公开(公告)号：CN1447193A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03108247.5

申请日：2003-03-21

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 大和田拓央 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  中别府健一 ,  笠间佳子

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H05K3/06

CPC classification number: H01L21/02063 ,  G03F7/423

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物，其在半导体电路元件的制造过程中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良，且可以不腐蚀配线材料和不对阻挡层金属、层间绝缘膜材料产生损伤地进行光致抗蚀剂残渣的除去。该光致抗蚀剂残渣除去液组合物含有：一种或两种以上氟化合物、和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，但是该组合物不包括氟化铵、极性有机溶剂、水和抗坏血酸所组成的组合物。

公开(公告)号：CN1575057A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410055016.9

申请日：2004-05-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 横山诚一 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/26 ,  H05B33/22 ,  H05B33/12 ,  G09F9/35 ,  H01L23/48

CPC classification number: G02F1/13439 ,  G02F1/133553 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5243 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5265 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供一种制造叠层结构的方法，其能够通过防止侧面蚀刻构图成所需形状。将由ITO等制成的粘接层、由银或含银合金制成的反射层、由ITO等制成的阻挡层依次层叠在基材上，其间具有作为基底层的平面化层，之后，在阻挡层上形成掩模，并利用该掩模同时蚀刻粘接层、反射层和阻挡层，以形成叠层结构。作为蚀刻气体的实例，优选包含甲烷(CH4)的气体。该叠层结构用作阳极，并在叠层结构上依次层叠绝缘膜、包括发光层的有机层和作为阴极的公共电极，以便形成有机发光器件。该叠层结构可以用作液晶显示器的反射电极、反射膜或配线。

公开(公告)号：CN100405633C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200410055016.9

申请日：2004-05-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 横山诚一 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  G09F9/35 ,  H01L23/48

CPC classification number: G02F1/13439 ,  G02F1/133553 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5243 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5265 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供一种制造叠层结构的方法，其能够通过防止侧面蚀刻构图成所需形状。将由ITO等制成的粘接层、由银或含银合金制成的反射层、由ITO等制成的阻挡层依次层叠在基材上，其间具有作为基底层的平面化层，之后，在阻挡层上形成掩模，并利用该掩模同时蚀刻粘接层、反射层和阻挡层，以形成叠层结构。作为蚀刻气体的实例，优选包含甲烷(CH4)的气体。该叠层结构用作阳极，并在叠层结构上依次层叠绝缘膜、包括发光层的有机层和作为阴极的公共电极，以便形成有机发光器件。该叠层结构可以用作液晶显示器的反射电极、反射膜或配线。