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公开(公告)号：CN118156307A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410152688.9
申请日：2024-02-03
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于隧穿结的P沟道晶体管结构及其制备方法，结构包括衬底、成核层、缓冲层、N型沟道层、势垒层、P型沟道层、P型掺杂层、N型掺杂层、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极；衬底、成核层、缓冲层、N型沟道层、势垒层、P型沟道层、P型掺杂层、N型掺杂层依次层叠，且P型掺杂层和N型掺杂层中开设有栅凹槽；源电极位于N型掺杂层表面且位于栅凹槽的一侧；漏电极位于N型掺杂层表面且位于栅凹槽的另一侧；栅介质层位于栅凹槽的表面和N型掺杂层的表面；栅电极位于栅凹槽中的栅介质层上且位于N型掺杂层上的部分栅介质层上。该结构通过在P型掺杂层上设置N型掺杂层，提高了P型氮化镓沟道晶体管的电流和跨导。
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公开(公告)号：CN117894770A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410075772.5
申请日：2024-01-18
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L23/38 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/205 , H01L29/20 , H01L29/06 , H01L23/31 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种电卡制冷增强散热的氮化镓器件，主要解决目前GaN材料由于导热系数低，器件在大功率下散热困难，自热现象严重的问题。自下而上包括热沉层、传热界面层、电卡制冷层、衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层(1，2，3，4，5，6，7，8)和金属电极，钝化层包裹在金属电极的外围；电卡制冷层的上下表面分别设有上下金属电极层(31，32)，上、下金属电极层的表面至钝化层上表面的一侧分别设有上电极连接通孔(10)和下电极连接通孔(11)，通孔内均填充有绝缘材料和金属互联材料(12，13)。本发明减小了器件热阻，增加了器件衬底到热沉的热传递，提高了器件散热性能，可用作微波功率器件和电力电子器件。
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公开(公告)号：CN117153867A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311022048.8
申请日：2023-08-14
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/205 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种垂直FinFET结构的晶体管及其制备方法，晶体管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、漏极接触层；设置于漏极接触层之上的漂移层；设置于鳍部之上的沟道层；设置于沟道层之上的源极接触层；设置于漂移基底层之上的第一势垒层和第二势垒层；设置于漂移基底层之上的两个栅电极；设置于第一势垒层、源极接触层和第二势垒层之上的源电极；设置于漏极接触层上表面的两端的两个漏电极。本发明可以利用异质结结构的自发极化和压电极化特性在界面附近形成高迁移率的二维电子气导电沟道，由此可以显著提高载流子迁移率和导电性。
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公开(公告)号：CN115312378A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211024320.1
申请日：2022-08-24
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/45 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，该方法包括：在氮化镓HEMT晶圆上淀积不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明欧姆金属与氮化镓HEMT晶圆表面的三族氮化物材料反应，三族氮化物材料中的氮缺失，产生大量氮空位，形成N型重掺杂；用酸洗的方法去除退火后的不透明欧姆金属；淀积透明欧姆接触材料，与具有大量氮空位、形成N型重掺杂的三族氮化物形成良好的欧姆接触。常规氮化镓HEMT制备方法中通过高温退火使金属电极与异质结形成欧姆接触，但是金属电极不透明；而采用透明材料作为电极时，通过高温退火无法与氮化镓HEMT结构形成良好的欧姆接触。本发明可解决该问题，且工艺简单、易于实现，性能良好，效果突出。
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公开(公告)号：CN119967857A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510111003.0
申请日：2025-01-23
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于分区掺杂的高性能p型二维晶体管及其制备方法，主要解决现有技术难以实现高性能p型二维晶体管的问题。方案包括：绝缘衬底，二维材料沟道层，位于沟道层两端上的二维材料源漏极接触部分以及分别位于两者之上的源漏电极，位于二维材料沟道层与源漏电极上的栅介质层，位于栅介质上的栅电极；通过单独制备二维晶体管中二维材料的p型重掺杂的源漏接触部分，以及二维材料的轻掺杂/不掺杂的沟道层，然后将两部分对准层压，实现二维晶体管的p型分区掺杂，同时实现了厚度控制。本发明能够在保持二维晶体管栅控能力的情况下，有效提升器件导电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119653816A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411684686.0
