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公开(公告)号：CN103630965A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310641596.9
申请日：2013-12-03
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 武汉烽火锐光科技有限公司
IPC: G02B6/036 , C03B37/018
Abstract: 一种抗弯曲拉锥光纤及其制造方法，涉及光纤领域，其裸光纤由内至外依次包括芯层、内包层、下陷包层和外包层，所述外包层为石英包层，所述芯层、内包层、下陷包层的折射率依次减小，芯层相对外包层的相对折射率差为0.85～0.95%；内包层相对外包层的相对折射率差为0.10～0.20%；下陷包层相对外包层的相对折射率差为-0.15～-0.25%；制造中利用改进的化学气相沉积法工艺，在石英反应管内依次沉积下陷包层、内包层以及芯层，沉积原料为四氯化硅、四氯化锗、三氯氧磷、六氟乙烷；本发明在不影响拉锥性能的前提下，提升光纤的抗弯曲性能，保证其在C+L波段的光纤耦合器小型化中的应用要求。
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公开(公告)号：CN103472525A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310409008.9
申请日：2013-09-10
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 武汉烽火锐光科技有限公司
IPC: G02B6/02 , G02B6/036 , G02B6/028 , C03B37/018 , C03B37/025
CPC classification number: C03B2203/22 , Y02P40/57
Abstract: 本发明公开了一种低损耗大有效面积单模光纤及其制造方法，涉及光纤领域，该光纤包括由内至外依次排列的石英玻璃包层、内涂层和外涂层，石英玻璃包层内部还包括由内至外依次排列的第一纤芯区域、第二纤芯区域、第三纤芯区域、第四纤芯区域和折射率下凹包层，折射率下凹包层采用PCVD工艺进行沉积，石英玻璃包层采用OVD工艺或套管工艺制造。本发明能减小光纤的散射损耗和光纤弯曲状态下的附加损耗，将纤芯基模电磁场功率由尖顶分布调整为平顶分布，降低光功率密度，增大光纤的有效面积，降低光纤的非线性，使光纤通信系统入纤功率提高0.4～2.6dB，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN103204629A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310125392.X
申请日：2013-04-11
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/012 , C03B37/027
CPC classification number: C03B37/01205 , C03B37/01234 , C03B37/02745 , C03B2203/20 , C03B2203/32 , C03B2203/34
Abstract: 本发明公开了一种手征性耦合芯径光纤及其制造方法，涉及光纤激光传输与放大领域，该制造方法包括以下步骤：对导引纤芯预制棒半成品和卫星纤芯预制棒半成品进行加工，形成卫星纤芯预制棒和开有纤芯槽的导引纤芯预制棒；将卫星纤芯预制棒嵌入纤芯槽；在导引纤芯预制棒的端部进行熔融拉锥，形成手征性耦合芯径光纤预制棒；将手征性耦合芯径光纤预制棒熔融拉丝，形成手征性耦合芯径光纤；手征性耦合芯径光纤的输出光束质量小于1.1，基模损耗小于0.5dB/m，高阶模损耗大于100dB/m。本发明制造的手征性耦合芯径光纤，不仅光学性能好、可靠性较好，而且制造难度较低，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN119743196A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411811117.8
申请日：2024-12-10
Applicant: 北京理工大学 , 烽火通信科技股份有限公司 , 北京邮电大学
IPC: H04B10/079 , H04Q11/00
Abstract: 一种PON的光传输及监测方法，属于光纤通信领域。本发明实现方法为：搭建光纤通信系统，接收光信号转成电信号后计算电信号的二阶矩、四阶矩；利用光谱分析仪测量步骤一光信号的真实OSNR；通过二阶矩、四阶矩以及真实OSNR计算信号峭度参考值；通过波特率、发射功率、传输距离拟合信号峭度，得到信号峭度表达式；将信号峭度表达式代入统计矩方法中计算OSNR估计值，根据OSNR估计值实现PON的光传输。本发明能够在多种不同波特率的光纤通信系统中拥有比现有方法更低的OSNR估计误差，同时，本发明通过波特率、发射功率、传输距离直接拟合信号峭度，避开信号相关函数的选取和计算，能够实现比现有的非线性修正的统计矩方法更低的计算复杂度。
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公开(公告)号：CN114455828A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210151892.X
申请日：2022-02-18
Applicant: 锐光信通科技有限公司 , 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/018
