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公开(公告)号:CN1691362A
公开(公告)日:2005-11-02
申请号:CN200510076220.3
申请日:2005-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝光发光器件包括在衬底上的第一导电层,在第一导电层上的多个纳米丝,每一个纳米丝在其两端具有p型掺杂部分和n型掺杂部分,在p型掺杂部分和n型掺杂部分之间具有光发射层,以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过沿掺杂部分的周围吸收分子形成掺杂部分。
公开(公告)号:CN1691362A
公开(公告)日:2005-11-02
申请号:CN200510076220.3
申请日:2005-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝光发光器件包括在衬底上的第一导电层,在第一导电层上的多个纳米丝,每一个纳米丝在其两端具有p型掺杂部分和n型掺杂部分,在p型掺杂部分和n型掺杂部分之间具有光发射层,以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过沿掺杂部分的周围吸收分子形成掺杂部分。