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公开(公告)号：CN114059162B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210042869.7
申请日：2022-01-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法，氧化镓晶体生长装置，包括炉体、籽晶棒提拉装置和漂浮物去除装置，漂浮物去除装置包括升降机构、旋转驱动机构和粘接杆，旋转驱动机构与粘接杆相连并控制粘接杆的旋转，粘接杆下端对准铱金坩埚开口，粘接杆外侧套设有与旋转驱动机构、炉体相连的伸缩管，升降机构与旋转驱动机构相连并控制粘接杆的升降情况，粘接杆上端与籽晶棒提拉装置偏心安装，晶体生长方法包括以下步骤：氧化镓原料的熔化；漂浮物的去除；晶体生长；氧化镓单晶晶体的获取。本发明具有去除氧化镓熔体表面漂浮物使得籽晶顺利与氧化镓熔体接触，保证后续晶体顺利生长，生长出可根据需要切割出任意晶面的氧化镓晶体等优点。
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公开(公告)号：CN114427115A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210338379.1
申请日：2022-04-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶片制造技术领域，公开了一种碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：将碳化硅晶锭作为阳极通过碳化硅晶锭上的导电层连接电压输出端并在刻蚀液中设置阴极连接电压输入端；采用大于所述单晶层对应的吸收光波长临界值的入射光照射在所述碳化硅晶锭表面；在照射的过程中，向所述碳化硅晶锭提供正恒电位并对所述刻蚀液进行微波加热，实现单晶层的剥离，得到碳化硅单晶片。本发明采用的刻蚀工艺方法，可快速获得厚度可控的碳化硅单晶片。
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公开(公告)号：CN114318551A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210244788.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置，包括：提供碳化硅晶片，将碳化硅晶片放置到坩埚中，其中，碳化硅陪片的第一表面面向腐蚀剂，碳化硅陪片的第二表面面向碳化硅晶片的碳面，碳化硅陪片的尺寸与坩埚内壁的尺寸相适应且碳化硅陪片的侧边与坩埚的内壁之间留有间隙，碳化硅晶片的碳面与碳化硅陪片的第二表面之间小于或等于预定距离；基于加热工艺对坩埚进行加热，加热形成的腐蚀剂蒸汽对所述碳化硅晶片和所述碳化硅陪片进行腐蚀。本发明使得在保证高温腐蚀活性的同时有效降低腐蚀剂浓度，实现碳化硅晶片碳面和硅面位错的显露，在碳化硅晶片的碳面和硅面得到区分度高的位错腐蚀坑，识别明确。
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公开(公告)号：CN114203527A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111535802.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶片热氧化的方法及装置，装置包括真空加热腔室、均温台和等离子体发生器，真空加热腔室内设有加热器，均温台设置在真空加热腔室内，碳化硅晶片放置在均温台上，真空加热腔室与抽真空装置相连，真空加热腔室上设有进气口，真空加热腔室上设有与进气口相连通的等离子体发生腔，等离子体发生器与等离子体发生腔相对设置，在富含硅气氛下通过采用等离子体辅助化学气相沉积方法使得碳化硅晶片表面沉积二氧化硅薄膜，有效防止碳化硅晶片中硅组分在高温下升华溢出，碳化硅晶片整个表面可沉积高质量的二氧化硅薄膜进而形成高质量SiC/SiO2界面。
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公开(公告)号：CN114093765A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202210051840.5
申请日：2022-01-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/324 , H01L21/26 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及碳化硅领域，公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法，通过先对碳化硅薄膜进行热处理，激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质，然后利用紫外光照射碳化硅薄膜，控制碳化硅的准费米能级位置，使得氢杂质由负电调整为正电，利用带正电的氢杂质钝化带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级，从而提高碳化硅薄膜少子寿命，且不会额外增加其他的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113774484A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111069487.5
