-
公开(公告)号:CN109354491A
公开(公告)日:2019-02-19
申请号:CN201811093469.9
申请日:2018-09-19
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 一种高耐压温度稳定型介质材料、陶瓷电容器及其制备方法。通过固相法合成ZnNb2O6、Ba(Zn1/3,Nb2/3)O3,烧制ZBS玻璃;以100重量份的BaTiO3,添加3~8重量份的ZnNb2O6;10~20重量份的Ba(Zn1/3,Nb2/3)O3;0.1~0.3重量份的MnCO3;0.1~0.4重量份的Re2O3;1~3重量份的ZBS玻璃。通过球磨分散、烘干破碎最终形成介质材料。本发明提供的介质材料,介电常数为450±50,损耗角正切值为DF≤20×10-4,工作温度区间为-55℃~125℃,电容温度系数为-200ppm/K~200ppm/K,且具有极高的击穿强度(≥60V/μm)。利用本发明提供的介质材料可制备工作温度范围为-55℃~125℃的脉冲储能电容器。
-
公开(公告)号:CN106045498A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610377010.6
申请日:2016-05-31
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3249 , C04B2235/3267 , C04B2235/3275 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/6582 , C04B2235/96
Abstract: 一种BME瓷介电容器陶瓷材料,由BaTiO3、CaZrO3、稀土氧化物、Er2O3、MnO2、BaCO3、Co2O3、ZnB2O4及Li2SiO3按一定比例进行配比后,经球磨、烘干、造粒、压制圆片生坯、排有机物、烧结等工艺制备而成,所述稀土氧化物采用Yb2O3、Ho2O3、Dy2O3、Sm2O3、Y2O3中的一种或几种。本发明可在还原气氛下烧结出性能优异的X7R型MLCC材料,制备工艺简便,配方设计简单可调、烧结工艺易控制,适用于大规模生产,且材料的均匀性好,具有高的介电常数、低的介质损耗、以及良好的高温绝缘电阻及绝缘强度,能有效降低MLCC生产成本,扩大其应用范围。
-
公开(公告)号:CN105060877A
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201510568485.9
申请日:2015-09-09
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/46 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供一种高介电常数AG特性介电陶瓷材料及其制备方法。该种高介电常数AG特性介电陶瓷材料,其原料组分为:wBaO·xNd2O3·yTiO2·zBi2O3化合物、Li1/2Re1/2O3、BaB2O4、ZnO;其制作方法为以wBaO·xNd2O3·yTiO2·zBi2O3为主基料,Li1/2Re1/2O3、ZnO、BaB2O4为添加料,通过水为分散介质,球磨、烘干、粉碎并造粒、并将造粒后的粉料压制成圆片生坯,然后在空气气氛中升温至1100~1200℃,保温烧结2-4h,即制得高介电常数AG特性介电陶瓷材料。上述所制得的介电陶瓷材料不含Pb等有害金属,介电常数高达90以上,具有AG特性(90±20ppm/K),超低介电损耗,高温度稳定性,可用于制造高频、热稳定性优良的独石电容器。
-
公开(公告)号:CN103922714B
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201410100213.1
申请日:2014-03-18
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于多层陶瓷电容器材料技术领域,特别涉及一种用于温度稳定型多层陶瓷电容器的瓷料及其制备方法。该种低介电常数多层电容器瓷料,其原料组分及百分比含量为:[(xCaCO3-ySiO2)+awt%Al2O3+bwt%TiO2+cwt%RE2O3],其中:x=0.8-1.1,y=0.9-1.0,为(xCaCO3-ySiO2)的摩尔百分比含量,a=0-0.035,b=0.01-0.025,c=0-0.0025,a,b,c均是在(xCaCO3-ySiO2)基础上,外加原料的质量百分比含量,RE为La,Ce或者Nd;采用该种瓷料制成的电容器制作成本低,具有低介电常数,低的介电损耗、高温度稳定性且可调,适合更高频率的应用。
-
公开(公告)号:CN104609852A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201510004578.9
申请日:2015-01-06
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 一种线性高压低损耗电容器陶瓷材料,由以下重量份的原料组分制备而成:100份的BaTiO3、5~18份的ZnNb2O6、1.5~6份的Re2O3、0.05~0.25份的MnCO3及0.5~3份的BaB2O4,其中Re2O3为稀土氧化物的一种或几种的组合。通过球磨、干燥、破碎、造粒,并将造粒后的粉料压制成圆片生坯,然后中温烧结1~4h制得。本发明的电容器陶瓷材料无铅、具有线性容温变化率、高耐压强度、低介质损耗,电容器性能符合美国EIA标准,满足X7P性能,可用于制造交流电容器、温度补偿电容器、脉冲功率电容器等性能优良的独石电容器,环保且具有重大的实用价值、科技价值及市场价值。
