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公开(公告)号：CN113895031A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111153983.9
申请日：2021-09-29
Applicant: 中山大学
Inventor： 王钢
IPC: B29C64/129 , B33Y10/00 , B28B1/00
Abstract: 本发明公开了一种以绿光为光固化光源的3D打印光敏材料，至少包括绿光光引发体系，其中，所述绿光光引发体系为在绿光波长范围内具有光吸收引发能力的Norr i sh I型和Norr i sh I I型光敏剂，包括姜黄素类化合物/鎓盐体系、二氟硼类姜黄素化合物/鎓盐体系、含二茂铁共轭茚二酮化合物/鎓盐/氮甲基吡咯烷酮体系、亚苄基酮类化合物/鎓盐体系、亚苄基酮类化合物/胺体系。本发明有益效果在于，一方面，通过波长越长光折射率越低，以及波长越长光穿透能力越强的原理，可以显著提高3D打印材料的固化深度，避免层间开裂问题，尤其是高折射率的3D打印材料，如3D打印光敏陶瓷浆料等；另一方面，通过波长越长光折射率越低的原理，可以显著降低3D打印材料的固化宽度，提高固化和打印精度，尤其是高折射率的3D打印材料，如3D打印光敏陶瓷浆料等。
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公开(公告)号：CN110148625B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910417286.6
申请日：2019-05-20
Applicant: 中山大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/80 , H01L21/337
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓垂直结型场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。针对现有技术中氧化镓的p型掺杂困难，以及栅介质制备难度大和栅控特性差等不足的问题提出本方案。在三维鳍式沟道结构两侧填充p型氧化物半导体层形成异质PN结，巧妙的规避了氧化镓材料的p型掺杂难题，保证良好的栅控特性，且制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN107478977B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710571427.0
申请日：2017-07-13
Applicant: 中山大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管陷阱态密度提取方法，属于半导体器件技术领域。一种氧化物半导体薄膜晶体管陷阱态密度提取方法，其中包括半导体和栅绝缘层界面陷阱态的提取以及半导体体内陷阱态的提取。本发明主要包括以下步骤：1）给氧化物半导体薄膜晶体管施加不同时长的正向偏压应力，测试相应的转移特性曲线；2）基于转移特性的变化规律，分析阈值电压漂移机制，确定阈值电压漂移随时间的变化关系式；3）如果阈值电压漂移与所加应力时间满足扩展指数模型，提取半导体体内陷阱态的特征温度；4）利用亚阈值摆幅和陷阱态的关系，提取半导体和栅绝缘层界面态密度以及半导体体内陷阱态密度。本发明提供的陷阱态密度提取方法能同时提取薄膜晶体管界面陷阱态及体内陷阱态，计算过程较已有的方法更简单，限制条件少，适用范围广。
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公开(公告)号：CN110488751A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810993735.7
申请日：2018-08-29
Applicant: 中山大学
IPC: G05B19/402
Abstract: 本发明提供了一种自动化工艺线的石墨料盘视觉定位系统，包括机械手臂、机台和石墨料盘放料位，所述机械手臂上设置有抓取工具和手臂相机，所述机台设置有料盒和机台相机，所述视觉定位系统还包括控制系统，所述机械手臂与控制系统通过通信连接形成无间隙上下料的高自动化单元，其特征在于：所述控制系统包括，视觉定位程序，晶片模板，石墨料盘模板，相机坐标系，机械手臂坐标系和石墨料盘放料位，所述石墨料盘放料位的坐标与所述石墨料盘模板坐标一致。用以解决现有技术中机械手臂抓取和放置不够灵活、准确的缺陷。
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公开(公告)号：CN110085681A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910421034.0
申请日：2019-05-20