Abstract: 本申请涉及一种掺硼应力棒的制造方法，其包括如下步骤：采用PCVD工艺，向石英衬管内通入第一气体，以在所述石英衬管内壁上沉积匹配石英层；采用PCVD工艺，向所述匹配石英层内通入第二气体，以在所述匹配石英层内壁上沉积掺硼区，并得到掺硼应力棒预制件，其中，所述第二气体包括四氯化硅、四氯化硼和氧气；将所述掺硼应力棒预制件放入电成棒炉，并进行缩棒处理，得到实心的掺硼应力棒。本申请可以提高掺硼应力棒的圆度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112099156B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010953976.6
申请日：2020-09-11
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 锐光信通科技有限公司
IPC: G02B6/38
Abstract: 本申请涉及光纤束套管的制备方法、光纤束套管及多芯光纤耦合器的制备方法，光纤束套管供单模光纤插接，以使单模光纤与多芯光纤熔接，并形成多芯光纤耦合器，制备方法包括如下步骤：根据多芯光纤，选取多根第一管体；按照多芯光纤的纤芯圆心的几何排布，将各第一管体堆叠成管束；向第一管体的管孔中通入气体，并进行熔融拉制，同时调整气压值，以使第一管体的管孔形成光纤插接孔，并得到光纤束套管，光纤插接孔满足条件：d＞d1，d‑d1位于第一设定区间内，d为光纤插接孔的内径，d1为用于插入光纤插接孔的单模光纤的直径；相邻光纤插接孔的间距等于多芯光纤中相邻纤芯的间距。本申请能解决相关技术中耦合损耗大、纤芯间耦合不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN112945220A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110145568.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 锐光信通科技有限公司
IPC: G01C19/72
Abstract: 本申请涉及一种保偏光纤环的绕制方法及保偏光纤环，其包括如下步骤：根据保偏光纤环的总绕制层数，以及所选的对称绕法，确定保偏光纤环的基础层的数量，以及每个基础层中保偏光纤的绕制层数；按照设定的绕环张力，对保偏光纤进行绕制，并得到保偏光纤环；其中，设定的绕环张力满足如下条件：在同一个基础层中，各层保偏光纤的绕环张力恒定，且按照基础层的绕制先后顺序，各所述基础层中保偏光纤的绕环张力逐渐减小。本申请可以解决相关技术中采用恒张力绕制的光纤环在温度发生变化时，容易产生非互易性相位误差，影响传感精度的问题。
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公开(公告)号：CN110244404B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910527466.X
申请日：2019-06-18
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 锐光信通科技有限公司 , 新疆烽火光通信有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低衰减环形纤芯光纤，涉及低衰减光纤领域。该光纤由内至外依次包括内石英包层、环形纤芯和外石英包层，其中，内石英包层和外石英包层均由掺钾、锂或硼的二氧化硅组成，环形纤芯由仅掺锗或者锗钾、锗锂共掺的二氧化硅组成；内石英包层的折射率与外石英包层的折射率相等，且环形纤芯的折射率大于内石英包层的折射率。该光纤还包括位于内石英包层与环形纤芯之间的内下凹石英包层以及位于环形纤芯与外石英包层之间的外下凹石英包层；内下凹石英包层和外下凹石英包层均由仅掺氟或者氟钾、氟锂共掺的二氧化硅组成，内下凹石英包层的折射率与外下凹石英包层的折射率相等。本发明提供的光纤具有低衰减和高阶OAM模式传输的优点。
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公开(公告)号：CN110346866B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910507961.4
申请日：2019-06-12
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 锐光信通科技有限公司
Abstract: 本发明公开了熊猫型保偏光纤，包括芯层和石英包层；石英包层内有两个沿芯层呈中心对称的应力区，应力区外设置有与该应力区同心的过渡环形区；芯层包括由内而外依次布置的掺锗芯层和掺氟芯层；掺锗芯层包括由内而外依次布置的平坦掺锗层和渐变掺锗层，渐变掺锗层折射率剖面呈抛物线形，渐变掺锗层折射率朝远离平坦掺锗层方向逐渐减小；掺氟芯层包括由内而外依次布置的石英芯层、第一渐变掺氟层、平坦掺氟层和第二渐变掺氟层，第一渐变掺氟层和第二渐变掺氟层折射率剖面均呈曲线，且沿平坦掺氟层折射率剖面对称，第一渐变掺氟层折射率朝远离石英芯层方向逐渐减小；保偏光纤截止波长小于830nm。本发明适用多波段，具有良好的衰减和消光比。
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公开(公告)号：CN108761635B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810453097.X
申请日：2018-05-03
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 锐光信通科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双包层掺镱光纤，涉及光纤技术领域，所述光纤由内到外依次包括纤芯、内包层和外包层，所述纤芯由内到外依次包括圆形的中心芯区、以及至少四个与所述中心芯区同心设置的环形掺杂芯区，所述中心芯区和四个所述环形掺杂芯区的镱离子浓度由内到外依次增加，且所述内包层和外包层均为石英包层。本发明提供的双包层掺镱光纤，优化了掺镱光纤的功率分布，提高其在高功率光纤激光输出条件下的稳定工作能力。
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