-
公开(公告)号:CN103936414A
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201410135753.3
申请日:2014-04-04
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法,本发明以钛酸钡、钛酸铋钠和五氧化二铌共融化合物为基体,外加钙硼硅化合物,Ce、Nd、La的氧化物中的一种或多种复合,钡锰氧化物,氧化镁、氧化锌一种或多种复合;并提供了本发明提供了制备高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料的方法,根据本发明提供的材料及方法所制得的X9R型多层陶瓷电容器介质材料具有耐高温(200℃以上),良好的温度稳定性,可使多层陶瓷电容器、调谐器、双工器、等元器件适合高温(200℃以上)的应用,有极高的产业化前景及工业应用价值。
-
公开(公告)号:CN119320272A
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN202411435494.6
申请日:2024-10-15
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/626 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 一种BME高容多层瓷介电容器及其用无稀土介电瓷粉、制备方法,其中,介电瓷粉,由钛酸钡、镁的氧化物或碳酸盐、锰的氧化物或碳酸盐、钙的碳酸盐或草酸盐、锶的碳酸盐或草酸盐、五氧化二钒、二氧化硅、氧化锆按比例组成,本发明限定的介电瓷粉不含稀土成分,原材料成本较低;以往大多数高K值的配方都用到稀土作为重要辅助成分掺入,一方面是有助于氧空位的捕获,以此来增加MLCC寿命;另一方面,稀土元素有助于调节MLCC的容温变化曲线;在本发明中辅助成分使用合适比例的钙元素、锰元素和锶元素结合来捕获可移动的氧空位,提升介电瓷粉所制成MLCC的绝缘电阻和寿命;同时使用钒元素调节MLCC的容温变化曲线,使其满足X5R特性。
-
公开(公告)号:CN119252660A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202411513933.0
申请日:2024-10-29
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
Abstract: 一种多芯组脉冲电容器及其制备方法,多芯组脉冲电容器包括框架、多个电容器本体和保护外壳,所述框架包括第一框架、第二框架和多个焊盘组件;第一框架包括第一引出端和间隔设置在第一引出端上的多个第一相接杆;第二框架包括与第一引出端相对的第二引出端、间隔设置在第二引出端上的多个第二相接杆,多个第一相接杆与多个第二相接杆间隔交替设置;多个焊接盘组件设置在相邻第一相接杆与第二相接杆之间,本申请通过限定多芯组脉冲电容器的结构,使用若干大尺寸电容芯片和框架进行产品组合焊接后再进行模压,且模压后继续加装保护外壳,作为结构加强件,有效提高了产品的机械性能,具有极强的抗震性及环境适应性能。
-
公开(公告)号:CN114927346B
公开(公告)日:2024-11-26
申请号:CN202210537378.X
申请日:2022-05-17
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种模压Y型电容器及其制备方法,包括焊接框架、第一芯片模块、第二芯片模块、焊盘和外壳,焊接框架包括间隔布置的第一支架、第二支架和第三支架,第一、第二芯片模块均包括多个陶瓷芯片,第一芯片模块的陶瓷芯片的两导电端分别焊接在第一支架和第二支架上,第二芯片模块的陶瓷芯片的两导电端分别焊接在第一支架和第三支架上,焊盘包括与第一支架连接的两第一引出端、以及分别与第二、第三支架连接的两第二引出端,外壳由对已焊接陶瓷芯片的焊接框架进行模压形成,焊盘伸出外壳。本发明能够实现抑制共模干扰的作用,且可靠性高,机械性能强,抗震性强,能够满足批量生产需求。
-
公开(公告)号:CN118866554A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202411060458.6
申请日:2024-08-05
Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司
Abstract: 一种双L型引脚陶瓷电容器及其制备方法,双L型引脚陶瓷电容器包括相对设置的两支架、设置在两支架之间的一个或多个陶瓷芯片和分别设置在一个或多个陶瓷芯片端部与相对支架之间的两第一焊料层,支架包括呈对称设置的两框架和设置在两框架之间的第二焊料层,框架包括框架本体、间隔设置在框架本体底部的多个L型引脚、设置在相邻两L型引脚之间的多个支撑板和设置在框架本体上均匀排布的多个排气孔;本申请通过限定陶瓷电容器的结构,由对称设置的两框架经焊料相互焊接作为支架,使得制备的支架与PCB板的焊接面积增加了一倍,提高了制备的陶瓷电容器的焊接强度,使得陶瓷电容器与PCB板的结合强度度更好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-