申请日：2024-11-22
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种P型氧化镓水平二极管器件结构及制备方法，主要解决现有同类器件电流小及耐压能力差的问题。其器件结构包括氧化镓绝缘衬底(1)、氧化镓P型层(2)、阴极金属(3)和阳极金属(4)。其中氧化镍P型层通过在氧化镓绝缘衬底表面进行离子注入和退火激活工艺实现，相较于现有淀积异质材料的工艺，该注入工艺没有界面缺陷，能够提高器件的耐压能力。作为该器件结构的延伸性能提升还可通过在氧化镓P型层和阴极之间增加氧化镍层(5)提高器件的导电性能，或在阳极金属上增设场板结构(6)以进一步提高器件的耐压能力。本发明具有导电性能好和耐压能力强的优点，可用于高压电网、电流逆变器、数据中心功率这些高压大功率电路。
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公开(公告)号：CN119630080A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411811733.3
申请日：2024-12-10
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱响应的光电突触晶体管及其制作方法，主要解决现有光电突触晶体管的电导和响应率难以同时线性调控及光响应波段窄的问题。其自下而上包括:衬底层、紫外光通道层、源极和漏极、可见光通道层、栅极，该可见光通道层的上部设有铁电介质层，用于改变极化状态实现对可见光通道层的掺杂状态改变，使器件具有多个工作状态；该栅极平行位于铁电介质层之上，以实现对铁电介质层的极化状态的调控；该源、漏极位于紫外光通道层与可见光通道层之间。当可见光照射到可见光通道层或紫外光照射到紫外光通道层将对光信号产生响应并传输光电流。本发明能拓宽光电突触晶体管光响应波段，实现对器件电导与响应率的线性调控，可用于光电探测器和神经计算器。
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公开(公告)号：CN119480471A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411698721.4
申请日：2024-11-26
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN为电极材料的耐高温超级电容器的制备方法，主要解决现有技术电极制备流程复杂的问题。其实现方案是：在目标基底上进行光刻，得到图案化的光刻胶‑目标基底结构，并在其上沉积一层金属集流体；对集流体/光刻胶‑目标基底的样品进行光刻胶的剥离处理并进行二次光刻，形成光刻胶‑集流体‑目标基底结构，再对其进行ICP刻蚀，将目标基底图案化，得到所需的正负极区域；对图案化的光刻胶‑集流体‑目标基底样品进行光刻胶剥离并行退火，得到图案化的集流体‑目标基底的样品，再用一层聚二甲基硅氧烷膜对其进行封装，完成微型超级电容器的制备。本发明降低了电极制备的复杂程度和成本，提高生产效率，能实现大规模生产，可用于高温环境下的电子设备。
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公开(公告)号：CN118969752A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411061586.2
申请日：2024-08-05
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/34 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/34 , F25B23/00
Abstract: 本发明公开了一种采用辐射制冷的氧化镓器件散热结构及其制备方法，主要解决现有氧化镓器件因其氧化镓本身导热率低，而造成器件自热效应严重、工作稳定性差和可靠性低的问题。其技术关键是：通过辐射制冷技术提高器件散热性能，即在氧化镓场效应晶体管的表面设置由多个上下复合的SiO2/Si3N4圆柱状结构组成的辐射制冷层，并在其衬底部位或者辐射制冷层下方增加银反射层，通过将热量辐射至器件外部对器件的散热性能进行改善。对于垂直氧化镓肖特基二极管，是在其Si3N4钝化层上直接生长不与金属电极接触的银反射层，再在银反射层上制备与其形状相同的辐射制冷层。本发明能有效缓解器件的自热效应，提高器件的散热性能，可用作微波功率器件和电力电子器件。
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公开(公告)号：CN118969751A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411061585.8
申请日：2024-08-05
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/34 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种辐射制冷增强散热的氮化镓器件，主要解决现有GaN器件在大功率条件下，由于氮化镓材料导热率较低而导致的器件散热能力差，器件自热效应明显的问题。其自下而上包括:衬底层(2)、成核层(3)、缓冲层(4)、沟道层(5)、势垒层(6)和金属电极，金属电极的外围包裹有钝化层(7)，其中，该钝化层上表面的金属电极之间设有多个圆柱状上下复合材料SiO2/Si3N4结构的辐射制冷层(8)；该衬底层的下表面设有银反射层(1)。本发明能减小了器件热阻，可将器件内部产生的热量通过辐射的方式快速散出，同时避免由于对氮化镓材料的损伤带来的电学性能损失，提高热量的反射效率和器件的散热性能，可用作微波功率器件和电力电子器件。
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