公开(公告)号：CN110398677A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910327061.1

申请日：2019-04-23

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 大石英一郎 ,  森本充晃

IPC: G01R31/26 ,  G01K7/22

Abstract: 本发明提供能够适宜地对半导体元件的散热路径的异常进行检测的异常检测装置以及电源装置。异常检测装置(50)具备：第1温度检测部(54)、消耗功率计算部(56a)、第2温度检测部(55)以及异常判断部(56b)。第1温度检测部检测安装在基板(23)的安装面(23c)并由于通电而发热的FET(Q1)的检测温度T1。消耗功率计算部求得FET的消耗功率。第2温度检测部检测在基板的安装面侧的相反侧设置且将FET产生的热量释放的散热部(40)的检测温度T2。控制部(56)基于根据利用第1温度检测部检测出的温度T1、利用第2温度检测部检测出的温度T2以及利用根据消耗功率计算部求出的消耗功率确定的热阻来判断FET和散热部之间的散热路径P的异常。

公开(公告)号：CN104885364A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380068250.2

申请日：2013-11-28

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 森本充晃 ,  大石英一郎

IPC: H03K17/16 ,  H03K17/695

CPC classification number: H01H47/325 ,  H01H50/16 ,  H03K17/165

Abstract: 在实施方式所涉及的继电器控制装置(1)中，来自设在继电器(5)中的继电器线圈(5b)的再生电流经过与继电器线圈(5b)的低压侧连接的线圈能量吸收电路(7)流向地线。而且，与线圈能量吸收电路(7)的线圈浪涌吸收用电阻(Rsup)相比在接地侧连接有作为并联电阻的电流检测电阻(Rsens)，用电流检测电路(13)将电流检测电阻(Rsens)的电位(Vsens)与基准电位(Vref)比较。并且，基于电流检测电路(13)的比较结果，在流过继电器线圈(5b)的电流(Icoil)成为最低驱动电流(Iset)以下之前，结束PWM控制的断开占空比期间。