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公开(公告)号：CN112761176A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011569740.9
申请日：2020-12-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: E02D27/14 , E02D27/42 , E01D19/02 , E01D101/26
Abstract: 本发明公开了一种承插与预埋钢筋组合的预制空心桥墩‑承台连接方法与构造，包括预制空心墩柱、预制承台、填芯混凝土以及高性能灌浆材料；预制空心墩柱由墩柱纵筋、墩柱箍筋、小U型筋、大U型筋组成，且底部与承插槽连接位置墩柱外表面为波纹状；预制承台由连接钢筋、承台箍筋、承插槽、钢筋网组成；承插槽内壁表面为波纹状；连接钢筋为普通钢筋，端部还包括锚头。为保证预制空心墩柱与承台的连接强度，通过承插方式与预埋连接钢筋组合连接的方法加强墩柱与承台结构整体性。本发明通过预制桥梁墩柱及承台等重要构件，实现快速施工，保证施工质量的同时，加快了施工进度，减小承插深度，保证整体结构良好的受力性能，满足桥梁抗震性能要求。
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公开(公告)号：CN109235242B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201811156758.9
申请日：2018-09-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: E01D19/04
Abstract: 本发明公开了一种速度锁定耗能防落梁支座，该支座包括上支座板、球冠衬板、下支座板、C型阻尼器、连接板、速度锁定装置。速度锁定耗能防落梁支座在球型钢支座的基础上，增加了速度锁定装置和C型阻尼器。速度锁定装置纵向固定与下支座板的两侧；C型阻尼器竖向排列放置，上端与上支座板相连，下端与速度锁定装置的连接板相连。正常使用时，速度锁定装置打开，满足桥梁温度和收缩徐变等正常使用要求；在地震作用下，速度锁定装置关闭，C型阻尼器变形耗能，达到减震的目的，并极限拉伸状态下防落梁。该支座竖向承载力强，传力稳定，耐久性好，能够适应桥梁的温度和收缩徐变，减震和防落梁效果明显，在高烈度区桥梁建造中具有广泛推广使用价值。
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公开(公告)号：CN110804944A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911176767.9
申请日：2019-11-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: E01D19/02 , E01D21/00 , E01D101/26
Abstract: 本发明公开了高烈度区预制拼装桥梁中墩柱-盖梁节点灌注连接方式与构造，属于桥梁工程领域。该构造由预制墩柱和预制盖梁组成，通过灌注高性能材料拼接将其连成一个桥墩体系；预制墩柱由墩柱纵筋、墩柱箍筋、搭接大直径纵筋、搭接箍筋、斜向钢筋共同构成；预制盖梁由灌浆管道、盖梁构造箍筋和灌注插槽组成；其中墩柱纵筋的拼接数量仅为其纵向受力钢筋总量的一半或更少，且采用高性能材料灌注拼接；大直径搭接纵筋在满足高烈度地区桥梁抗震需求的同时，保证震后墩柱塑性铰区域较小损伤。本发明可满足高烈度区桥梁抗震需求、确保施工质量的同时，极大加快桥梁的建造速度和施工便捷性，可为高烈度区预制拼装桥梁工程应用提供一种全新技术解决方案。
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公开(公告)号：CN110482957A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910839134.5
申请日：2019-09-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B28/04 , C04B111/70
Abstract: 本发明公开了基于装配式承插连接桥墩用高流动度超高强度灌浆料，灌浆料中各组份的重量百分含量为：25％～35％的硅酸盐水泥、5％～8％的硅灰、30％～40％的细骨料、10％～20％的石英粉、1％～2％的减水剂、5％～7％的钢纤维和5％～7％的水。本发明灌浆料中的细骨料采用石英砂被玻璃砂部分或全部等质量替换的方式，可制成28d抗压强度达到115.7Mpa，抗折强度达到21.9Mpa，劈裂抗拉强度达到12.9Mpa，且流动度达到370mm的高流动度超高强度灌浆料。本发明灌浆料具有流动性好、抗压抗折抗拉强度高、绿色环保的特点，可满足装配式桥墩中承插节点连接所需灌浆料的工作性能要求和力学性能要求。
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公开(公告)号：CN109826083A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910178013.0
申请日：2019-03-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种CFRP片材型拉索矮塔斜拉桥，包括：CFRP片材型斜拉索、矮塔、桥墩、混凝土主梁，CFRP片材型拉索穿过矮塔，只锚固在混凝土主梁上，而不锚固在塔上。所述CFRP片材型拉索代替了传统的钢斜拉索，充分利用了CFRP材料轻质高强、耐疲劳性好，抗腐蚀能力强的特点，提升了斜拉索的承载利用率，解决了当前钢斜拉索在自然环境下极易锈蚀的问题，将极大提高矮塔斜拉桥的耐久性，降低矮塔斜拉桥的全寿命周期成本，带来可观的经济与社会效益。鉴于CFRP锚固较为困难，所述CFRP片材型拉索穿过矮塔鞍座而不锚固在矮塔上，相当于混凝土主梁的体外预应力，减少了CFRP片材型拉索的锚固次数，亦可提高经济效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109610315A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811605475.8
