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公开(公告)号:CN104734718A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201510055601.7
申请日:2015-02-03
Applicant: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司 , 上海交通大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明公开了一种混合型DAC电容阵列结构,包括n个C2C电容阵列单元、m个二进制电容阵列单元、一个冗余电容,n个C2C电容阵列单元中第1个比特对应的节点与冗余电容相连接,为电容阵列结构的输入端,第n个比特对应的节点与第n+1个比特到第n+m个比特对应的节点相连,为电容阵列结构的输出端,每个节点下端的电容的下极板连接一个选择开关。本发明将C2C电容阵列单元和二进制电容阵列单元相结合,从而兼有了二进制权重电容阵列结构精度高、带衰减电容阵列结构功耗低的优点,通过控制C2C电容阵列单元和二进制电容阵列单元的组成比例,能更好的满足各种模拟电子设备对低功耗、高精度的需求。
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公开(公告)号:CN210469353U
公开(公告)日:2020-05-05
申请号:CN201921988686.4
申请日:2019-11-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本实用新型属于信息安全的技术领域,公开了一种基于物理不可克隆技术的密钥生成电路,生成密钥的比特位数为N,包括K个环形振荡器并联在一起,每个环形振荡器振荡的频率皆不相同,其级数设置为└N/K┘、└N/K┘+1、└N/K┘+2…└N/K┘+K-1,其中└┘表示向上取整函数,包括延时单元、触发器和多个基本逻辑门,所述延时单元和触发器的个数与对应环形振荡器的级数一致,所述基本逻辑门的个数由密钥的比特位数决定。本实用新型的电路可以在保持高电路输出吞吐量的同时大大加快速度,同时每个RO的级数尽可能的平均化以保证稳定性。
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公开(公告)号:CN204376879U
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201520075639.6
申请日:2015-02-03
Applicant: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司 , 上海交通大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本实用新型公开了一种具有混合型DAC电容阵列结构的SAR ADC,包括比较器和混合型DAC电容阵列结构;混合型DAC电容阵列结构包括:n个C2C电容阵列单元、m个二进制电容阵列单元、以及一个冗余电容,所述混合型DAC电容阵列结构的输出端与比较器的输入端相连接;本实用新型具有混合型DAC电容阵列结构的SAR ADC,其混合型DAC电容阵列结构将C2C电容阵列单元和二进制电容阵列单元相结合,从而兼有了二进制权重电容阵列结构(CBW)精度高、带衰减电容阵列结构(BWA)功耗低的优点,从而使SAR ADC能更好的满足各种模拟电子设备对低功耗、高精度的需求。
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