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公开(公告)号：CN100511193C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710079470.1
申请日：2007-03-28
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F13/16
Abstract: 本发明的实施例涉及芯片领域，提供了一种外部存储器控制器时序配置的装置及方法。所述装置包括配置寄存器接口模块和时序控制模块，配置寄存器接口模块用于根据当前存储器的参数，配置生成控制信号的提前无效参数、控制信号的控制参数和片选信号；时序控制模块，用于根据接收到的控制信号的提前无效参数和控制参数，以片选信号为基准生成控制信号；所述控制信号包括写使能信号和/或输出使能信号。避免了对写使能信号或输出使能信号的有效控制的不全面，可能导致对外部存储器的操作时序不能满足要求，造成写使能信号或输出使能信号不稳定或控制信号的生成延时，影响对当前存储器的控制的问题。
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公开(公告)号：CN100483377C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200610060827.7
申请日：2006-05-17
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F13/38
Abstract: 本发明提供的一种异步桥，包括异步从接口，检测到第一时钟域内存在总线传输时发出传输请求信号；二级同步单元，二级同步所述传输请求信号；异步主接口，接收二级同步后的传输请求信号，建立第二时钟域的总线传输；以及双向存储器，所述双向存储器一端与所述异步从接口相连接，另一端与所述异步主接口相连接，存储总线突发传输时的数据信号。此外本发明还提供了一种使用异步桥进行数据传输的方法。本发明方案无需将突发传输转化为单一传输进行处理，就能实现对跨时钟域的AHB总线突发传输的支持，大大提高了总线效率。
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公开(公告)号：CN100464319C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200610086481.8
申请日：2006-06-23
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种实现处理器之间进行通讯的装置和方法，该装置包括多处理器通信单元和控制总线。该方法主要包括：在多处理器系统中设置多处理器通信单元，各个处理器通过控制总线访问该多处理器通信单元，通过该多处理器通信单元进行各处理器之间的通讯。利用本发明，可以实现处理器之间进行快速、及时的通讯。可以提升系统性能。提高ARM(精简指令集计算机处理器)和DSP(数据信号处理器)之间的耦合程度，可以使ARM+DSP之类的SOC(片上)系统能够满足音频、流媒体、通讯方面的实时、大数据量、多业务的需求。
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公开(公告)号：CN100395696C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610109784.7
申请日：2006-08-11
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种静态存储器接口装置及其数据传输方法，流水线架构的总线通过该静态存储器接口装置与静态存储器进行数据交互，该静态存储器接口装置主要包括：控制逻辑模块和地址译码模块。该方法主要包括：静态存储器接口装置监控流水线架构的总线的读写状态和地址状态产生相应的地址信号；根据所述地址信号所述流水线架构的总线按照设定数据传送方式与静态存储器进行数据交互。利用本发明所述装置和方法，从而可以在多功能静态存储器接口装置内部计算出当前静态存储器的访问地址，实现流水线架构的总线以突发数据传送方式访问静态存储器。
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公开(公告)号：CN119028948A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310596548.6
申请日：2023-05-24
IPC: H01L23/538 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本申请实施例公开了一种器件、制备方法及电子设备，在金属互连层与介质层之间设置层叠设置的多个衬里层，并且，每一个衬里层包括层叠设置的m个第一原子层和n个第二原子层，第二原子层的材料为金属氮化物材料，这样通过增加第二原子层，可以提高金属互连层和介质层之间的粘附性。并且，第一原子层的材料为金属材料，由于金属材料本身电阻率较低，因此对于同等厚度的衬里层，既设置了第一原子层又设置了第二原子层，实现在衬里层中掺杂金属材料，从而使掺杂了金属材料的第二原子层整体电阻率下降，降低每一个衬里层的电阻率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118251658A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280076075.0
申请日：2022-03-03
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F8/76
Abstract: 一种二进制程序的优化方法及装置，涉及计算机技术领域，用于在无法获取到程序源代码时，仍然可对二进制程序进行优化。在本申请中，优化方法包括：获取二进制程序，其中，二进制程序中缺少二进制程序对应的符号表、符号表中函数的静态重定位信息中的至少一项(301)。对二进制程序进行分析与重建，以得到优化辅助信息(302)。再根据优化辅助信息，对二进制程序进行优化，以得到优化之后的二进制程序(303)。其中，优化辅助信息包括如下中一项或多项的至少部分信息：符号表、静态重定位信息、二进制程序的采样信息，采样信息包括二进制程序的跳转关系。
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公开(公告)号：CN118051377A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211441644.5
申请日：2022-11-17
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 一种支持数据融合的数据恢复方法及装置，涉及数据备份和数据恢复的技术领域。该方法包括：第二终端启动第一应用，第一应用集成有备份插件，备份插件由应用程序框架层提供；第二终端通过备份插件生成第一应用的融合目录视图，融合目录视图是根据第一终端上第一应用的目录视图和第二终端上的第一应用的目录视图进行数据融合得到的；第二终端根据融合目录视图在第二终端上恢复第一应用的数据。从而可以根据多个版本的备份数据实现数据恢复，提升用户体验。
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公开(公告)号：CN117186126A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210612617.3
申请日：2022-05-31
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: C07F5/00 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/285
Abstract: 本申请实施例提供了一种金属化合物及其制备方法和应用。该金属化合物包括过渡金属原子及与过渡金属原子配位的至少一个β‑二酮类配体，以及与过渡金属原子配位的一个二元胺配体或者两个一元胺配体，其中，过渡金属原子与β‑二酮类配体中的两个氧原子配位，并与二元胺配体中的两个氮原子配位或者与一元胺配体中的氮原子配位。该金属化合物可以同时兼顾低熔点、良好挥发性、一定的热稳定性等特性，适合通过化学气相沉积法或原子层沉积法制备含过渡金属元素的薄膜。
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公开(公告)号：CN114068829A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010788366.5
申请日：2020-08-07
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种OLED发光器件、显示屏及电子设备。OLED发光器件具有像素区和透光区，OLED发光器件包括电连接的第一电极、功能层和第二电极。其中：功能层设置于第一电极和第二电极之间；第二电极包括抑制剂层和电极层，抑制剂层设置于透光区，电极层设置于像素区。抑制剂层采用低表面能材料制成，电极层位于功能层的远离第一电极的一侧，且与功能层电连接。采用本申请的OLED发光器件，通过在透光区设置具有低表面能的抑制剂层，以抑制电极层形成于透光区，从而可以有效的增大OLED发光器件的透光区的面积，从而提高OLED发光器件光透过率。
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公开(公告)号：CN113497092A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010250784.9
申请日：2020-04-01
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种显示面板，显示屏及终端设备。该显示面板为层状结构，层状结构至少包括基板层、第一电极层、发光层、第二电极层以及封装层，第一电极层为阳极层或阴极层，与所述第一电极层对应的第二电极层为阴极层或阳极层，在层状结构中还包括有导线，显示面板的显示面可以定义为包括有多个第一区域和多个第二区域，第一区域的透光性高于第二区域的透光性，其中，第一区域和/或第二区域具有非规则性。通过改变显示面板上第一区域和/或第二区域的排布规则或显示特性，使第一区域和/或第二区域具有非规则性，这种非规则性能够降低光线透过显示面板时出现衍射现象的强度，有助于改善显示面板下光学传感元件的采光效果，提高屏下摄像头的成像质量。
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