公开(公告)号：CN1237272A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN98801243.X

申请日：1998-08-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  内田正雄 ,  高桥邦方

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/203 ,  H01L21/20 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/66068 ,  Y10S117/913 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12674

Abstract: 在衬底1的碳化硅晶体生长表面1a中,一边保持硅原子2相对于碳原子处于过剩状态,一边利用MBE法等使碳化硅薄膜进行外延生长。由此,可在低温下以良好的再现性形成结晶性良好的碳化硅衬底。即使在1300℃以下的低温下也能进行该生长,可形成高浓度掺杂膜·选择生长膜·在六方晶体上的立方晶体碳化硅的生长膜。此外,在六方晶体上使立方晶体碳化硅实现结晶化时,进而使用向(数1)方向倾斜的偏移切割衬底对于防止孪晶的发生是有效的。