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公开(公告)号：CN114928340A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210469895.8
申请日：2022-04-30
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了集成滤波平衡低噪声放大器，包括依次连接的带通滤波输入匹配电路、差分放大电路和带通滤波输出匹配电路，其中，带通滤波输入匹配电路的输入连接射频信号，输出连接差分放大电路，差分放大电路将射频信号进行放大并经过所述带通滤波输出匹配电路的两个端口输出；带通滤波输入匹配电路和所述带通滤波输出匹配电路既起到与所述差分放大电路阻抗匹配的作用，还具备带通滤波器的选频特性，滤除带外的干扰信号；所述差分放大电路克服偏置电位影响。本发明提高了低噪声放大器的共模噪声抑制性能和带外抗干扰能力，拓展了放大器的工作带宽。
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公开(公告)号：CN114900133A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210517780.1
申请日：2022-05-12
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带连续型Doherty功率放大器的设计方法，至少包括以下步骤：步骤S1：根据目标频带设计一宽带等分功分器；步骤S2：构建Doherty功率放大器结构，在目标频带内，对所使用的功率放大器进行源牵引和负载牵引，得到最佳功率和最佳效率点的阻抗；步骤S3：根据步骤S2得到的最佳源阻抗设计输入匹配电路；步骤S4：根据步骤S2得到的最佳负载阻抗设计载波功放的阻抗匹配网络；步骤S5：根据步骤S2得到的最佳负载阻抗设计峰值功放的阻抗匹配网络；步骤S6：设计后匹配电路；步骤S7：设计相位补偿线电路；步骤S8：将上述设计电路搭建为整体电路，得到宽带连续型Doherty功率放大器。
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公开(公告)号：CN114799190A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210700334.4
申请日：2022-06-20
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米棒薄膜及其合成方法，首先利用种子生长法制备金纳米棒，然后加入NaOH溶液以及TEOS溶液后用水和乙醇分别清洗一次后分散到乙醇中，得到Au rod@SiO2。逐滴滴加OTMS氯仿溶液，随后用乙醇清洗后分散到甲苯中，得到包覆OTMS的Aurod@SiO2溶液。随后将包覆OTMS的Au rod@SiO2溶液与SEBS溶液混合，混合后超声使其混合均匀，使用注射泵注射混合溶液到铺满去离子水的玻璃培养皿中，置于通风柜中一段时间即可得到金纳米棒薄膜。本发明所合成的金纳米棒薄膜制备方法简单，反应条件易控制，合成出的金纳米棒薄膜可以根据需求对特定波长范围的光进行吸收。
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公开(公告)号：CN114650020A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210111211.7
申请日：2022-01-28
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H03F1/32 , H03F3/193 , H03F3/21 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路，设置多个GaN HEMT管芯，每个GaN HEMT管芯的漏极连接在一起作为输出端，每个GaN HEMT管芯的栅极连接在一起作为输入端，每个GaN HEMT管芯的源极接地，其中，输出端并接谐振网络，每个GaN HEMT管芯栅极均并接第一电感L1和第二电感L2。采用本发明的技术方案，将GaN HEMT管芯并联，在并接的漏极端口到地并联一个谐振网络以及在每个GaN HEMT管芯的栅极端口并联两个到地电感，从而利用电路结构的优化消除寄生电容的影响，有效改善电路的线性度。
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公开(公告)号：CN114649403A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210105445.0
申请日：2022-01-28
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种改善大信号跨导的高线性度GaN HEMT射频功率器件，包括依次设置的衬底层、缓冲层、第二阻挡层、沟道层、第一阻挡层、保护层，在保护层的上方设置源极、栅极和漏极；所述沟道层与第一阻挡层和第二阻挡层之间形成第一二维电子气和第二二维电子气；所述源极、栅极和漏极，用于接入外部控制信号以控制沟道层所形成的第一二维电子气和第二二维电子气的电子运动；其中，大信号时，第二二维电子气中的电子会流入第一二维电子气内。采用本发明的技术方案，在大信号时，该第二二维电子气中的电子会流入第一二维电子气内，从而保证了第一二维电子气内的电子浓度稳定，缓解了gm的减小，进而缓解了Δ值远离0的趋势，有效的改善了器件线性度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114094943A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111398510.5
