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公开(公告)号：CN119421487A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411308343.4
申请日：2024-09-19
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN垂直互补场效应晶体管(VCFET)及反相器，VCFET包括衬底、第一晶体管、第二晶体管和公共的栅电极，第一晶体管和第二晶体管依次垂直堆叠在衬底上；第一晶体管为n型晶体管，第二晶体管为p型晶体管，形成GaN缓冲层、n管GaN沟道层、AlGaN势垒层、p管GaN沟道层和p管GaN掺杂层的整体结构形式；通过公共的栅电极实现同时对n型沟道和p型沟道的控制。在此结构基础上，将p型晶体管的源电极接高电平，n型晶体管的源电极接低电平，将两个晶体管的漏电极连接在一起并同时作为输出端，以栅电极作为输入端，即可实现反相器。该VCFET实现了高效、低功耗的电子传输特性，在保持高性能的同时，具有更小的占地面积，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN119230603A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411335217.8
申请日：2024-09-24
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种隧穿欧姆接触P沟道GaN MOSFET器件结构及其制备方法，该结构从下往上依次包括衬底、成核层、缓冲层、P型沟道层、P型重掺杂层和N型重掺杂层。N型重掺杂层上设有多个竖直孔洞，竖直孔洞贯穿N型重掺杂层；漏电极和源电极之间设置有栅凹槽，栅凹槽内设置栅电极。P型重掺杂层和N型重掺杂层形成隧穿结，使漏电极与P型沟道层、源电极与P型沟道层之间形成欧姆接触。竖直孔洞增强了P型沟道层和P型重掺杂层中的掺杂杂质的激活，提高了P型沟道层和P型重掺杂层中的空穴浓度，从而降低了漏电极与P型沟道层、源电极与P型沟道层之间的欧姆接触，提高了P沟道MOSFET器件的导通电流和其他性能。
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公开(公告)号：CN119210364A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411300518.7
申请日：2024-09-18
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体涉及一种不使用级间匹配的高频高增益两级低噪声放大器。该低噪声放大器包括：隔直电容、输入匹配电路、第一级放大电路、增益平坦度调节电感和第二级放大电路。隔直电容避免了直流信号对射频输入信号的干扰，输入匹配电路实现了功率和噪声的同时匹配，第一级放大电路对射频信号进行第一次放大，第二级放大电路对信号进行第二次放大，两级之间连有增益平坦度调节电感，提高增益平坦度。本发明通过将第一级放大管的漏极(输出)和第二级放大管的栅极共用相同的偏置电压，而不是给第一级的漏极提供单独的电源电压，避免了级间匹配的复杂设计过程，同时避免了变压器的使用，降低了芯片的面积和成本。
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公开(公告)号：CN119208271A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411325859.X
申请日：2024-09-23
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种优化散热的氧化镓器件及制备方法，主要解决现有氧化镓器件在功率电子应用方面存在散热性能差的问题。其器件自下而上包括阴极(1)、氧化镓衬底(2)、氧化镓外延层(3)、阳极金属(4)和钝化层(5)，该氧化镓外延层周围和氧化镓外延衬底上部或氧化镓外延层周围和氧化镓衬底整个周围设有优化散热区(6)，用于结合高热导率的钝化层进一步提高器件表面的散热能力，并释放器件内部的热量。这两种优化散热区的结构可通过在氧化镓外延层表面刻蚀的深度不同得以实现，本发明提高了器件的整体散热性能，避免了器件因为自热效应而导致性能退化，提升了器件的可靠性和使用寿命，可用于大功率电子设备和大功率射频设备。
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公开(公告)号：CN119095478A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411184680.7
申请日：2024-08-27
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H10N97/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体射频芯片背通孔大容量电容结构，所述电容结构自下而上依次包括衬底层和外延层；所述衬底层和外延层中间设有多个贯穿于二者的背通孔，所述背通孔内部设置有背通孔电容结构；所述背通孔电容结构包括右侧电极、介质层、左侧电极和正面金属层；所述右侧电极和左侧电极均是多层结构，二者相互交叉，形成叉指电极；所述介质层填充在相互交叉的右侧电极和左侧电极之间，且电极之间填满介质层，所述右侧电极接位于芯片正面的正面金属层，所述左侧电极接地。本发明提供的背通孔电容结构与芯片制造的背面工艺相兼容，能够有效优化制造流程，提高生产效率，确保器件性能和一致性，同时可以节约芯片面积，提高集成度，降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119050210A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411153433.0
