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公开(公告)号：CN114512149B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110973274.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 本发明提供能够提高记录能力的磁记录装置以及磁记录方法。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路、第2电路、第3电路以及控制部。所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈。所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间。所述磁元件包括第1磁性层。所述第1电路能够向所述线圈供给线圈电流。所述第2电路能够向所述磁元件供给元件电流。所述第3电路能够检测所述磁元件的电阻。所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。
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公开(公告)号：CN118588118A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311058923.8
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件。所述磁元件包括第1磁性层～第5磁性层和第1非磁性层～第6非磁性层。所述第6非磁性层包含从由Cu、Au、Cr、Al、V及Ag构成的组中选择出的至少一种。
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公开(公告)号：CN118588117A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311058164.5
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件。所述磁元件包括第1磁性层～第5磁性层。在记录动作中施加于第1磁极与第2磁极之间的元件电压比第2正峰电压高。
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公开(公告)号：CN118588116A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311058096.2
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于第1磁极与第2磁极之间的磁元件。磁元件包括第1磁性层～第5磁性层和第1非磁性层～第6非磁性层。第5磁性层包含Fe、Co及Ni中的至少一种、和从由Cr、V、Mn、Ti、N及Sc构成的组中选择出的至少一种第1元素。第5非磁性层包含从由Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt及W构成的组中选择出的至少一种。第6非磁性层包含从由Cu、Au、Cr、Al、V及Ag构成的组中选择出的至少一种。
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公开(公告)号：CN118155665A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310997057.2
申请日：2023-08-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高记录密度的磁记录介质及磁记录装置。根据实施方式，磁记录介质包括第1～第3磁性区域。第2磁性区域位于第3磁性区域与第1磁性区域之间。第1磁性区域中的Pt原子浓度相对于Co原子浓度的第1组成比、以及第3磁性区域中的Pt原子浓度相对于Co原子浓度的第3组成比高于第2磁性区域中的Pt原子浓度相对于Co原子浓度的第2组成比。第2磁性区域与第1磁性区域之间的沿着第1方向的距离比第3磁性区域与第2磁性区域之间的沿着第1方向的距离长。或者，第1磁性区域从第2磁性区域离开，第3磁性区域与第2磁性区域相接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116911400A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310114260.0
申请日：2023-02-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够进行高精度的数据处理的数据处理装置、数据处理系统以及数据处理方法。根据实施方式，数据处理装置包括处理部。处理部能够在第1动作中根据基于第1取得数据和第1其他数据的第1生成数据来生成第1机器学习模型。第1其他数据包括Np行D1列的第1其他特征量矩阵和Np行的第1其他标签。第1取得数据包括N1行D1列的第1特征量矩阵和N1行的第1取得标签。第1生成数据包括(Np+N1)行(3×D1)列的第1生成矩阵和(Np+N1)行的第1生成标签。(Np+N1)/D1为250以上。
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公开(公告)号：CN115910116A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210070371.1
申请日：2022-01-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够实现记录密度的提高的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头及控制部。磁头包括第1磁极、磁元件及线圈，磁元件包括磁性层。控制部与磁元件及线圈电连接。控制部能够向线圈供给记录电流且向磁元件供给元件电流。记录电流包括第1极性的第1期间、与第1极性不同的第2极性的第2期间、从第1期间向第2期间转变的第3期间及从第2期间向第1期间转变的第4期间。元件电流包括直流成分和交流成分。第1期间中的交流成分与第2期间中的交流成分、第3期间中的交流成分及第4期间中的交流成分相同。
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公开(公告)号：CN113763993B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110210042.8
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/127
Abstract: 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第4非磁性层。第1磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第2磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第3磁性层包括第1元素和第2元素，第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1个，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。
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公开(公告)号：CN113129932B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202010950143.4
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括记录部。所述记录部包括磁极、屏蔽件以及设置在所述磁极与所述屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间，与所述磁极相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种；以及第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN115472184A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210084245.1
申请日：2022-01-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包含第1磁极、第2磁极、磁性元件和磁性部件。磁性元件设置于第1磁极与第2磁极之间并包含第1磁性层。磁性部件包含第1磁性部。从第1磁性部向磁性元件的第2方向与从第1磁极向第2磁极的第1方向相交叉。第1磁性部包含磁性材料。磁性材料包含第1材料、第2材料和第3材料中的至少任一方。第1材料包含从由Mn3Sn、Mn3Ge和Mn3Ga构成的群中选择的至少一个。第2材料包含从由包含Mn和Ni的立方晶或正方晶的化合物、包含γ相的Mn的立方晶合金、以及包含Fe的立方晶合金构成的群中选择的至少一个。第3材料包含反铁磁性体。
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