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公开(公告)号：CN105547533A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510903317.0
申请日：2015-12-09
Applicant: 北京大学
IPC: G01L1/18
CPC classification number: G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种压力计芯片结构及其制备方法，该结构相比传统典型结构具有尺寸小，稳定性好、抗过载能力强和长期可靠性高等突出优势。此外针对该芯片结构开发的工艺流程与常规微纳加工技术兼容，器件加工成本低廉，芯片可实现较高的一致性。这种方法加工的压力计芯片具有更高的长期工作稳定性和抗过载破坏性能、较高的工艺可靠性，更小的芯片尺寸和成本以及更广阔的应用领域。
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公开(公告)号：CN102963859B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210451765.8
申请日：2012-11-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构，包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层；所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。该测试结构使用双材料梁作为敏感原件，测试单元优选按照阵列方式排列，以提高整个在线测试结果的可靠性。利用该结构制备MEMS器件的方法可与常用的牺牲层工艺兼容，可同时完成，实现工艺的在线监控。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率，并大大缩短工艺时间。
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公开(公告)号：CN103011056A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210501839.4
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法，该方法采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。该组合式锚点优选为阵列形式。可以通过拉伸或者剪切断裂试验确定使组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目，并作为组合式锚点中锚点的数目。可以通过光刻允许的最小间距、保持有利于应力释放的极限间距两个因素确定组合式锚点中锚点间的间隙尺寸。本发明还提供一种采用所述组合式锚点结构MEMS器件；本发明通过对锚点的分布进行合理的设计以减小工艺过程中带来的热失配应力，从而增强基于SOG工艺制造的微结构的键合强度，能够显著提高工艺成品率，提高基于SOG工艺制造的MEMS器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN102967510A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210397912.8
申请日：2012-10-18
Applicant: 北京大学
IPC: G01N3/26
Abstract: 本发明涉及一种施加垂直于悬臂梁的作用力的方法和装置，通过探针台探针向具有曲面探针头的片上力学微探针施加负载力；片上力学微探针通过曲面探针头向悬臂梁施加作用力，同时该片上力学微探针进行转动以使该悬臂梁在弯曲过程中受到的作用力始终垂直于该悬臂梁。本发明在对被测悬臂梁施加作用力的过程中不会产生沿悬臂梁方向上的弹力，也不会产生摩擦力；并且由于力学微探针的缓冲作用使得负载力的施加更稳定，测量结果更准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102163606B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110029132.3
申请日：2011-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电荷检测芯片及其制备方法。该芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监测等离子体环境中电荷在时间和空间上的积累量和分布，为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能，且所述芯片可以多次重复使用。
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公开(公告)号：CN102515089A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110433579.7
申请日：2011-12-21
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS集成化方法，在基片上先刻蚀出MEMS区域凹槽，在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；然后淀积IC保护层，在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；再刻蚀形成IC区域的引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后用光刻胶保护凹槽以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构，制得单片集成芯片。本发明采用MEMS-IC-MEMS交叉制作工艺完成MEMS和IC的单片集成，通过凹槽降低了MEMS结构和IC之间的高度差，减小了集成化工艺对光刻的压力，同时通过调整工艺顺序避免了金属脱落，提高了工艺质量和成品率。
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公开(公告)号：CN102175932A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110028955.4
申请日：2011-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种等离子体环境的电荷测试方法和测试系统。该测试系统包括一个采用MEMS与CMOS集成制作的芯片和测试电路，所述芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，通过测试电路测量应变电阻的变化。进行电荷测试时先对积累电荷初步测试，然后泄放电荷再次测量，从而排除干扰项仅保留电荷的影响，计算出电荷积累量。本发明采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监测电荷在时间和空间上的积累量和分布，为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能。
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公开(公告)号：CN102163606A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110029132.3
申请日：2011-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电荷检测芯片及其制备方法。该芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监测等离子体环境中电荷在时间和空间上的积累量和分布，为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能，且所述芯片可以多次重复使用。
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公开(公告)号：CN101357825B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000-1400W；承片台功率为300-400W；反应室压力为2-4mT；C4F8流量为10-20sccm；H2流量为4-8sccm；He流量为150-200sccm。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
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