申请日：2021-11-23
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了新型阻抗变换网络宽带Doherty功率放大器及其设计方法，其中，功分器用于将射频输入功率进行等分，一端输出与载波功率放大电路相连接，另一端峰值功率放大电路相连接；载波功率放大电路包括载波功放输入输出偏置/匹配电路和载波功率放大器；峰值功率放大电路包括相位补偿线、峰值功放输入输出偏置/匹配电路和峰值功率放大器；阻抗变换网络的输入端与载波功率放大电路和峰值功率放大电路的输出端相连接，阻抗变换网络的输出端与负载相连接。本发明利用有源负载牵引的原理，来保证Doherty功率放大器中对于载波功放来说负载始终保持在最佳阻抗值，减弱频率的色散效应以此来扩展带宽。
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公开(公告)号：CN113595507A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110674919.9
申请日：2021-06-18
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于峰值合成网络的Doherty功率放大器的设计方法，步骤S1：设计一个工作于AB类模式的功率放大器，作为载波功率放大器；步骤S2：设计一个工作于C类模式的功率放大器，作为峰值功率放大器；步骤S3：调节新型峰值合成网络和载波功率放大器的阻抗逆变网络；步骤S4：设计并调节合路端后的后匹配网络；步骤S5：结合步骤S1、S2、S3和S4，搭建整体Doherty功率放大电路结构。相对于现有技术，本发明中提出的新型峰值合成网络，利用多个独立设计变量将载波晶体管回退处的负载阻抗调节到连续B/J类模式的阻抗解空间附近，扩展并提高了所设计的Doherty功率放大器在高频处的带宽和功率回退效率。
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公开(公告)号：CN113225042A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110491251.4
申请日：2021-05-06
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于优化的输出匹配结构的F类功率放大器及其设计方法，至少包括晶体管和输出匹配网络，所述输出匹配网络包括偏置电路、基波匹配电路、二次谐波控制电路、三次谐波控制电路；其中，基波匹配电路为T型匹配结构，其包括三次谐波控制电路与第一微带线TL1；所述第一微带线TL1为基波匹配电路、三次谐波控制电路、二次谐波控制电路的共用部分。相对于现有技术，本发明中提出的优化的输出匹配网络简化了F类功率放大器的输出网络的结构，实现了同样的宽带和高效率，缩小了尺寸，其简单的结构有利于多级功率放大电路与集成功率放大电路的实现。
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公开(公告)号：CN112859705A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110120421.8
申请日：2021-01-28
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的高速数据采集系统，FPGA、USB和PC端依次连接，所述AD采集卡与FPGA连接，所述FPGA包括数据传输物理层协议IP核、解数据传输协议IP核、ADC数据处理器、总线互联IP核、XDMA控制器、FDMA控制器、时钟模块、DDR3内存、DDR3控制器、时钟缓冲器和串口模块；所述PC端包括控制信息串口配置部和数据采集部。本发明通过PC端对不同模式进行的切换，可以满足多种应用场景下系统的要求，在高速数据实时采集系统如高速通信系统中具有很好的应用价值。
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公开(公告)号：CN112803904A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110120030.6
申请日：2021-01-28
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H03F3/217
Abstract: 本发明提供了一种基于支路并联双扇形微带线的混合EFJ类功率放大器及设计方法，包括输入匹配电路、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、输出匹配电路。其中，输入匹配网络的输入端与功率输入端相连接，其输出端与晶体管的栅极连接，栅极偏置电路与栅极并联，晶体管的漏极接输出匹配电路，漏极偏置电路与漏极并联，输出匹配电路的输出端作为功率输出。
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