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公开(公告)号:CN201707442U
公开(公告)日:2011-01-12
申请号:CN201020148034.2
申请日:2010-03-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种补偿电路及辐射探测系统,该补偿电路设置在辐射探测系统的第一级放大器输出端和第二级放大器输入端之间,该补偿电路包括:两个电阻和一个电容,第一电阻与电容并联,其连接点与第二电阻串联。本实用新型提供的补偿电路应用在辐射探测系统中,在不影响读出电路第一级环路增益稳定性的前提下,能够增大第二级环路的相位裕度,增加系统的稳定性,提高读出速率;且结构简单,成本低廉,易于实现。
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公开(公告)号:CN2295273Y
公开(公告)日:1998-10-21
申请号:CN96213793.6
申请日:1996-06-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/00
Abstract: 一种在线淀积LPCVD多晶硅石英系统保护层装置,属于半导体集成电路制造工艺中的低压化学汽相淀积技术。现有淀积技术在石英管管壁上未淀积保护层,当管壁上所淀多晶硅薄膜的厚度大于5.5μ时,在遇上较大的温度变化时(如断电)石英管较高温区部位就会产生极深的碎裂纹以致无法继续使用,本实用新型在原有的淀积装置上另放置一条氨气气路,在石英管内壁在淀积多晶硅薄膜前预先淀积一保护层,大大提高了工作效率,延长了石英管的使用寿命。
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