公开(公告)号：CN110890427B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201910848429.9

申请日：2019-09-09

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 任敏 ,  骆俊毅 ,  谭键文 ,  李泽宏 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H03K19/00 ,  H03K19/003 ,  H03K19/094

Abstract: 本发明提供一种可调电容的屏蔽栅MOSFET器件，包括第一导电类型重掺杂半导体衬底、金属化漏极电极、第一导电类型轻掺杂半导体外延层、第二导电类型半导体基区、第一导电类型重掺杂半导体源区、第二导电类型重掺杂半导体体区、金属化源极电极、沟槽、栅氧化层、多晶硅栅电极、介质隔离层、绝缘介质隔离层、多晶硅屏蔽栅、介质层，多晶硅屏蔽栅和屏蔽栅电压控制模块相连，屏蔽栅电压控制模块根据不同的应用环境需求，产生输出电压，使得多晶硅屏蔽栅的电位发生变化，从而调整器件的栅漏电容和栅源电容及两者之间的比例，进而控制器件的开关损耗和dv/dt能力。

公开(公告)号：CN113078204A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110317473.4

申请日：2021-03-25

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 周琦 ,  李翔宇 ,  黄芃 ,  陈匡黎 ,  王景海 ,  韩晓琦 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种氮化镓3D‑RESURF场效应晶体管及其制备方法。本发明在传统氮化镓HEMT器件中通过刻槽并二次外延的方式引入P型氮化镓电场调制区。在漂移区处形成P型氮化镓—二维电子气构成的p‑n结，并通过器件阻断耐压时该p‑n结空间电荷区的耗尽与扩展在平行于栅宽方向引入电场强度分量，改变原有电场方向，使得栅极漏侧电场尖峰得到缓解，电场强度明显降低；同时，利用该p‑n结耗尽二维电子气，降低了器件漏电流，提高器件单位漂移区长度耐压能力。本发明通过在氮化镓HEMT器件中引入P型氮化镓—二维电子气p‑n结实现了一种不同于传统场板技术的新型电场调制方式，利用该新结构在提高器件击穿电压的同时降低了器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN111969051A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010888687.2

申请日：2020-08-28

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 王卓 ,  祖健 ,  朱旭晗 ,  章文通 ,  方冬 ,  乔明 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种具有高可靠性的分离栅VDMOS器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一介质氧化层，分离栅多晶电极，第二介质氧化层，第三介质氧化层，控制栅多晶电极，第二导电类型阱区，重掺杂第一导电类型区，重掺杂第二导电类型区，源极金属接触，控制栅金属接触和分离栅金属接触。通过在过渡区增大槽宽，增加一次过渡区栅多晶刻蚀，形成控制栅多晶和栅氧化层包围分离栅金属接触的结构，避免了常规分离栅引出所需要的控制栅和分离栅之间的介质氧化层隔离，杜绝了厚氧隔离所带来的吸硼排磷问题和曲率效应带来的电场集中问题，以及存在厚氧隔离时过渡区耗尽不足问题，消除器件过渡区的提前击穿，保证器件耐压。

公开(公告)号：CN111816707A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010888944.2

申请日：2020-08-28

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 章文通 ,  朱旭晗 ,  祖健 ,  乔明 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种消除体内曲率效应的等势降场器件及制造方法，包括元胞区与终端区。元胞区中，第一介质氧化层和多晶硅电极构成纵向浮空场板，所述纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，漏端以相同工艺引入多晶硅电极与漏极相连的纵向场板。本发明中纵向浮空场板辅助耗尽漂移区，提高了器件耐压。但由于靠近漏端的纵向浮空场板钳位了体内电势，使得等势线在槽底集中，造成了器件的提前击穿。漏端纵向场板与漏极相连，将漏端高电位引入器件体内，消除了体内曲率效应，进一步提高器件耐压。终端区中，纵向浮空场板呈环形承担大部分耐压，漏端的纵向场板形成半圆状阵列，缓解了因曲率增大而导致的靠近漏端的槽底电场的进一步提高。

公开(公告)号：CN110943714A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201911148723.5

申请日：2019-11-21

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 甄少伟 ,  许王帅 ,  熊海亮 ,  杨芮 ,  杨涛 ,  谢泽亚 ,  张波

IPC: H03K3/3562

Abstract: 本发明提出一种带时钟门控的数据读出接口电路，属于集成电路和光电技术领域。本发明包括使能控制单元和M个移位寄存模块，M为所述单光子雪崩二极管探测阵列包含的像素数目；移位寄存模块用于储存和读出单光子雪崩二极管探测阵列的单级像素数据，使能控制单元用于实现读出时钟的时钟门控，当单光子雪崩二极管探测阵列中第x级像素的数据读出后，使能控制单元中第x级第一D触发器的输出进行切换，控制对应的第x个移位寄存模块中的第一2选1多路选择器输出由读出时钟切换为低电平信号，从而关闭第x级像素对应的D触发器组，达到节省功耗的目的。

