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公开(公告)号:CN104383941B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201410625535.8
申请日:2014-11-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: B01J27/043 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B3/04
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明公开了一种Ni/CdS复合催化剂的制备方法;所述制备方法包括如下步骤:步骤一、制备镍纳米线;步骤二、配制镉盐溶液,并将步骤一所得镍纳米线分散于镉盐溶液中,搅拌均匀,得溶液A;步骤三、配置硫化钠溶液,将硫化钠溶液加入上述溶液A中,并强力搅拌,得硫化镉与镍复合物前驱体,即溶液B;步骤四、将溶液B倒入反应釜内,200℃水热反应15~30h,得Ni/CdS复合催化剂。本发明通过改变反应液中镍纳米线浓度与镉离子的浓度来制备不同Ni?Cd比例的复合催化剂,且在无贵金属的情况下具有较高的光催化产氢性能;同时本发明产物新颖、制备工艺简单易行。
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公开(公告)号:CN105152124A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201510471536.6
申请日:2015-08-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法;通过对基板进行深硅刻蚀,在基板上形成一层表面凹槽作为存储空间,然后将CNTs涂覆在存储空间中,获得了一层厚度均匀的吸波薄膜。本发明中利用了凹槽存储CNTs,这相比一般的薄膜CNTs制造技术来说,CNTs的厚度可控,并且均匀度大为提高,沟道的存在,使得CNTs粉末能够长久的保存在基板表面。本发明用深刻硅技术制造出来的隐身材料工艺简单,操作方便,节约能源,成本较低,可以广泛运用于国防军事,医疗化工等领域。
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公开(公告)号:CN103613088B
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201310601612.1
申请日:2013-11-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备孔间距一致的碳纳米管刷的方法。将孔间距一致的孔道模板放入管式炉中,利用化学气相沉积法生长碳纳米管阵列,每个孔道中生长一根碳纳米管;将生长了碳纳米管阵列的模板用砂纸打磨后粘附于硅片、玻璃或柔性聚酰亚胺基底上,置于室温下固化;最后除去孔道模板的骨架成分,用去离子水进行清洗并烘干,露出刷毛,形成碳纳米管刷。本发明工艺简单,实用性强,制成的碳纳米管刷的刷毛疏密可控,长度一致,便于大规模工业生产,在微电子领域清洁方面有很大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN102807194B
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201210271631.8
申请日:2012-08-01
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种光电材料技术领域的硒化铅锡纳米花的制备方法,该方法包括如下步骤:步骤一,取醋酸铅和醋酸锡,混合,再加入油胺和十八烯,加热,得溶液A;步骤二,取硒粉,加入三正辛基膦,之后加热,得溶液B;步骤三,将溶液B加入到溶液A中,加热,纯化,得硒化铅锡纳米花。本发明的方法能够合成能带间隙可调的硒化铅锡纳米花,本发明的方法为热注射合成方法,绿色无污染,设备要求简单,适合工业化大规模生产。
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公开(公告)号:CN102557004B
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN201110440769.1
申请日:2011-12-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种通过磁场控制碳纳米材料生长形貌的方法,以溅射在硅片上的磁性金属材料为催化剂,用高频感应线圈来加热中空石墨管,同时提供交变磁场,将溅射有催化剂的硅片放置在中空石墨管中,加热5-30分钟,即得到形貌受磁场控制的碳纳米材料--本发明利用交变磁场制备出类之字形纳米材料。与现有技术相比,本发明通过改变的磁场大小和方向,可以得到不同形貌的碳纳米材料。
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公开(公告)号:CN104216490A
公开(公告)日:2014-12-17
申请号:CN201410459389.6
申请日:2014-09-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: G06F1/20
Abstract: 本发明公开了一种计算机芯片液态冷却散热系统,使用高导热和低粘粘滞系数的导热油作为冷却液,还包括冷却液泵、界面集热器(冷头)、液冷散热器、冷却液箱和液管等。本发明将高导热和低粘粘滞系数导热油作为冷却液并设计采用新型冷却系统,芯片散热性能高于水冷效果,满足目前已知高功率高集成度计算机芯片散热技术要求,具有比已有的水基冷却液技术和液态金属散热技术样机更加实用和可靠的应用性能。
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公开(公告)号:CN103072979B
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201310044594.1
申请日:2013-02-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种还原氧化石墨烯/硫化亚铜杂化结构的制备方法,将预处理后的氧化石墨烯与油胺、金属盐按比例混合并在氮气保护下加热去除水分,同时将硫粉与热油胺在氮气保护下混合溶解,然后将硫-油胺溶液注射到上述溶液中反应。最后通过乙醇/氯仿混合液分散-超声-离心循环处理,记得到纯净的还原氧化石墨烯/硫化亚铜杂化结构产物。通过控制反应物比例、反应温度和时间来控制还原氧化石墨烯/硫化亚铜比例或硫化亚铜尺寸大小。与现有技术相比,本发明采用原位生长的方法制备还原氧化石墨烯/硫化亚铜杂化结构,具有操作简单、可控性强,便于商业化生产等优点。
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公开(公告)号:CN102502571B
公开(公告)日:2013-05-29
申请号:CN201110306815.9
申请日:2011-10-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及磁诱导电弧放电法制备单壁碳纳米管定向薄膜的方法,将催化剂、硫粉、高纯石墨粉按比例充分混合后制得阳极石墨棒,将制得的阳极石墨棒放在充有缓冲气体的电弧室内与阴极正对,通过调整放电电压和放电电流,使阴、阳两极发生电弧放电,通过调节施加在阴阳电极间磁场的强度和方向即可在基底上制得单壁碳纳米管定向薄膜。与现有技术相比,本发明采用弱磁场诱导直流电弧法制备单壁碳纳米管定向薄膜,工艺简单、所得产物中SWNT纯度高、具有高度有序性。
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公开(公告)号:CN101905880B
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN201010234322.4
申请日:2010-07-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米材料技术领域的直径可控单壁碳纳米管的制备方法,包括如下步骤:步骤一:以过渡金属为催化剂,将催化剂与99.99%的石墨粉按比例充分混合后制得直径为6mm的阳极棒,阴极采用直径为8mm的纯石墨棒;步骤二:将阳极石墨在充有含一氧化碳的缓冲气体的电弧室内与阴极石墨棒正对,进行电弧放电;通过控制阴阳两极间的放电电流和放电电压和一氧化碳压力,即可制得直径可控的单壁碳纳米管。本发明的方法工艺简单、单壁碳纳米管管径可控、便于大规模制备。
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