公开(公告)号：CN100444406C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200510065795.5

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。

公开(公告)号：CN100379023C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410043530.0

申请日：1995-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L27/02 ,  H01L21/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/02686 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1229

Abstract: 在一块衬底上所形成的单片有源矩阵电路中，至少用于驱动矩阵区的构成外围电路的一部分薄膜晶体管(TFT)的有源区添加了浓度为1×1016-5×1019cm-3的促进硅结晶化的金属元素，没有金属元素添加到矩阵区的TFT有源区。至少构成外围电路的一部分TFT的沟道形成区和用于短阵区的TFT的沟道形成区是由具有单畴结构的硅半导体薄膜形成。

公开(公告)号：CN1333296C

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200410069448.5

申请日：1995-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行 ,  寺本聪

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  H01L29/78636

Abstract: 本发明提供了一种卡型电子装置，包括：一个薄的或柔性的衬底；形成在所述衬底上的薄膜晶体管，一个树脂层位于所述衬底和所述薄膜晶体管之间，所述薄膜晶体管具有含硅的沟道形成区；和覆盖所述薄膜晶体管的含树脂的层。

公开(公告)号：CN1320598C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200410097810.X

申请日：1995-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757

Abstract: 在制造薄膜晶体管的方法中，添加含有用于促进硅晶化的金属元素的溶液，使其与非晶硅膜接触，然后通过加热处理形成硅化物层。而且，通过蚀刻硅化物层形成了作为晶体生长核的区之后，照射激光同时加热处理。结果，从作为晶体生长核的区，在非晶硅膜中完成晶体生长，从而形成对应于单晶的单畴区。此外，在添加溶液之前，可以对非晶硅膜进行等离子体处理。

公开(公告)号：CN1933164A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610100800.6

申请日：1994-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  寺本聪

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一种半导体设备，包括：在具有绝缘表面的衬底上的硅岛，所述硅岛包括源极、漏极和位于所述源极和所述漏极之间的沟道；毗邻所述沟道配置的栅电极，所述栅电极和所述沟道之间有栅绝缘层；掺杂区，其掺杂浓度比所述源极和配置在所述沟道和所述源极和所述漏极中的至少一个之间的所述漏极的浓度要低；和在所述栅电极和所述硅岛上具有氮化硅的层，所述层具有与栅绝缘层接触的部分，其中所述栅绝缘层具有在所述沟道上的第一部分和在所述掺杂区上的第二部分，且所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度要薄。

公开(公告)号：CN1289944C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN01140902.9

申请日：1996-01-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西毅 ,  寺本聪

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/1333 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133516

Abstract: 以低成本连续制造液晶元件的一种方法，采用卷绕在其相应的滚筒上的两个树脂衬底。用印制法形成滤色层和电极图形。此外，定向膜层也是印制的，这些制造工序通过转动各种滚筒连续进行。

公开(公告)号：CN1249818C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN98115594.4

申请日：1994-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  寺本聪

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明的一种薄膜晶体管，包括：一个源区、一个漏区、以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；一个毗邻所述沟道配置的栅电极，所述栅电极和所述沟道区之间有栅绝缘层；一个配置在所述沟道区与所述源区和所述漏区至少其中之一之间的轻掺杂区；以及一个氮化硅区，其中所述氮化硅区是接触所述轻掺杂区而配置的，并且其中所述源区和所述漏区由所述氮化硅区覆盖。至少在高阻区设置能俘获正电荷的膜，以便在高阻区诱发N型导电。所以可改善N沟型TFT对热电子的可靠性。

公开(公告)号：CN1697199A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510067218.X

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/00 ,  G09F9/30 ,  G02F1/136 ,  H04N5/225 ,  H04Q7/20 ,  H04M1/02 ,  H04N5/74

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。

公开(公告)号：CN1697198A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510065795.5

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  G09F9/30 ,  G09G3/38 ,  H04N5/225 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。

公开(公告)号：CN1638034A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510005697.2

申请日：1995-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中岛节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

Abstract: 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。