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公开(公告)号：CN113972294A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111133837.X
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于蓝光探测器的技术领域，公开了一种碳化钛/InGaN异质结蓝光探测器及其制备方法。所述蓝光探测器，包括从下到上依次设置的衬底、缓冲层，Ti3C2/InGaN异质结功能层；缓冲层为从下到上依次设置的AlN层、AlGaN层和GaN层，其中AlN层设置在衬底上；Ti3C2/InGaN异质结功能层中，InGaN层设置在缓冲层的GaN层上，Ti3C2层部分覆盖InGaN层；所述蓝光探测器还包括金属层电极，金属层电极设置在Ti3C2层上和未覆盖的InGaN层上。本发明还公开了蓝光探测器的制备方法。本发明的探测器具有较高的蓝光波段的量子效率、蓝光谐振吸收增强，实现高灵敏度高带宽探测。
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公开(公告)号：CN113690341A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110844851.4
申请日：2021-07-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/054 , H01L31/048 , H01L31/074 , B82Y40/00 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种具有阵列式微纳透镜结构的石墨烯/砷化镓太阳电池及其制备方法。本发明的石墨烯/砷化镓太阳电池自下而上依次包括背面电极、砷化镓层、石墨烯层、栅电极和具有表面阵列式微纳透镜结构的薄膜。本发明制备的石墨烯/砷化镓太阳电池具有更高光利用效率，增强电池表面光吸收，提高光电转化效率等优点，制备的具有微透镜结构的薄膜能够更好的将电池表面入射光收集起来，便于太阳电池进行光伏效应，有利于制备高转化效率的石墨烯/砷化镓太阳电池。
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公开(公告)号：CN112687527A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011637782.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体的技术领域，公开了一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法。所述大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜，自下而上依次包括衬底、AlN成核层、缓冲层、未掺杂GaN薄膜；所述缓冲层为InxAl1‑xN缓冲层或InxAl1‑xN/In0.18Al0.82N缓冲层。本发明还公开了大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜的外延生长方法。本发明不仅改善了大尺寸SiC衬底与GaN材料晶格失配问题，有效控制外延片应力，对器件整体性能和良品率提升作用明显；利于制备大尺寸碳化硅基氮化镓器件。
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公开(公告)号：CN112186065A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010934611.9
申请日：2020-09-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于阻挡杂质带MSM型探测器及其制备方法，从上至下依次包括金属受光面电极、钝化层、半导体光吸收层、缓冲层/绝缘层及支撑衬底，所述金属受光面电极下端设置金属‑半导体接触层，所述金属‑半导体接触层被离子掺杂杂质阻挡带包围。所述金属‑半导体接触层形成了肖特基接触，具有一定高度的肖特基势垒；离子掺杂杂质阻挡带进一步增强了肖特基势垒，降低了暗电流，可以有效减小半导体光吸收层的掺杂浓度和光生载流子效率，增大器件光响应。
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公开(公告)号：CN110797441A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911127056.2
申请日：2019-11-18
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜及其制法与应用。所述LED外延薄膜包括n-GaN,依次生长在n-GaN上的MOCVD制备的InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱、电子阻挡层、p-GaN层。本发明提出的高内量子效率近紫外LED外延薄膜的制备方法具有结构简单、效率高、可有效改善量子阱材料质量的特点，可广泛应用于近紫外、蓝光、黄绿光LED等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109768113A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811609129.7
申请日：2018-12-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种AlN纳米片探测器及其制备方法。该AlN纳米片探测器包括衬底、AlN薄膜、AlN纳米片和叉指电极。其中，AlN纳米片由大量AlN纳米棒水平堆叠而成，且其形貌演变具有周期性。相对于其他的一维AlN纳米结构，本发明制备出的一维AlN材料为单晶材料，晶体质量高，内部缺陷少，因此该AlN纳米片探测器的暗电流大幅减小；同时，一维AlN材料密度非常均匀、形貌高度统一，因此该AlN纳米片探测器的制备加工相对容易。
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公开(公告)号：CN106206888B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610757252.8
申请日：2016-08-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括依次生长在铝酸镁钪衬底上的第一GaN缓冲层、非晶态AlN插入层、第二GaN缓冲层、InGaN/GaN量子阱。本发明还公开了上述生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好，发光性能优良。
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公开(公告)号：CN108385080A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810402659.8
申请日：2018-04-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了用于制备多孔模板的衬底，依次包括基板、金属钛薄膜、多孔氮化钛薄膜。本发明还公开了用于制备多孔模板的衬底制备方法，包括以下制备方法：(1)在基板上沉积金属钛薄膜，得到镀钛基板；(2)将镀钛基板转移到金属有机物化学气相沉积生长设备中；(3)在氢气气氛中对镀钛基板在600-680℃保温预烘烤3-10min；(4)通入NH3和H2混合气体，在600-680℃温度条件下进行对镀钛基板进行氮化3～15min，金属钛薄膜表面由于氮化反应开裂成的多孔氮化钛薄膜。本发明的模板的尺寸取决于衬底本身而不受制于制备方法，更加适用于大尺寸工业生产需求。
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公开(公告)号：CN108321076A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810233105.X
申请日：2018-03-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/778 , H01L31/09 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种二维AlN材料及其制备方法与应用，包括以下步骤：（1）衬底以及其晶向的选取；（2）对衬底进行表面清洁处理；（3）石墨烯层转移至衬底层上；（4）衬底退火处理；（5）采用MOCVD工艺通入H2打开石墨烯层并钝化衬底表面；（6）采用MOCVD工艺生长二维AlN层。本发明的制备方法具有工艺简单、省时高效的优点。同时本发明制备的二维AlN材料可广泛应用于HEMT器件、深紫外探测器或深紫外LED等领域。
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公开(公告)号：CN104157755A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410317735.7
申请日：2014-07-03
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明公开了生长在W衬底上的GaN薄膜，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN薄膜；所述AlN缓冲层为在400～500℃生长的AlN缓冲层；所述GaN薄膜为在700～800℃生长的GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在W衬底上的GaN薄膜的制备方法及应用。本发明制备的生长在W衬底上的GaN薄膜，具有位错密度低、晶体质量好的优点。
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