申请日：2024-08-21
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米尺度可见光发光二极管及其制备方法，制备方法包括：在衬底上生长III族氮化物半导体外延层；在III族氮化物半导体外延层上沉积第一刻蚀掩模层；在第一刻蚀掩模层上制备具有周期性排列图案的胶层；在第一刻蚀掩模层上形成图案化的第二刻蚀掩模层；刻蚀第一刻蚀掩模层形成图案化的第一刻蚀掩模层；刻蚀III族氮化物半导体外延层形成图形化的III族氮化物半导体纳米柱阵列模板；在III族氮化物半导体纳米柱阵列模板上生长LED结构，得到纳米尺度可见光发光二极管。该方法使在纳米柱阵列模板上生长的有源区受到的强压应变得到部分弛豫，增加了含In量子限制层中In的并入，实现长波长发光；同时提高辐射复合效率，增加了发光强度。
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公开(公告)号：CN119030480A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411140102.3
申请日：2024-08-20
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 一种双频率双端口高效率F类功率放大器、信号发射机及移动通信基站，功率放大器包括晶体管，晶体管连接RC稳定电路；双频漏极直流偏置电路、f1频率谐波控制电路和f2频率谐波控制电路三者并联后与晶体管串联；RC稳定电路分别连接双频栅极直流偏置电路和双频基波输入匹配电路；信号发射机及移动通信基站包括所述功率放大器；本发明中谐波控制网络对各自频率的谐波按F类功率放大器要求进行控制，达到提升功放效率的目的；可根据测试结果选用不同容值的电容，调试灵活；每一路端口针对另一路信号进行基波抑制，提高了两个输出端口间的隔离度；能在S和C波段范围内任意选取目标频率；具有实现双端口F类功率放大器的同时进行各自目标频率信号的高效率放大输出的特点。
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公开(公告)号：CN119008629A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411073227.9
申请日：2024-08-06
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L27/092 , H01L29/417 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种单片集成GaN CMOS反相器及其制备方法，该反相器包括T型FIN结构p‑FET和HEMT。T型FIN结构p‑FET和HEMT共享缓冲层；缓冲层叠加于衬底之上；T型FIN结构p‑FET和HEMT之间设有的隔离槽深入至缓冲层的上部；T型FIN结构p‑FET的栅电极和HEMT的栅电极通过第一金属互联条连接；T型FIN结构p‑FET的漏电极和HEMT的漏电极通过第二金属互联条连接。通过T型FIN结构p‑FET的源漏沟道设有的多个T型FIN结构可以增强栅级可控性和电流驱动能力，降低器件功耗。通过调节T型FIN结构的FIN宽，可以形成增强型器件，还可以调控阈值电压进而改善反相器的性能。
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公开(公告)号：CN119008625A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411079662.2
申请日：2024-08-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种增强型SiC衬底GaN电力电子器件，包括：衬底和缓冲层，缓冲层包括隔离槽，缓冲层被隔离槽划分为第一区域和第二区域；在第一区域，缓冲层上设置有第一沟道层、第一势垒层、第一钝化层、第一隔离层和有源层，有源层中设置有漂移区、引出区和源区，漂移区中设置有漏区，引出区和源区的上表面设置有第一源极，漏区的上表面设置有第一漏极，二者之间设置第一栅极；在第二区域，缓冲层上依次设置有第二沟道层、第二势垒层、第二钝化层和第二隔离层，第二隔离层上设置有第二源极和第二漏极，二者之间设置有第二栅极；第一漏极与第二源极通过第一金属互联线电连接，第一源极与第二栅极通过第二金属互联线电连接。本发明能够改善器件性能。
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公开(公告)号：CN118759745A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410916144.5
申请日：2024-07-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明提供了一种周期弧形边缘电极的薄膜铌酸锂调制器及其制备方法，周期弧形边缘电极的薄膜铌酸锂调制器内的电极包括矩形结构和凸起结构，凸起结构根据正负电极的不同情况设置在矩形结构两侧或一侧，凸起结构包括第一条形部和第二条形部，其中，第一条形部的第一端连接矩形结构，第二端连接第二条形部的中间位置，第一条形部和第二条形部的边缘呈圆弧形状。本发明通过对凸起结构的边缘进行弧形处理，使得电场更均匀的分布在波导两侧，可以有效减弱微波电流的趋肤效应，可以避免电流的聚集，实现更高的调制效率和调制带宽。本发明在减小欧姆阻抗的同时，减弱了趋肤效应，降低了微波传输损耗。
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