长曲线和待测器件的可容忍中断时长，获取待测器件处于各种离子束辐照中对应的极限电流，并将各极限电流中的最小值确认为待测器件的单粒子闩锁限制电流，从而，本申请提高了测试单粒子闩锁限制电流的准确度。
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公开(公告)号：CN112668932A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202110052566.9
申请日：2021-01-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种电子器件的加固设计方法、计算机设备和存储介质，包括获取电子器件的软错误率指标；根据电子器件的模拟辐照试验，获取电子器件发生各种单粒子翻转类型的软错误率，单粒子翻转类型包括单位翻转和多位翻转；根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与软错误率指标，确定电子器件的待加固类型；根据待加固类型，对电子器件进行加固纠正。通过获取发生各种单粒子翻转类型的软错误率，以实际应用环境下的软错误率指标为导向，选择合适的加固方式对电子器件进行加固纠正，以保证电子器件在达到软错误率指标的同时避免过度加固，以降低加固带来的资源消耗和性能下降。
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公开(公告)号：CN111709120A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010431029.0
申请日：2020-05-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及一种α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质，分析方法包括：根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方；进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量；根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子；根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。由于所获得的α粒子有效通量是根据有效因子确定，而该有效因子考虑了放射源与半导体之间的空间几何效应和气体层的屏蔽效应，因而可以保证所获得的α粒子有效通量的准确度，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差。
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公开(公告)号：CN110058104A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910466546.9
申请日：2019-05-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种异地智能单粒子效应测试系统、方法以及装置，所述系统包括异地控制计算机设备、以及设于高中子通量环境中的单粒子效应测试设备；还包括连接在单粒子效应测试设备与异地控制计算机设备之间的网络传输设备；其中，单粒子效应测试设备对待测器件进行周期性测试，并通过网络传输设备、将测试得到的软错误信息上报给异地控制计算机设备；异地控制计算机设备在软错误信息的数量达到预设值时，通过网络传输设备、向单粒子效应测试设备传输控制指令，以使单粒子效应测试设备停止测试，从而，避免了测试人员长期驻扎在高海拔地区的实验点而造成的测试困难和成本投入。
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公开(公告)号：CN109669804A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811442659.7
申请日：2018-11-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
CPC classification number: G06F11/1048 , G06F11/3409 , G11C29/42
Abstract: 本发明涉及用于降低ECC存储器的存储区实际软错误率的方法和装置。提供了一种用于降低ECC存储器的存储区实际软错误率的方法，该方法包括：获取ECC存储器的存储区实际软错误率的函数关系；根据函数关系确定对ECC存储器的存储架构进行拆解的拆解级别k；根据拆解级别k确定对ECC存储器的存储架构进行k级拆解后的存储区的字数和单个字内的位数；根据函数关系和获得的拆解后的存储区的字数和单个字内的位数确定ECC存储器在进行k级拆解后的存储区实际软错误率。上述方法将存储区的单个字拆解为多个字，降低了ECC存储器的软错误率，有效提高了ECC存储器的存储区抗软错误能力，且增强了ECC存储器的可靠性。
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