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公开(公告)号：CN111081780A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911322249.3
申请日：2019-12-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种有效提升响应度的太赫兹探测器，包括源电极、异质结区、栅电极、栅氧化层、漏电极、漏区、衬底和源区；衬底内部两侧分别设有漏区和源区，漏区上方设有与其形成欧姆接触的漏电极，源区上方设有与其形成欧姆接触的源电极，栅氧化层形成在衬底上表面且位于漏电极和源电极之间，栅电极形成在栅氧化层上表面，异质结区与源区右边界、栅氧化层下边界邻接，其中异质结区的电子迁移率高于衬底，异质结区的长度大于等离子体波衰减距离且小于等于栅极长度，异质结区的厚度小于衬底厚度。本发明在提高沟道迁移率的同时，降低栅电极与沟道之间的交流泄漏电流，避免衬底交流电流对局部沟道等离子体波的形成产生干扰，从而提升探测器响应度。
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公开(公告)号：CN109980015A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910255123.2
申请日：2019-04-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种有效增大开态电流的隧穿场效应晶体管，属于半导体器件领域，用以增大隧穿场效应晶体管的开态电流。本发明通过将隧穿场效应晶体管的上下栅介质层向源区延伸并部分覆盖到源区，源区一侧的栅介质层表面覆盖金属栅，源区另一侧栅介质表面覆盖偏置电极，偏置电极与该侧金属栅用隔离墙隔离，形成上下非对称的结构，通过对偏置电极外加偏压，或利用偏置电极与金属栅之间金属功函数差值，增强栅电极所覆盖部分的源区上下两侧的垂直于沟道方向的电场，增大了载流子线隧穿的强度，总的载流子隧穿区域与隧穿几率增大，从而有效增大器件的开态电流。
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公开(公告)号：CN108632763A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810184342.1
申请日：2018-03-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于WiFi指纹的室内定位加权K近邻方法,属于室内定位领域，主要涉及基于WiFi指纹匹配的指纹库中匹配点的选择和行人位置的计算技术。在目标节点与指纹库中的节点匹配时，提供了一种新的权值计算方法。相对于传统WKNN的算法在计算权值时只考虑欧氏距离，本发明方法中的权值计算公式不仅考虑到考虑到欧氏距离，还考虑到实际匹配计算过程中目标节点与指纹信息库中节点能够匹配到的WiFi数量。解决了传统WKNN算法计算中没有考虑到WiFi匹配数量导致定位精度低的问题。本发明在实际定位场景中可有效的提高定位精度，取得更好的定位效果。
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公开(公告)号：CN116526986B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310449998.2
申请日：2023-04-25
Applicant: 电子科技大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
Abstract: 本发明提供的一种自适应电容的抗辐照射频SOI功放电路结构，属于射频集成电路领域，包括四堆叠功放、辐照检测控制电路以及开关电容阵列。四堆叠功放的包括四堆叠晶体管、偏置电阻以及射频扼流电感；辐照检测控制电路包括辐照检测电路和门限检测器；开关电容阵列由开关晶体管和电容组成。由于总剂量辐照效应，当辐照照射时，晶体管的性能会下降，功放的性能也因此下降，本发明通过在传统四堆叠功放中添加自适应的开关电容阵列，在辐照情况下自适应地调整电容大小，能够明显改善辐照导致的功放性能退化。在10 GHz的工作频率处，本发明相比于传统的四堆叠功放，其增益、功率附加效率和饱和输出功率在300 krad的辐照环境下均有明显的改善。
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公开(公告)号：CN112187191B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202011013976.4
申请日：2020-09-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供的一种采用双增益提升电感的共源共栅放大器，属于射频集成电路领域，包括共源共栅结构、栅极增益提升电感、Z嵌入网络电感、直流旁路电容；共源管的栅极连接信号输入端和偏置电压Vb2，共源管的源极通过Z嵌入网络电感接地，共源管的漏极连接共栅管的源极，共栅管的漏极连接信号输出端和电源电压，共栅管的栅极通过栅极增益提升电感连接偏置电压Vb1，同时在栅极增益提升电感连接偏置电压Vb1的一端，通过直流旁路电容与共源管的源极相连。本发明通过在传统共源共栅放大器中设置栅极增益提升电感、Z嵌入网络电感和直流旁路电容，在增大单向增益的同时引入线性互易网络，进而大大提升在接近晶体管最大工作频率处的增益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118199618A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410376960.1
