公开(公告)号：CN100550137C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200680022097.X

申请日：2006-06-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛正人 ,  会田克昭 ,  清水谦治

IPC: G11B5/82 ,  G11B5/73 ,  G11B5/66

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质基底产品，该基底产品能够增强基底端面和软磁层之间的接触强度，并能抑制腐蚀的发生，还提供一种包含所述基底产品的磁记录介质，该磁记录介质显示出没有退化的电磁转换特性并具有非常好的耐用性，还提供一种包含所述磁记录介质的磁记录和再现装置。所述磁记录介质基底产品包括一种圆盘形非磁性基底，该基底在其中心部分有圆孔，并且在将要在上面形成磁性层的主表面与外端面之间的部分以及所述主表面与界定所述圆孔的内端面之间的部分中的至少一个部分处形成斜切面，其中，通过AFM测量到的所述斜切面的表面粗糙度(Ra)在4.0≤Ra≤100范围内，优选是落在4.0≤Ra≤50的范围内。

公开(公告)号：CN101351842A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200680049808.2

申请日：2006-11-02

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 清水谦治

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/738

CPC classification number: G11B5/667

Abstract: 一种垂直磁记录介质A被设置在非磁性基底1上，至少具有软底层a、底膜5、中间膜6和垂直磁记录膜7。软磁底层a是具有非晶结构的软磁性膜。底膜5由Ni－W合金形成。中间膜6由Ru合金形成。在Ni－W合金中，Ni含量为80原子％或更大，而W含量为20原子％或更小，并且优选在1原子％至12原子％的范围内。装备有该磁记录介质A的磁记录和再现装置12的生产率优良，且能够记录和再现高密度信息。

公开(公告)号：CN101258542A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680032934.7

申请日：2006-12-22

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 清水谦治

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/738

Abstract: 本发明的目标是提供磁记录介质以及磁记录和再现装置，通过优化构成软磁性衬层的软磁性层材料和衬层材料，能够记录和再现高密度数据。在本发明中，垂直磁记录介质A在非磁性基底1上至少有软磁性衬层a、衬层5、中间层6和垂直磁记录层。构成软磁性衬层a的软磁性层2、4具有非晶结构，并由饱和磁通密度Bs大于1.1T的CoAl合金或CoFeAl合金构成。

公开(公告)号：CN101218632A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680025096.0

申请日：2006-07-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛正人 ,  村上雄二 ,  清水谦治

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/73 ,  G11B5/738 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法，以及包含这种磁记录介质的磁记录和再现装置。通过赋予理想的摇摆曲线的半值宽度(Δθ50)来对晶体取向进行很好的控制，能够提高生长在软磁性衬层的表面上的磁性层的膜层质量，以及能够获得可以抑制TA的产生并能实现高密度记录的SNR。所述磁记录介质包括在非磁性基底上形成的软磁性衬层、取向控制层、垂直磁记录层、以及保护层；其中，所述软磁性衬层的磁性各向异性比(Hmr/Hmc)为1或更小，所述Δθ50为1到6度。所述软磁性衬层形成在所述非磁性基底的主表面上，其中，所述主表面使用抛光带和含有胶态氧化硅研磨颗粒的浆体，通过片式纹理处理设备，一次一块基底地进行了抛光。