Applicant: 中山大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/267 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓基异质PN结二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。针对现有技术中氧化镓基的二极管存在反向漏电流大、击穿电压低和可靠性差等不足的问题，提出在n型掺杂氧化镓耐压层和阳极电极之间设置p型氧化物半导体层。通过采用非晶或多晶的p型氧化物半导体层与单晶的n型掺杂氧化镓耐压层形成异质PN结，在充分发挥单晶氧化镓材料高耐压优势的同时，利用了非晶或多晶的p型氧化物半导体层空穴浓度高的优点，巧妙的规避了氧化镓材料的p型掺杂难题。实现的二极管器件具有反向漏电流低、耐压高和性能稳定的优点，且制备工艺简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109742210A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811623230.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 中山大学 , 广州和光同盛科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种紫外LED芯片，由上至下依次为混合滤波片、衬底、缓冲层、n型半导体层、MQW有源层、p型半导体层、透明电流层、紫外DBR层以及金属对称电极；所述混合滤波片是由两个中心波长不同的带通滤波片组成，所述带通滤波片是由TiO2、SiO2交替叠加，周期性排列组成的多层膜；所述紫外DBR层的材料是由SiO2、Ta2O5组成；所述金属对称电极为p型电极和n型电极，所述金属对称电极由Cr、Al、Ni、Ti、Pt、Au组成。本发明解决了目前紫外LED芯片中，ITO薄膜对紫外光有强吸收、紫外光的萃取效率低下以及荧光粉的利用效率不高的问题。
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公开(公告)号：CN108963008A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810762642.3
申请日：2018-07-12
Applicant: 中山大学
IPC: H01L31/0224 , H01L29/45
Abstract: 本发明提供了一种低温欧姆接触的GaAs基底的芯片制备方法，将Pd、Ge、Au混合均匀后沉积在GaAs基底表面形成PdGeAu金属层，所获得的PdGeAu金属层中Pd、Ge、Au均匀分布，其中Pd的质量分数为10～70％，Ge的质量分数为10～70％，Au的质量分数为0.5～20％。本发明可避免现有欧姆接触芯片结构制备工艺中高温退火带来的柔性薄膜卷曲和撕裂，极大地简化了芯片工艺流程，并节省高温热处理所需的加热能源损耗，可以应用于柔性薄膜芯片工艺，特别是大尺寸柔性薄膜电池芯片工艺。
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公开(公告)号：CN105546477B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201511035096.6
申请日：2015-12-31
Applicant: 中山大学
IPC: F21V5/04
Abstract: 本发明公开了一种LED侧向光透镜，所述透镜包括设于顶面的平面出光部，以及连接于平面出光部边缘的曲面出光部，所述曲面出光部自平面出光部的边缘沿弧线方向平滑延伸至透镜的一侧；所述透镜还包括设于透镜底部的入射光腔，所述入射光腔包括设于光腔顶部的第一入光面，平滑连接于第一入光面边缘并沿光腔一侧延伸的第二入光面，以及与第一入光面和第二入光面连接的第三入光面；所述第二入光面位于对应曲面出光部的一侧。本发明的透镜用于对LED光源进行配光后形成侧向的均匀照明，如侧栏灯，配光效果良好。
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公开(公告)号：CN108624862A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810258106.X
申请日：2018-03-27
Applicant: 中山大学
IPC: C23C16/18 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供了一种应用于ZnO MOCVD设备的自动化工艺生产线，包括使ZnO MOCVD设备完成其上下料需求的机器人、石墨盘分割器及推送系统、石墨盘视觉定位系统、外延片视觉系统、外延片上下料工作台、PLC控制系统，所述ABB机器人进行自动上下料；所述石墨盘分割器及推送系统用于定位石墨盘和固定石墨盘推送位置，所述石墨盘视觉定位系统包括传感器和计时器，外延片成型完成后，石墨盘随机放置在分割器上，所述传感器用于检测所述生长完成的石墨盘退出，经过视觉定位石墨盘的方向，所述计时器用于记录所述外延片到达石墨盘停留的时间；以解决现有的MOCVD设备生产线技术运输效率低下的问题。
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公开(公告)号：CN108615672A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810343777.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明提供了一种在蓝宝石衬底上制备高质量ε相氧化镓半导体结晶膜的方法。该方法是利用化学气相沉积，在蓝宝石衬底上沉积氧化镓半导体结晶膜。上述ε相氧化镓半导体结晶膜由成核层和主体层构成，其中成核层是纯ε相氧化镓结晶膜或者ε相与β相混合的氧化镓结晶膜，主体层是纯ε相氧化镓半导体结晶膜。上述成核层的生长温度低于主体层的生长温度，上述主体层可以含有、也可以不含掺杂剂。本发明解决了异质衬底上生长ε-Ga2O3缺陷密度高的问题，获得了高质量ε-Ga2O3结晶膜，极大拓展了氧化镓半导体材料应用范围。
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