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公开(公告)号：CN101135776A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710153957.X
申请日：2007-09-13
Applicant: 苏州苏大维格数码光学有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种衍射变色激光打标方法及其装置，采用大功率半导体泵浦固体激光器作为光源，激光束满足干涉要求，由分束元件产生分束光，通过光学透镜组将光点会聚到材料表面，形成均匀干涉条纹光场，在材料表面位置激光功率密度超过材料损伤阈值，以形成干涉条纹刻蚀，通过扫描控制，实现衍射光变色图形的打标。所述的装置，采用由光源、光束整形器和干涉光学系统构成的干涉型光学头，形成的干涉条纹光场位于放置在所述运动平台的待打标材料表面。本发明可以避免陨石坑效应，提高图像的分辨率；获得衍射变色的激光打标图样。
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公开(公告)号：CN1821883A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610037797.8
申请日：2006-01-12
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格数码光学有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种对光滑表面进行光刻蚀的方法，采用大功率激光器作为光源，将激光束准直成平行光，经过光阑及透镜后，由分束元件产生分束光束，再会聚到材料表面，形成均匀干涉条纹光场，在光滑表面材料上进行超过材料损伤阈值的光蚀实现图像制作，其特征在于：所述光源采用紫外光输出的大功率二极管泵浦的固态激光器的三倍频或四倍频，所述光阑为可调矩形光阑，在同一位置进行单次脉冲加工，控制激光器的功率，使得在干涉条纹的光强相长处材料发生气化，在材料表面形成条纹结构。并以此制作方法实现微米级条纹高速激光光蚀系统，从而使得激光微米级光栅图像的加工进入真正意义上的工业化应用阶段，是一种微米级结构的先进制造技术。
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公开(公告)号：CN1786823A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510095777.1
申请日：2005-11-17
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格数码光学有限公司
Abstract: 本发明公开了一种消色差光变图像的制作方法，构建定向散斑生成器，以不同取向的狭缝光阑作为目标物光场，采用迭代傅里叶变换算法计算得到的具有定向衍射特性的二元位相结构，作为光变图像的微结构；根据所需生成的光变图像，用上述定向散斑生成器进行数字化表达，获得光变图像的散斑位相结构；通过空间光调制器，用激光成像系统进行激光直写，获得所需的消色差光变图像。本发明不需要利用干涉等方法来获取散斑，可以利用激光成像系统直写出散斑结构的光变图像，分辨率高，实现了消色差的精密光变图像设计与制作；同时，其适合于热压复制工艺，为制造消色差微光变图像提供了一种新方法。
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公开(公告)号：CN111446041B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201910045074.X
申请日：2019-01-17
Applicant: 苏州维业达科技有限公司 , 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开一种导电膜的制作方法，该导电膜包括基材、结构层和导电层，该方法包括：在结构层形成深度相同的多个凹槽；以及在多个凹槽内形成具有第一图形的第一导电层；在多个凹槽内形成具有第二图形的绝缘层；在绝缘层上形成具有第三图形的第二导电层；其中，第一图形与第三图形不相同，第三图形至少与第二图形的部分图形相同。本发明还公开一种导电膜，采用上述方法制作。通过将多个图形不相同的导电层在同一多个凹槽中制作，使各导电层的对位精度高，从而保证导电膜的使用效果。
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公开(公告)号：CN112133472B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201910549041.9
申请日：2019-06-24
