公开(公告)号：CN114843279A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210094232.2

申请日：2022-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟秀 ,  林周永 ,  沈善一 ,  赵源锡

IPC: H01L27/1157 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了集成电路装置和电子系统。该集成电路装置包括：基底结构；栅极堆叠件，其位于基底结构上并且包括彼此间隔开的多个栅电极；第一上绝缘层，其位于栅极堆叠件上；多个沟道结构，其穿透栅极堆叠件，多个沟道结构中的每一个包括从栅极堆叠件突出的相应对准键；第二上绝缘层，其与多个沟道结构中的每一个的相应对准键重叠；顶部支承层，其位于第二上绝缘层上；位线，位于顶部支承层上；以及多个位线接触件，其将多个沟道结构中的相应沟道结构电连接到位线。第一上绝缘层的侧壁包括第一台阶部。

公开(公告)号：CN112079871A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010540840.2

申请日：2020-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵惠珍 ,  闵珉植 ,  权殷淑 ,  金相模 ,  李河燮 ,  田顺玉 ,  金钟秀 ,  南成虎 ,  崔玹豪

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54 ,  H01L51/50

Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的有机发光器件和包括所述有机金属化合物的诊断组合物，所述有机金属化合物由式1表示，其中式1中的L11为由式1‑1表示的配体，并且其它取代基的描述与本申请的详细描述中所描述的相同。 M1(L11)n11(L12)n12 。

公开(公告)号：CN112079870A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010540588.5

申请日：2020-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵惠珍 ,  闵珉植 ,  权殷淑 ,  金相模 ,  李河燮 ,  田顺玉 ,  金钟秀 ,  南成虎 ,  崔玹豪

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  G01N21/64

Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的有机发光器件和包括有机金属化合物的诊断组合物，所述有机金属化合物由式1表示。式1中的L11为由式1‑1表示的配体，所述有机金属化合物包括至少一个枯基，且其它取代基与关于说明书的详细描述所描述的相同。 M1(L11)n11(L12)n12

公开(公告)号：CN111755612A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010255028.5

申请日：2020-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田顺玉 ,  金钟秀 ,  崔玹豪 ,  权殷淑 ,  闵珉植 ,  裵惠珍

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 提供有机发光器件，其包括：第一电极；第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层；所述有机层包括发射层；所述发射层包括主体、冷却掺杂剂和敏化剂，其中所述冷却掺杂剂和所述敏化剂满足条件1和2，在条件1和2中，T衰减(CD)为所述冷却掺杂剂的衰减时间，和T衰减(S)为所述敏化剂的衰减时间： T衰减(CD) T衰减(CD)