公开(公告)号：CN110890427A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910848429.9

申请日：2019-09-09

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 任敏 ,  骆俊毅 ,  谭键文 ,  李泽宏 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H03K19/00 ,  H03K19/003 ,  H03K19/094

Abstract: 本发明提供一种可调电容的屏蔽栅MOSFET器件，包括第一导电类型重掺杂半导体衬底、金属化漏极电极、第一导电类型轻掺杂半导体外延层、第二导电类型半导体基区、第一导电类型重掺杂半导体源区、第二导电类型重掺杂半导体体区、金属化源极电极、沟槽、栅氧化层、多晶硅栅电极、介质隔离层、绝缘介质隔离层、多晶硅屏蔽栅、介质层，多晶硅屏蔽栅和屏蔽栅电压控制模块相连，屏蔽栅电压控制模块根据不同的应用环境需求，产生输出电压，使得多晶硅屏蔽栅的电位发生变化，从而调整器件的栅漏电容和栅源电容及两者之间的比例，进而控制器件的开关损耗和dv/dt能力。

公开(公告)号：CN110534575A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910831289.4

申请日：2019-09-04

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 任敏 ,  胡玉芳 ,  马怡宁 ,  李泽宏 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供一种VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。在桥式电路等需要二极管续流的应用场景，本发明提供的VDMOS器件，可利用沟道区作为续流通道，不需要再为VDMOS增加外部的反并联二极管，因此可以减小系统体积。同时利用VDMOS的沟道进行续流，对漂移区没有过剩载流子注入，不存在常规VDMOS的体二极管续流的反向恢复问题，不会带来器件漏电增加和高温特性变差等问题，也不会额外增加器件面积且工艺简单。

公开(公告)号：CN110310983A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910701499.1

申请日：2019-07-31

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 任敏 ,  谭键文 ,  骆俊毅 ,  李泽宏 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种超结VDMOS器件，包括第一导电类型重掺杂半导体衬底、金属化漏极电极、第一导电类型半导体柱区、第二导电类型半导体柱区，第一导电类型半导体柱区、第二导电类型半导体柱区从下至上共有3个掺杂浓度依次递增的区域，由于P/N柱掺杂浓度采用从下至上递增的变掺杂分布，并且通过载流子寿命控制缩短了JFET区载流子寿命，因此能够降低流过采用所述结构的超结VDMOS的基区的电流强度，从而有效抑制超结VDMOS内部寄生三极管的导通，减小器件发生SEB的几率，同时，P/N柱上部掺杂浓度较高，会在JFET区下方、P/N柱上部形成高的势垒，减缓栅极下方电荷的聚集速率，加上JFET区对载流子寿命的控制，因此也可以有效抑制SEGR的发生。

公开(公告)号：CN107845630A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201711000666.7

申请日：2017-10-24

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 陈万军 ,  信亚杰 ,  施宜军 ,  崔兴涛 ,  李茂林 ,  李佳 ,  张波

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/07 ,  H02M3/158

Abstract: 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，具体的说是涉及一种GaN基单片集成式半桥电路。与常规的由分立器件组成的半桥电路不同的是，本发明将两个增强型GaN HEMT及GaN基二极管集成至同一芯片模块上，这便于降低寄生电感，增加开关管开关速度，从而降低开关管开关功耗。同时，在半桥电路的下管两端反向并联场控二极管，这能够减小二极管电极与下管电极之间的寄生电感，使二极管与下管沟道之间能够实现快速的换流。同时，由于场控二极管的正向导通压降较低，能大幅度降低死区时间导通压降，提高系统的效率。另外，由于场控二极管制备工艺与增强型GaN HEMT完全兼容，大大降低了制备工艺的复杂程度。该型半桥电路模块适用于Buck、Boost及Buck-Boost电路等。

公开(公告)号：CN106933288B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710284463.9

申请日：2017-04-25

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 明鑫 ,  高笛 ,  张家豪 ,  张宣 ,  王卓 ,  张波

IPC: G05F1/56

Abstract: 一种低功耗无片外电容型低压差线性稳压器，属于电源管理技术领域。采用共栅极输入对和跨导增强的误差放大器电路通过对信号的两路放大，将跨导进行k1*k2倍的放大，没有引入低频的零级点，同步增大了增益和带宽，采用共栅极的输入对在保证低功耗的同时增强摆率，同时有利于将输出极点推到更高频，实现更高的带宽；高通检测网络提升瞬态响应，减小了瞬态变化时输出电压VOUT出现的下冲电压，进一步拓展带宽；瞬态增强电路提供一个更加快速的通路，在负载稳定的时候不工作，不影响主环路的调整，在瞬态的时候，用来提高更大的动态环路增益，增强低压差线性稳压器的瞬态响应速度。本发明具有瞬态响应速度快和低功耗的特点。