公开(公告)号：CN102249239A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110152177.X

申请日：2011-06-08

Applicant: 浙江大学

Inventor： 陈雪刚 ,  叶瑛 ,  刘舒婷 ,  朱旭恒 ,  张奥博 ,  李海晏 ,  邵苏东 ,  张海燕

IPC: C01B33/021 ,  B09B3/00

Abstract: 本发明公开了一种从农业废弃物制备高纯单质硅的制备方法。通过简单的两个步骤：首先将农业废弃物通过热解成为多孔二氧化硅粉体；随后通过酸处理、金属热反应等去除其中的杂质并将二氧化硅还原成为单质硅。由于农业废弃物经过热解后结构松散，其中的杂质易去除，因此所得单质硅的纯度在99%以上，有利于直接应用或进行进一步加工处理。本发明提出的从农业废弃物制备高纯单质硅的方法，原材料成本低廉，工艺流程简单，具有极强的经济价值和应用前景。

公开(公告)号：CN1171319C

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN02112324.1

申请日：2002-06-26

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶志镇 ,  张海燕 ,  黄靖云 ,  李蓓

IPC: H01L29/872

Abstract: 本发明的高频肖特基二极管包括由重掺杂硅衬底和硅外延层构成的硅外延片，欧姆接触电极，周边围有二氧化硅的金属阻挡层和金属电极，其特征是所说的硅外延层的厚度为0.4μm～1μm，外延层掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1017cm-3。本发明采用了外延层厚度为亚微米的超薄硅外延片及合适的掺杂浓度，能有效降低器件的串联电阻和结电容，大幅度提高截止频率，试验表明，可使截止频率高达40 GHz～80GHz，本发明的高频肖特基二极管拓宽了硅基器件在高频领域的应用，能广泛用于微波混频、检波及超高速开关电路中。

公开(公告)号：CN2562372Y

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN02265178.0

申请日：2002-06-26

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶志镇 ,  张海燕 ,  黄靖云 ,  李蓓

IPC: H01L29/872

Abstract: 本实用新型的肖特基二极管包括由重掺杂硅衬底和硅外延层构成的硅外延片，欧姆接触电极，周边围有二氧化硅的势垒金属和金属电极，其特征是所说的硅外延层的厚度为0.4μm～1μm，外延层掺杂浓度为1×1015cm－3～1×1017cm－3。本实用新型采用了外延层厚度为亚微米的超薄硅外延片及合适的掺杂浓度，能有效降低器件的串联电阻和结电容，大幅度提高截止频率，试验表明，可使截止频率高达40GHz～80GHz，本实用新型的肖特基二极管拓宽了硅基器件在高频领域的应用，能广泛用于微波混频、检波及超高速开关电路中。

公开(公告)号：CN2570985Y

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN02260517.7

申请日：2002-09-28

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶志镇 ,  李蓓 ,  黄靖云 ,  张海燕

IPC: H01L29/872

Abstract: 本实用新型的ZnO肖特基二极管是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层、ZnO晶体膜外延层和第二金属电极层而构成。本实用新型的ZnO肖特基二极管，由于欧姆接触与肖特基接触的电极直接在ZnO外延层的两侧，可避免因衬底造成的串联电阻过大而导致器件的理想因子偏高，利于提高截止频率。采用ZnO薄膜，原料丰富，价格低廉，且适合高温、高频工作，抗辐射能力强；此外，有多种衬底适合ZnO薄膜的沉积，使得器件结构设计比较灵活，制备工艺也简单。