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公开(公告)号：CN111211399B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010143452.0
申请日：2020-03-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种共形于石油管套壁的抗金属超高频电子标签天线，涉及超高频射频识别技术领域。所述超高频电子标签天线为半环形结构，紧贴于石油管套壁之上，包括介质基板，位于介质基板上表面的贴片结构和标签芯片，位于介质基板下表面的金属底板；所述贴片结构为轴对称结构，包括半环形的辐射体和带开口的馈电环，所述辐射体的左侧和右侧设置数量相同的多个矩形槽，所述带开口的馈电环位于贴片结构的中间位置，所述标签芯片位于馈电环的开口位置，所述金属底板完全覆盖介质基板下表面。本发明超高频电子标签天线具有良好的抗金属特性，加工简单，成本低廉，增益高，可读距离远，带宽较大，可以很好地应用于设计频段。
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公开(公告)号：CN113088894A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110324972.6
申请日：2021-03-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种利用应力诱导提高软磁薄膜应用频率的制备方法，属于薄膜制备技术领域。包括：1)清洗柔性衬底；2)清洗后的柔性衬底放入高真空电子束蒸发系统，柔性衬底弯曲后固定在样品架上；3)抽真空，开始预熔料，电子枪的电流为30～40mA，电压为10kV，时间为4～5min；预熔料结束后，蒸镀速率为0.1～0.7nm/s，在弯曲的柔性衬底上沉积软磁薄膜。本发明制得的软磁薄膜，当柔性衬底由凹形(凸形)变为平整时，会在薄膜中引入张应力(压应力)，与未引入应力相比，由于磁致伸缩效应，软磁薄膜表现出明显的磁各向异性，使得薄膜的应用频率提高至1GHz以上，并同时保持较高的磁导率(μ′100MHz>1000)。
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公开(公告)号：CN113088893A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110324953.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种提高NiFe薄膜应用频率的制备方法，属于薄膜制备技术领域。包括：1)清洗衬底；2)衬底固定在样品架上，所述衬底与样品架呈θ角，并且在衬底上施加磁场；3)利用高真空电子束蒸发系统，在背底真空为1.3×10‑4Pa～2.0×10‑4Pa、预熔料时电子枪电流为30mA～40mA、电压为10kV的条件下预熔料4～5min；预熔料结束后，设置蒸镀速率为0.1nm/s～0.7nm/s，在衬底上沉积软磁薄膜。本发明得到的软磁薄膜应用频率大于1GHz(最高为1.39GHz)，并且磁导率达到1000左右，得到了同时兼顾高应用频率、高磁导率的薄膜。
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公开(公告)号：CN109931894A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910231149.3
申请日：2019-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01B15/02
Abstract: 一种NiFe或FeMn薄膜表面氧化层厚度的分析方法，属于薄膜厚度分析检测技术领域。首先，对待测薄膜进行ARXPS测试；然后，采用单值分解法和调整法相结合，对Ni、Fe、Mn单质及其氧化物的参数进行拟合，如峰位、半峰宽等；根据角分辨XPS与表面层状结构分析的基本原理和测试方法，在一定误差范围内，得出约化厚度d/λ；最后，确定其非弹性散射平均自由程λ，进而得到氧化层厚度d。本发明方法简单，对设备要求不高，能非破坏性地测量极薄氧化层的厚度，并结合磁性能研究确定薄膜的钉扎临界厚度；同时，与现有方法相比，本发明方法的拟合标准偏差明显下降，标准偏差从现有技术10.25～22.76下降到1.05～4.59。
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公开(公告)号：CN104036930A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410233800.8
申请日：2014-05-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 磁集成贴装磁屏蔽功率电感器，涉及电子元器件技术。本发明包括绕组、内核磁心、外壳磁心和有效匝数调节装置，所述绕组环绕内核磁心，绕组和内核磁心设置于外壳磁心的内部；有效匝数调节装置的滑动端与绕组接触，调节控制部分设置于外壳磁心的外部；绕组与设置于外壳磁心外部的连接端形成电连接。本发明的有益效果是：第一，多功能化，可用作电感和变压器且都可调；第二，电感器电感值、压变实现数值显示；第三，外壳磁心、外壳磁心盖及内核磁心形成基本封闭的磁路空间，因此漏磁场小；第四，采用表面贴装设计，便于安装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119176714A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411368264.2
