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公开(公告)号：CN115312378A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211024320.1
申请日：2022-08-24
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/45 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，该方法包括：在氮化镓HEMT晶圆上淀积不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明欧姆金属与氮化镓HEMT晶圆表面的三族氮化物材料反应，三族氮化物材料中的氮缺失，产生大量氮空位，形成N型重掺杂；用酸洗的方法去除退火后的不透明欧姆金属；淀积透明欧姆接触材料，与具有大量氮空位、形成N型重掺杂的三族氮化物形成良好的欧姆接触。常规氮化镓HEMT制备方法中通过高温退火使金属电极与异质结形成欧姆接触，但是金属电极不透明；而采用透明材料作为电极时，通过高温退火无法与氮化镓HEMT结构形成良好的欧姆接触。本发明可解决该问题，且工艺简单、易于实现，性能良好，效果突出。
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公开(公告)号：CN115188841A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210716571.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种GaN HEMT结构太赫兹探测器及制备方法，太赫兹探测器包括：衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层、栅电极、源电极、漏电极、钝化层和微透镜，其中，衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层依次层叠；栅电极、源电极、漏电极均位于势垒层上，且栅电极位于源电极和漏电极之间；钝化层位于势垒层、栅电极、源电极和漏电极上；微透镜位于钝化层上，且微透镜的表面呈凸起状以聚焦入射太赫兹波。该太赫兹探测器中设置表面呈凸起状的微透镜以聚焦入射太赫兹波，可以减小GaN HEMT结构太赫兹探测器对太赫兹波的接受面积，提高接受太赫兹波的效率，提高太赫兹探测器的响应度等各项指标，整体上提高该太赫兹探测器的探测信号的性能。
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公开(公告)号：CN115032169A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210426643.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G01N21/3581 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓基太赫兹探测器阵列单元、探测器及制备方法，阵列单元包括：太赫兹天线、检波单元和功率放大器。检波单元包括至少一个第一晶体管，功率放大器包括至少一个第二晶体管，至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管均采用氮化镓基高电子迁移率晶体管且集成在同一预制片上；太赫兹天线与至少一个所述第一晶体管中的检波单元输入端连接，至少一个所述第一晶体管中的检波单元输出端与至少一个所述第二晶体管中的功率放大器输入端连接。该阵列单元检波单元的晶体管与功率放大器的晶体管集成于同一衬底上，能够有效提高探测器像元一致性与集成度，减少封装和工艺加工成本，提高整个探测器阵列单元的高温工作能力。
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公开(公告)号：CN115020490A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210721823.8
申请日：2022-06-24
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有非极性沟道的增强型GaN基HEMT器件结构及其制备方法，该结构自下而上依次包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层以及位于势垒层上的源电极、栅电极和漏电极；其中，沟道层和势垒层具有一台阶，台阶上表面为三族氮化物半导体的极型面，台阶侧面为三族氮化物半导体的非极型面。源电极和漏电极设在台阶上表面，栅电极覆盖台阶侧面。在台阶侧面附近、沟道层和势垒层的界面处，由于三族氮化物半导体非极型面的极化系数很弱，栅电极不加偏压的时候无二维电子气产生，从而得到增强型GaN基HEMT器件。
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公开(公告)号：CN114975624A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210767532.2
申请日：2022-07-01
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种高线性度GaN基HEMT器件结构及其制备方法，该结构从下往上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层，势垒层上方设有漏电极、栅电极，漏电极与栅电极之间的势垒层上方为第一钝化层；势垒层和沟道层的一端部设置有凹槽，凹槽中设置有源电极，源电极与栅电极之间的势垒层上方为第二钝化层，漏电极与二维电子气形成欧姆接触；源电极与二维电子气形成肖特基接触，使源电阻RS随沟道电流的增大而减小，从而提高了GaN基HEMT的跨导平坦度和线性度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113964181B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202111046028.5