申请日：2021-09-13
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚，涉及氧化镓晶体生长的技术领域，通过采用组合坩埚来制备氧化镓晶体，使氧化镓熔体和铱金坩埚不直接接触，避免铱元素进入氧化镓熔体从而影响氧化镓晶体质量的问题，通过抽空炉内原本气体并充入保护性气体来抑制氧化镓的高温分解，同时也解决了采用铱金坩埚进行氧化镓晶体生长时，坩埚的侧壁和底部会出现密集腐蚀坑，导致铱金坩埚损耗严重的问题，最后制得的氧化镓单晶呈透明状，无明显开裂和气泡，相比采用现有方法制得的氧化镓单晶具有较高的晶体结晶质量的优点。
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公开(公告)号：CN113594368A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110661417.2
申请日：2021-06-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带隙钙钛矿活性层的制备方法，通过在第一步制备卤化铅层的同时引入卤化铯盐，通过调节制备参数使其优先形成少量的全无机铯铅卤钙钛矿，第二步覆盖卤化甲脒甲胺混合盐制备形成钙钛矿活性层，解决了由于宽带隙钙钛矿Br含量增加，使得钙钛矿容易相分离的问题，从而大幅度提高了宽带隙钙钛矿太阳电池的性能和稳定性，同时，提高了高性能宽带隙钙钛矿太阳电池制备的重复性。本发明还提供了一种基于宽带隙钙钛矿活性层的太阳电池制备方法，所涉及的器件结构从下至上分别为透明导电玻璃、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极层，利用本发明，极大地促进了低成本宽带隙钙钛矿太阳电池在叠层电池里的应用及商业化。
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公开(公告)号：CN111564523B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010235305.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/04
Abstract: 本发明公开了一种抑制多晶硅太阳电池在高温下光致衰减的方法，包括：(1)将导电金属板放置在加热设备上，温度设置成120～200℃；(2)待导电金属板的温度稳定后，将多晶硅太阳电池放置在导电金属板上，反向连接恒流电压源，然后打开恒流电压源，调节电压为1～2V，进行反向偏压处理5～15分钟；(3)待反向偏压处理完后，取下电池，将加热设备的温度设置成200～320℃；(4)待导电金属板的温度稳定后，将多晶硅太阳电池放置在导电金属板上，正向连接恒压电流源；然后打开恒压电流源，调节电流为10～20A，进行正向大电流处理，10～20分钟后得到所需的多晶硅太阳电池。本发明方法的处理时间短，可以有效抑制PERC结构多晶硅太阳电池在较高温度下的光致衰减。
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公开(公告)号：CN113279065A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110475998.0
申请日：2021-04-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明通过在4H‑SiC中掺入铝原子与IVB族原子，有效地降低了碳化硅晶体中铝的电离能，实现了低阻p型4H‑SiC的制备。本发明利用IVB族原子掺杂后引入一个空的杂质轨道e能级，与Al的3/4占据的e轨道形成有效的库伦排斥，从而降低Al杂质的电离能。IVB族原子的掺杂浓度保证在1017cm‑3以上，铝原子的掺杂浓度在1020cm‑3左右。本发明解决了4H‑SiC中铝原子电离能较高的问题，增加了碳化硅中载流子有效浓度，降低4H‑SiC碳化硅晶体电阻率，对电力电子领域中各类电子器件的制造有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113193057A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110619945.1
申请日：2021-06-03
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于硅太阳电池的复合减反射薄膜及其制备方法。本发明在太阳电池片钝化层和封装材料之间制备具有一定纳米结构的减反射层。从太阳电池表面向上依次是SiNx层，ZnO种子层，ZnO纳米结构层和电池封装材料。本发明所制备的减反射结构位于电池片电极外侧，可在现有电池制备工艺上叠加，能够在宽波段内有效降低太阳电池表面对入射光的反射，从而提高太阳电池的光电转换效率。本发明所采用的制备方法步骤简单，成本较低，能制备大面积的均匀减反射薄膜，有一定商业应用前景。
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