申请日：2024-09-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , H01F1/01
Abstract: 一种C波段超低损耗自偏置六角旋磁铁氧体材料，属于铁氧体材料制备技术领域。所述铁氧体材料包括重量比为0.1～10的BiCaZrVIn‑YIG旋磁铁氧体材料和LaScBiCu‑BaM六角旋磁铁氧体材料；掺杂剂占铁氧体材料的重量百分比，以氧化物计算：0.3～0.7wt％La2O3、0.4～0.8wt％SiO2和0.5～0.9wt％SrTiO3。本发明在低损耗BiCaZrVIn‑YIG旋磁铁氧体颗粒表面生长兼具高Mr/Ms和Hc特性的LaScBiCu‑BaM六角旋磁铁氧体，研制兼具高而可调各向异性场Ha、高矫顽力Hc和剩磁比Mr/Ms、超低铁磁共振线宽△H和介电损耗tanδε特征的六角旋磁铁氧体材料，满足C波段微型集成器件低损耗宽带宽的工程化需求问题。
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公开(公告)号：CN115579203B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202211287484.3
申请日：2022-10-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种X波段自偏置器件用双相复合铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。所述双相复合铁氧体材料包括SrM铁氧体、YIG铁氧体和掺杂剂，SrM铁氧体包括SrCO3、CaCO3、La2O3、Co2O3和Fe2O3，YIG铁氧体包括Y2O3、Bi2O3、ZrO2、CaCO3、V2O5和Fe2O3，YIG铁氧体与SrM铁氧体的重量比为1：(0.11～9)；掺杂剂包括SiO2、H3BO3、CaCO3、Bi2O3和BaTiO3。本发明双相复合铁氧体材料兼具适宜的饱和磁化强度、适宜的各向异性场、高的矫顽力、高剩磁比、低的铁磁共振线宽和高的介电常数特性。
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公开(公告)号：CN118184330A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410317164.0
申请日：2024-03-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01F1/34
Abstract: 一种Ka波段高功率旋磁锂锌铁氧体及其制备方法，属于微波铁氧体材料制备技术领域。包括主料和添加剂，主料为Li0.347+0.5xZn0.3Ni0.006Mn0.056TixFe2.291‑1.5xO4，添加剂为：Bi2O3、Sb2O3和Co2O3。本发明采用的主配方体系有利于获得低矫顽力和剩磁温度系数；通过优化烧结工艺，借助两种添加剂的双重作用，使铁氧体样品显微形貌均匀，晶粒大小均匀适中，有利于提高材料的功率承受能力和烧结体密度，大幅降低材料的气孔率并提升材料自旋波线宽，有助于获得低损耗和低矫顽力的Ka波段高功率铁氧体开关和移相器用锂锌铁氧体材料。
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公开(公告)号：CN118184328A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410292926.6
申请日：2024-03-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/34
Abstract: 一种低温烧结高频低损耗MnZn功率铁氧体，属于铁氧体制备技术领域。包括主成分与辅助成分，主成分按氧化物摩尔百分数计，包括54.5～56.5mol％Fe2O3和4.5～7.5mol％ZnO，其余为MnO；以主成分预烧后的预烧料为基准，辅助成分包括0.001～0.05wt％Sb2O3、0.01～0.03wt％Nb2O5、0.1～0.4wt％Co2O3、0.02～0.10wt％CaCO3和0.00～0.01wt％SiO2。本发明采用具有高电阻率与低熔点的Sb2O3作为助熔剂，通过Sb2O3取代传统的V2O5，在降低烧结温度的同时改善MnZn铁氧体的高频损耗，对低温烧结MnZn铁氧体具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118145978A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410235524.2
申请日：2024-03-01
Applicant: 电子科技大学 , 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01F1/01 , H01F41/02
Abstract: 一种高介电常数小线宽钇铁石榴石铁氧体材料制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明通过对石榴石结构中十二面体Y3+、八面体Fe3+的取代，采用二次预烧工艺和先低转速后高转速的三次球磨工艺，仅需三次球磨、一次造粒、一次烧结制得了钇铁石榴石铁氧体材料。本发明采用二次预烧的制备工艺，粉料的活性更好，烧结阶段固相反应完成程度更高，材料性能更优异；三次球磨采用先低转速后高转速的工艺，增强三次球磨粉料的粒度均匀性；制得的铁氧体具有较高的介电常数ε'＞20、较低的铁磁共振线宽ΔH≤25Oe和较低的介电损耗tanδε＜1×10‑4。
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