Applicant: 苏州维业达科技有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开一种透明导电膜，包括光胶层、基膜和光学胶层，所述光胶层设置在所述光学胶层的表面，所述基膜设置在所述光学胶层远离所述光胶层的另一侧表面，所述光胶层远离所述光学胶层的表面开设有凹槽，凹槽内设有导电层。本发明还公开一种透明导电膜的制作方法，用于制作上述透明导电膜。通过光学胶层，极大地方便了透明导电膜的贴合，有效地解决了现有透明导电膜在贴合时，贴合效果较差、贴合难度大的问题；同时通过制作凹槽并在凹槽内填充导电材料形成导电层，保证透明导电膜柔性的同时，极高的改善了透明导电膜的电导率、透过率和抗弯折性能，并降低了其厚度和加工工艺难度，降低了成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112037967B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201910478718.4
申请日：2019-06-03
Applicant: 苏州维业达触控科技有限公司 , 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开一种导电膜模具的制作方法，包括：S1：提供一玻璃基板；S2：处理玻璃基板一侧的表面，形成粗糙表面；S3：在粗糙表面涂布一光刻胶层；S4：在光刻胶层上制作出具有导电膜的导电层图案且底部表面粗糙的凹槽；S5：提供一基材，将底部表面粗糙的凹槽转移到基材上，获得具有凸起的导电膜模具，凸起与凹槽对应且凸起的顶部表面粗糙。本发明还公开一种导电膜模具，包括基层、设置在基层上具有导电膜的导电层图案的凸起，凸起的顶部表面粗糙。本发明还公开一种导电膜，包括基层和导电层，基层设有底部表面粗糙的凹槽，导电层嵌入凹槽内。通过具有粗糙表面的凸起，使制作的导电膜具有粗糙槽底的凹槽，从而增加了填充在凹槽内的导电材料的粘附力。
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公开(公告)号：CN112117120A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910533952.2
申请日：2019-06-19
Applicant: 苏州维业达触控科技有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开一种无线充电线圈的制作方法，该方法包括：提供一基板；在所述基板上涂布一层UV光胶，形成第一UV光胶层；在所述第一UV光胶层上生成第一螺旋凹槽；在所述第一螺旋凹槽内填充导电材料，形成第一导电电路。本发明还公开一种无线充电线圈组的制作方法，用于制作多个无线充电线圈。本发明还公开了一种无线充电线圈组，采用上述无线充电线圈的制作方法制作。本发明还公开了一种无线充电线圈组，采用上述无线充电线圈组的制作方法制作。通过采用填充的方式将导电材料填充在UV光胶层上螺旋凹槽内形成导电电路，相对于现有电镀方式形成的导电线路，本发明使无线充电线圈在制作过程中无污染物的产生，更加环保。
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公开(公告)号：CN106371218B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201610970307.3
申请日：2016-10-28
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G02B27/22
Abstract: 本发明公开了一种头戴式三维显示装置，包括图像生成装置，和对应眼睛的可视镜片，所述可视镜片上设有至少一层设置有具有会聚成像功能的纳米结构功能薄膜，从而使得可视镜片成为具有光场变换功能的指向性功能镜片，所述指向性功能镜片上的纳米结构与图像生成装置输出的图像匹配，在人眼前方投射出会聚波面，形成虚拟景象；或该会聚波面与现实景象形成的波面叠加，得到真实世界信息和虚拟世界信息的融合。本发明在眼球前方的空间中会聚视角图像，形成虚拟景象，其和现实景物在人眼中成像的原理一致，因此长时间观看的视觉疲劳度比传统的三维显示技术大大降低。
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公开(公告)号：CN108728790A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710263831.1
申请日：2017-04-21
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州维业达触控科技有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，包括步骤：选取导电基板；在导电基板的表面涂布一层光刻胶；使光刻胶光刻出与金属掩膜板的蒸镀孔相对应的光刻胶图形，但光刻出的光刻胶图形的尺寸大于金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸；在带有光刻胶图形的导电基板上进行电铸过生长，使金属材料的生长厚度大于光刻胶图形的厚度，金属材料同时将光刻胶图形的四周边缘覆盖，直至光刻胶图形未被金属材料覆盖的开口区域的尺寸与金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸一致；去除导电基板上残留的光刻胶。上述金属掩膜板的制造方法只需要一次图形光刻和电铸工艺便可加工成型，工艺简单，成本低廉，而且是通过在带有光刻胶图形的导电基板上电铸过生长出金属掩膜板，因此精度更高。
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