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公开(公告)号：CN107453202B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201710528591.3
申请日：2017-07-01
Applicant: 武汉电信器件有限公司
IPC: H01S5/0625
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种热隔离的可调谐DBR激光器及其加工方法和使用方法。其中可调谐DBR激光器由前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区依次耦合形成，其中，所述前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区在同一基体上生长得到；根据所述前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区所在位置，在所述基体上位于上述各区域之间的耦合带设置有隔离槽；所述隔离槽使得各区域的基体之间部分隔离或者相互独立。本发明实施例提供了一种基体相互隔离的DBR可调激光器，不仅克服了现有技术中基体必须为一整体的固有观念，而且通过设置隔离槽有效的改善了各区域间产热相互影响的问题。
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公开(公告)号：CN105356292B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201510856643.0
申请日：2015-11-30
Applicant: 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本发明提供了一种可调谐波长半导体激光器，包括有源区、一段进行波导区以及光栅区，取样布拉格光栅反射谱为梳状反射谱，其中：有源区、波导区以及光栅区依序纵向相连，各区分别具有电极，在有源区中，有一部分端面镀有反射膜，同时光栅区的端面镀有低反射膜，其中有源区电极用于有源区电流注入，波导区电极及光栅区电极用于对波导进行电流注入或者通过加热的方式改变波导区波导及光栅区波导的折射率，藉由前述构造，解决了复杂光子集成器件的制作的技术问题，达成了成本低廉、适应面广及调整灵活的良好效果。
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公开(公告)号：CN105356296B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510855775.1
申请日：2015-11-27
Applicant: 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本发明适用于半导体光电技术领域，提供了一种新型半导体激光器制作方法和结构，制作方法包括：在衬底上的用于制造激光器区域沉淀InP缓冲层，并在用于制造调制器区域通过沉淀方式形成n‑InP缓冲层；并在上波导层上沉淀InP保护光栅层；在InP保护光栅层上生长SiO2台面构成掩蔽层，所示SiO2台面横跨调制器区域和激光器区域，并垂直于调制器区域和激光器区域的交界面；对于位于调制器区域的SiO2台面，利用沉淀方式在其一侧形成第一p‑InP层和第一p‑InGaAs层，并在其另一侧形成第一n‑InP层和第一n‑InGaAs层。本发明将掩埋异质结激光器和侧向p‑i‑n结调制器的优点结合，设计了一种新结构的EML，减小了寄生电容，进一步提高调制速率。
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公开(公告)号：CN104966991B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510367669.9
申请日：2015-06-29
Applicant: 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本发明适用于光电子技术领域，提供了一种新型高速半导体激光器的制作方法，所述方法包括：制作外延片的脊波导结构；脊波导结构上通过等离子体增强化学气相沉积PECVD方法生长SiO2绝缘层，所述SiO2薄膜的厚度为2‑3um；在所述SiO2薄膜上使用光刻法，制作电极柱图形，光刻的窗口宽度为1.5‑2.5um；基于所述光刻的窗口，使用RIE刻蚀SiO2层，获取电极柱接口；通过所述电极柱接口制作P面电极，并通过减薄所述外延片制作N面电极。本发明实施例通过这种新型结构设计与传统激光器制作方法比较起来，本发明方法制作可以解决了后面打线封装的问题，利于大规模生产的需要。
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公开(公告)号：CN107946902A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711339317.8
申请日：2017-12-14
Applicant: 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种DFB激光器及其制作方法。制作方法包括在衬底上制作有缓冲层、下限制层、有源层、上限制层、腐蚀停止层和光栅层，在腐蚀脊波导时，光刻出脊波导图形，脊波导图形包括矩形部分和锥形部分；锥形部分被设置在待制作激光器的出光面侧，其中，锥顶与出光面齐平，锥底与矩形部分衔接；在锥形部分中，其锥顶的宽度比锥底的宽度小0.3-0.5um；同步腐蚀出对应矩形部分和锥形部分的矩形脊波导和锥形脊波导。本发明中锥头短波长光反射回来进入大光场限制因子区域的锥底，而锥底长波长光反射回来进入小光场限制因子区域的锥顶而更容易激射出来，克服常规的双纵模模式，有效提高激光器的单模成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107453204A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710632079.3