申请日：2024-03-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种用于延迟锁相环的高精度射频相位内插器，属于射频集成电路领域，包括五级相位内插电路，采用内插反相器链单元与内插反相器链补偿单元相结合的结构，以此满足用于延迟锁相环的相位内插器的高精度要求。在2.4GHz的工作频率处，延迟锁相环产生的输入信号ΦIN[n]和ΦIN[n+1]的相位差为22.5°的情况下，本发明实际延迟时间差和理想延迟时间的误差仅为0.1*LSB。
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公开(公告)号：CN117318641A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311080427.2
申请日：2023-08-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种基于槽线结构的电流与电压混合型功率合成网络，用以实现拓展设计灵活、结构紧凑的大规模功率合成，进而显著降低大规模功率合成网络的损耗。本发明包括依次级联的1个基础槽线‑共面波导电流型功率合成网络与N‑1个扩展槽线‑共面波导电流型功率合成网络；基础槽线‑共面波导电流型功率合成网络包含4个输入端和1个输出端，拓展槽线‑共面波导电流型功率合成网络包含4个输入端和2个输出端，二类功率合成网络通过输出端依次级联实现4N路功率合成。本发明能够应用于毫米波太赫兹频段的功率放大器，并且结构更加紧凑、占用芯片面积更小、功率合成路径更短，最终实现了更高的合成效率。
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公开(公告)号：CN117200779A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310306248.X
申请日：2023-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185
Abstract: 本发明属于集成电路I/O端口设计技术领域，具体提供一种双隔离电平转换电路结构，用以解决典型电平转换电路中存在的输入信号较低时无法进行电平转换的问题。本发明在基本的电平转换结构中采用了上下拉双隔离结构，上拉部分采用信号延时隔离，通过输出信号延时反馈来控制上拉部分的通断，同时下拉部分采用共源共栅结构隔离，在下拉过程中通过隔离管避免输出信号对输入管的影响，使得在电平转换过程中，上下拉的竞争能够得到有效避免，同时在上拉延时单元采用了传输门延时的方式，相比于其他的逻辑门能够降低信号传输时的动态电流，最终，本发明具有能够在极低输入电平下完成从低到高电平的转换的优点，并能够有效降低上拉延时单元的电流与功耗。
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公开(公告)号：CN117013961A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310359692.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，提供一种采用嵌入式网络负阻提升技术的毫米波振荡器，用以解决在毫米波频段下随频率上升所导致的有源器件有源性能恶化以及无源器件的高损耗使得振荡器难以起振与低输出摆幅的问题；本发明包括：两级环形振荡器与嵌入式网络，通过在单级电路中引入嵌入式网络(C_em1、L_em1与L_choke1，C_em2、L_em2与L_choke2)，在不引入额外功耗的前提下，使得有源二端口网络的U值得到提升，并且满足了有源二端口网络的最佳输出功率条件，最终使得负阻提升，从而改善了起振条件并且提高了输出摆幅。
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公开(公告)号：CN113810022B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202111003549.2
申请日：2021-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，提供一种基于X型反相器的5比特矢量调制型移相器，应用于150～170GHz频段。本发明中输入信号进入90°电桥，90°电桥输出两路正交信号，两路正交信号分别依次经过一个可变增益放大器与一个X型反相器后，由威尔金森功率合成器中完成矢量合成后输出；本发明提出X型反相器，具有面积更小、相位误差更小的优点，并且基于该X型反相器实现对两路正交信号的相位控制，同时通过可变增益放大器实现两路正交信号的幅度控制，最终控制输出信号的相位，实现全360°范围、11.25°步进的移相效果；基于此，本发明提供的移相器在目标频段能够实现精确移相，同时显著降低了移相器的面积与RMS移相误差。
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