公开(公告)号：CN103132116A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210481473.9

申请日：2012-11-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥实 ,  斋藤祐美子 ,  桃纯平 ,  森若圭恵 ,  楠本直人

IPC: C25D7/06

CPC classification number: C25D11/00 ,  C25B3/04 ,  C25D1/18 ,  C25D5/48 ,  C25D7/0614 ,  C25D9/02 ,  C25D11/005 ,  C25D13/04 ,  C25D13/16 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54

Abstract: 本发明的一个方式提供一种柔性衬底处理装置，该柔性衬底处理装置能够对形成在柔性衬底上的膜状结构体所包含的氧化物稳定地进行还原处理。上述装置结构包括：发送形成有膜状结构体的柔性衬底的衬底搬出部；将形成在柔性衬底上的膜状结构体所包含的氧化物电化学还原的还原部；洗涤柔性衬底及膜状结构体的洗涤部；使柔性衬底及膜状结构体干燥的干燥部；以及卷起形成有膜状结构体的柔性衬底的衬底搬入部。

公开(公告)号：CN102969529A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210312716.6

申请日：2012-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹内敏彦 ,  高桥实 ,  长多刚 ,  小国哲平 ,  种村和幸

IPC: H01M10/0525 ,  H01M4/134 ,  H01G9/042

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01G11/06 ,  H01G11/30 ,  H01G11/50 ,  H01M10/0525 ,  H01M2220/20 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7011 ,  Y02T10/7022 ,  Y10T428/23943

Abstract: 本发明提供一种在将硅用于负极活性物质时能够提高放电容量等蓄电装置的性能的蓄电装置及其制造方法。本发明提供一种蓄电装置，包括：集电体；以及集电体上的用作活性物质层的硅层，其中，硅层包括：与集电体接触的薄膜状部分；多个根块；以及从多个根块的每一个延伸出的多个须状突起物，并且，从多个根块中的一个根块延伸出的须状突起物的一部分与从多个根块中的其他根块延伸出的须状突起物的一部分结合。