申请日：2018-12-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: E01D19/12 , E01D19/08 , E01D21/00 , E01D101/28
Abstract: 本发明公开了预制装配桥面板干接缝连接构造及实施方法，属于桥梁工程领域。其包括预制装配式桥面板，顶部预留预应力孔道，顶部预应力筋，顶部锚具，顶部垫片，底部预留预应力孔道，底部预应力筋，底部锚具，底部垫片，止水带。相邻预制装配桥面板顶部和底部通过安装垫片，锚具来张拉顶部预应力筋和底部预应力筋将其连接在一起。此外可以将底部预留预应力孔道，底部预应力筋，底部锚具，底部垫片替换为底部预埋件，底部钢板，螺帽，通过安装螺帽固定底部钢板来降低张拉预应力筋的工作量。本发明设计简单，不需现场浇筑混凝土，安装方便快捷，实现全预制装配桥梁建造，并且具有可修复性，易于置换更新的特点。
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公开(公告)号：CN109235242A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811156758.9
申请日：2018-09-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: E01D19/04
Abstract: 本发明公开了一种速度锁定耗能防落梁支座，该支座包括上支座板、球冠衬板、下支座板、C型阻尼器、连接板、速度锁定装置。速度锁定耗能防落梁支座在球型钢支座的基础上，增加了速度锁定装置和C型阻尼器。速度锁定装置纵向固定与下支座板的两侧；C型阻尼器竖向排列放置，上端与上支座板相连，下端与速度锁定装置的连接板相连。正常使用时，速度锁定装置打开，满足桥梁温度和收缩徐变等正常使用要求；在地震作用下，速度锁定装置关闭，C型阻尼器变形耗能，达到减震的目的，并极限拉伸状态下防落梁。该支座竖向承载力强，传力稳定，耐久性好，能够适应桥梁的温度和收缩徐变，减震和防落梁效果明显，在高烈度区桥梁建造中具有广泛推广使用价值。
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公开(公告)号：CN108103927A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711488434.0
申请日：2017-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: E01D19/02
CPC classification number: E01D19/02
Abstract: 本发明公开了震后功能可恢复的全预制拼装双层框架桥墩结构体系，结构体系由预制承台、预制下层墩柱、预制下层横梁、预制上层墩柱、预制上层横梁、摩擦耗能阻尼器、无粘结预应力筋、钢销栓组成。预制上层墩柱‑预制上层横梁、预制上层墩柱‑预制下层横梁通过无粘结预应力筋连接，辅以摩擦阻尼器，形成自复位摇摆耗能体系。预制下层墩柱‑预制下层横梁、预制下层墩柱‑预制承台分别通过灌浆套筒、承插式进行连接，形成等同现浇体系。较小地震作用下，上层通过自复位摇摆耗能，下层结构处于弹性阶段。上层结构发生摇摆耗能的同时，下层结构产生有限的塑性损伤耗散地震能量。震后上层结构可自复位，下层结构可快速修复，结构体系可快速恢复功能。
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公开(公告)号：CN107761556A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711140859.2
申请日：2017-11-16
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: E01D19/046 , E04B1/36 , E04H9/023
Abstract: 本发明公开了耗能限位变曲率滑动摩擦隔震支座，包括上支座板、下支座板、滑块、滑板、限位挡块和绞线。在正常使用状态下，能够将上部荷载均匀传递到下部结构；在承受车辆荷载和风荷载等可变荷载时，滑块在第一分段曲线构成的凹曲面内滑动以适应上部结构的微小的变位，起到普通支座的作用；本发明控制不同地震烈度下支座的位移，并设计不同位移下支座的刚度和阻尼，对于多性能目标或多水准地震动，这种分阶段设计有利于分别优化给定的抗震设防标准，适用于基于性能的桥梁抗震设计。而且该支座构造较为简单，竖向承载力大，耐久性好，减隔震机理明确，适于对抗震性能要求高的桥梁及建筑结构。
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公开(公告)号：CN103078036B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310017932.2
申请日：2013-01-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/42
Abstract: 基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法，在石墨烯薄层与器件表面之间插入ITO纳米薄层；包括以下步骤：将GaN基LED外延片（208）进行清洗；在p-GaN层（203）上制作第一纳米ITO薄层（202），厚度为7-10nm；退火；将第二石墨烯薄膜层（201）转移到（202）上；在（202）上光刻定义出台阶区域，并且利用台阶上的光刻胶作为掩模，去除（201）和（202），然后进行ICP刻蚀，直至刻蚀到n-GaN为止；光刻定义出透明导电层的图形（201）和（202）；光刻电极图形，制作金属电极；进行超声剥离；GaN基LED所需的后段工艺。本发明降低了石墨烯与半导体材料的接触电阻，并且使整个透明导电层结构保持一个很高的透光率，使整体的透光率和石墨烯薄膜几乎保持一致。
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