申请日：2021-09-07
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种PN结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括衬底层、外延层、欧姆电极、阳极和阴极，其中，外延层位于衬底层上，外延层包括缓冲层、接触层、漂移层和再生长势垒层，缓冲层、接触层、漂移层依次层叠，再生长势垒层设置在漂移层的侧面和部分上表面，再生长势垒层与漂移层之间形成PN结；欧姆电极位于再生长势垒层上；阳极位于漂移层和再生长势垒层上，且覆盖欧姆电极；阴极位于接触层上。该肖特基二极管中再生长势垒层与漂移层之间形成PN结，可以耗尽N型材料中的侧壁电子，起到调制电场的作用，降低了肖特基金属淀积边缘电场强度，提高击穿电压和反向击穿电压，且对正向特性影响较小，具有较高正向电流。
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公开(公告)号：CN119789451A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411661696.2
申请日：2024-11-20
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种选择性激活p‑GaN栅HEMT器件制造方法，涉及半导体器件技术领域，所述方法包括S1、选取外延片，所述外延片包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层，所述沟道层与势垒层的异质结界面形成二维电子气，作为导电沟道；S2、在所述外延片上淀积厚度为50nm‑140nm的p‑GaN层，Mg掺杂浓度为5×1017‑5×1020cm‑3，Mg杂质无激活；S3、在步骤S2所得的p‑GaN层的部分区域淀积n‑GaN层作为阻挡层以抑制部分p‑GaN层的激活；该选择性激活p‑GaN栅HEMT器件制造方法，显著提高了制造效率，降低了成本，能够有效减少常规增强型GaN HEMT器件制造过程中刻蚀损伤对二维电子气密度和器件动态特性的影响，有利于提高器件的截止频率、减小器件的动态导通电阻和寄生电容，增强器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119030488A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411108220.6
申请日：2024-08-13
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H03H9/02 , H03H3/10 , H10N30/074 , H10N30/082
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝滤波器和氮化镓功放集成器件及其制备方法，器件包括衬底，外延层和换能器；衬底上设置氮化镓沟道层，沟道层由相互隔离的第一沟道层和第二沟道层组成；第一沟道层上依次堆叠掩埋氧化层和氮化铝压电层组成第一外延层，第一外延层与衬底构成氮化铝滤波器；第二沟道层上堆叠势垒层组成第二外延层，第二外延层与衬底构成氮化镓功放；换能器设置于第一外延层；第二外延层上设置源电极、漏电极和栅电极。本发明将氮化铝滤波器和氮化镓功放键合在一个芯片上简化工艺，以减小制作成本，同时还可以减小芯片面积与能量损耗，并且掩埋氧化层可以作为温度补偿层，抑制压电材料的扩张或者收缩。
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公开(公告)号：CN118969859A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411043247.1
申请日：2024-07-31
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/93 , H01L21/329 , H01L29/417 , H01L29/06
Abstract: 一种横向氮化镓基变容器结构及其制备方法，自下而上依次包括衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层和钝化层，在势垒层和沟道层上设置有若干个凹槽，凹槽底端穿透势垒层至沟道层中上部，凹槽内设置有阴电极，其余凹槽内设置阳电极，设置阳电极的凹槽中靠近阳电极一侧设置有P型注入区；制备方法为：先清洗衬底层并在衬底层上依次生长复合缓冲层、复合沟道层和势垒层，再在部分势垒至部分沟道层形成多个P型区，然后再利用刻蚀技术刻蚀势垒层至沟道层中上部形成多个凹槽，在凹槽中分别生长阴电极和阳电极，最后淀积钝化层；本发明在横向氮化镓基异质结结构上实现了多个变容二极管并联，具有变容范围大、并且与氮化镓基射频器件工艺兼容的特点。
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公开(公告)号：CN118969832A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411037730.9
申请日：2024-07-31
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 一种新型高线性度纳米线沟道器件及其制备方法，结构包括由下至上依次层叠设置的衬底层、GaN缓冲层和AlGaN/AlN势垒层，AlGaN/AlN势垒层两端分别沉积源、漏电极，势垒层上近源电极一侧沉积梭形栅极，势垒层上设置若干纳米线沟道，源接入区形成n型重掺杂，梭形栅极两侧沉积侧墙；方法包括依次层叠的衬底层、缓冲层和势垒层；势垒层上两端分别制备源、漏电极；器件表面沉积Si3N4掩膜层；源漏之间形成若干间隔排列的条状掩膜层；光刻后显影出梭形栅的轮廓；去掉栅区域的掩膜层，露出间隔排列的凹槽，形成Fin‑HEMT结构；间隔排列的凹槽上制备梭形栅极；去掉器件表面的掩膜层；梭形栅极边缘形成侧墙，源接入区进行离子注入形成n型重掺杂；本发明具有高线性度、工艺简单的优点。
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