申请日：2017-07-28
Applicant: 武汉电信器件有限公司
CPC classification number: H01S5/12 , H01S5/1228 , H01S5/30
Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种基于双曝光工艺的DFB激光器和制作方法。本发明采用双曝光技术来制作DFB激光器中的部分光栅，即谐振腔长内并没有完全覆盖均匀光栅，而是在我们选择的两侧腔面留有一定长度的光栅间隔，从而提高了高调制频率的直调DFB激光器电特性的一致性分布且得到了更优的光谱特性。本发明利用双曝光技术来实现带有一定长度光栅间隔的非均匀光栅的制作，该方法结合全息干涉的光栅制作平台，以及用紫外光刻机和设计留有一定间隔的掩膜版图这两道曝光工艺来实现所设计的部分光栅。本发明利用折射率耦合的部分光栅配合脊型波导实现DFB激光器良好的光电特性和一致性的提升。
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公开(公告)号：CN107453202A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710528591.3
申请日：2017-07-01
Applicant: 武汉电信器件有限公司
IPC: H01S5/0625
CPC classification number: H01S5/06256
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种热隔离的可调谐DBR激光器及其加工方法和使用方法。其中可调谐DBR激光器由前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区依次耦合形成，其中，所述前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区在同一基体上生长得到；根据所述前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区所在位置，在所述基体上位于上述各区域之间的耦合带设置有隔离槽；所述隔离槽使得各区域的基体之间部分隔离或者相互独立。本发明实施例提供了一种基体相互隔离的DBR可调激光器，不仅克服了现有技术中基体必须为一整体的固有观念，而且通过设置隔离槽有效的改善了各区域间产热相互影响的问题。
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公开(公告)号：CN107425405A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710512530.8
申请日：2017-06-29
Applicant: 武汉电信器件有限公司
IPC: H01S3/082 , H01S3/1055
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器，属于光通信技术领域，具体是涉及一种可调谐半导体激光器。包括一有源区，所述有源区的两端分别连接耦合器的输入端，所述耦合器为双端输出，各耦合器的输出端分别连接光栅后形成四条光路。因此，本发明具有如下优点：相比于传统的单端口输出可调谐激光器，本发明方案，可以节约两个一级分束器，一个二级分束器，相干调制器尺寸得到了大幅度的减小。因此，本发明总的器件尺寸也可以大幅度减小，为降低芯片成本提供了一个可行的措施。
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公开(公告)号：CN105356297A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510729473.X
申请日：2015-10-30
Applicant: 武汉电信器件有限公司
CPC classification number: H01S5/34333 , H01S5/3013
Abstract: 本发明适用于半导体激光器领域，提供了一种GaN基激光器和相应制造方法，所述方法包括：在衬底上生长非掺的GaN层；在所述非掺的GaN层上生长非掺的AlGaN/GaN超晶格层；在所述非掺的AlGaN/GaN超晶格层上生长多量子阱有源区；分别向用于转化为P型电流注入层和N型电流注入层的量子阱区域注入Mg和Si；退火活化所述Mg离子和Si离子；在没有注入Mg或Si的量子阱区域沉积生成上限制层。本发明实施例通过注入的方法形成P型和N型电流注入层，因此对上限制层材料的导电性无要求，因此可低温生长沉积ITO、SiO2、Al2O3、SiN和TiO2等低折射率材料，形成上限制层，限制光场。
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公开(公告)号：CN105071221A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510530912.4
申请日：2015-08-26
Applicant: 武汉电信器件有限公司
IPC: H01S5/223
Abstract: 本发明属于激光器技术领域，尤其涉及一种高速激光器芯片，包括：一衬底；一缓冲层；一第一渐变限制层；一腐蚀停止层3；一第一波导层4；一第二限制层5；一第一量子阱垒层6；一量子阱有源层7；一第二量子阱垒层8；一第二波导层9；一光栅层10；一第三渐变限制层11；一欧姆接触层12；一绝缘介质层13；一P型上电极14；一N型下电极15。本发明重新设计腐蚀层的结构位置，与传统比较，漏电流会减少，电容也会相应减少，对整个高速激光器的光电特性有明显提高。
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