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公开(公告)号:CN103367369A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310103506.0
申请日:2013-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L29/7831 , G11C11/403 , G11C11/40615 , G11C11/4097 , G11C2207/2227 , H01L27/105 , H01L27/115
Abstract: 各半导体存储器件可以包括:写入晶体管,其包括用于控制第一源极/漏极端子的第一写入栅极和用于控制沟道区的第二写入栅极;以及读取晶体管,其包括与所述写入晶体管的第一源极/漏极端子连接的存储节点栅极。所述第一写入栅极可以具有第一功函数,并且所述第二写入栅极可以具有与所述第一功函数不同的第二功函数。所述写入晶体管的第一源极/漏极端子可以不具有PN结。
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公开(公告)号:CN101169981B
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN200610142809.3
申请日:2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔国立大学校产学协力财团
Abstract: 本发明公开了一种半导体探针及其制造方法。所述半导体探针包括:用第一杂质掺杂的悬臂;从所述悬臂的一端突出且用第二杂质轻掺杂的电阻尖端;形成于所述电阻尖端的突出部分的两侧上的掺杂控制层;和形成于所述掺杂控制层下且用所述第二杂质重掺杂而形成的第一和第二电极区。
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公开(公告)号:CN101169981A
公开(公告)日:2008-04-30
申请号:CN200610142809.3
申请日:2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔国立大学校产学协力财团
Abstract: 本发明公开了一种半导体探针及其制造方法。所述半导体探针包括:用第一杂质掺杂的悬臂;从所述悬臂的一端突出且用第二杂质轻掺杂的电阻尖端;形成于所述电阻尖端的突出部分的两侧上的掺杂控制层;和形成于所述掺杂控制层下且用所述第二杂质重掺杂而形成的第一和第二电极区。
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