用于芯片电磁干扰测试的测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN112505467A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN202110122430.0

    申请日:2021-01-29

    Abstract: 本发明涉及电磁干扰测试技术领域,提供一种用于芯片电磁干扰测试的测试装置及测试方法。所述测试装置包括:测试主板、信号发生器、耦合网络探头以及用于放置芯片的测试子板;所述测试子板包括与芯片的多个引脚对应连接的引出电路;所述耦合网络探头与引出电路和信号发生器连接,用于将信号发生器产生的电磁干扰信号传递至引出电路,以通过引出电路将电磁干扰信号引入芯片;所述测试主板与所述测试子板连接,用于获取芯片在所述电磁干扰信号的干扰下产生的信号数据。本发明通过将电磁干扰信号直接引入集成电路芯片,以准确评估芯片各个引脚的抗电磁干扰能力,为改进芯片内部电路设计提供参考,以提升芯片的抗电磁干扰能力。

    针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法

    公开(公告)号:CN108365847B

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN201711483390.2

    申请日:2017-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法,所述电荷型SAR‑ADC包括LSB电容阵列,将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连,第一补偿电路的另一端接任意恒定电位,第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cdl'并联组成,通过调节第一补偿电路来调节SAR‑ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu,共L位,从低位到高位分别以2倍的关系递增,最高位电容值为2L‑1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时,则如下关系式成立:CLt=(2L‑1)·Cu+Cdl+Cdl'。所述针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度,特别适合高精度ADC的设计。

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