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公开(公告)号：CN106549042A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610674649.0
申请日：2016-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了具有第一栅极电极和第二栅极电极的半导体器件。该半导体器件包括：基板；有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅极电极，跨过有源区域并在第一方向上延伸；以及第二栅极电极，在第一栅极电极上在第二方向上延伸，其中第一栅极电极在第一方向上具有第一宽度，并且其中第二栅极电极在第一方向上具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。
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