公开(公告)号：CN102005470A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010251741.9

申请日：2010-08-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好実人 ,  仓冈义孝 ,  角谷茂明 ,  市村干也 ,  杉山智彦 ,  田中光浩

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供一种外延基板，所述外延基板能够实现肖特基接触特性优良、并具有良好的设备特性的半导体元件。采用的解决手段为在基底基板之上形成由第一III族氮化物构成的沟道层，所述第一III族氮化物至少含有Al和Ga、具有Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)的组成；在上述沟道层之上形成由第二III族氮化物构成的势垒层，所述第二III族氮化物至少含有In和Al、具有Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的组成，并且所述势垒层的形成方式为：表面附近部的In组成比相对于表面附近部以外的部分的In组成比要小。

公开(公告)号：CN101925696A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200980103154.0

申请日：2009-01-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  今井克宏 ,  市村干也

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/12

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B19/12

Abstract: 一种III族金属氮化物单晶的制造方法，使用模板基板(10A)，其具有：具备侧面(1b)以及一对主面(1a)的基板主体(1)、形成在主面(1a)上的III族金属氮化物单晶的基膜(2)。通过液相法，在基板主体1的至少一个主面(1a)上培养III族金属氮化物单晶(3)。从平面观测，基膜(2)呈凸图形。未设置基膜的未成面(4)包围在基膜(2)的整个周围。在基膜(2)成长的III族金属氮化物单晶(3)不与成长在其他基膜的III族金属氮化物单晶接触。

公开(公告)号：CN113506777B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202110773748.5

申请日：2016-10-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: H01L23/14 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种抑制漏电流且耐压高的半导体元件用外延基板和半导体元件。在半导体元件用外延基板中，包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与自立基板邻接的包含第13族氮化物的缓冲层、与缓冲层邻接的包含第13族氮化物的沟道层、和夹着沟道层而设置在与缓冲层相反一侧的包含第13族氮化物的势垒层，包含自立基板和缓冲层的第1区域中的一部分为以1×1017cm‑3以上的浓度含有Si的第2区域，第2区域中的Zn浓度的最小值为1×1017cm‑3。

公开(公告)号：CN114341410B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202080058516.5

申请日：2020-07-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  平尾崇行 ,  中西宏和 ,  市村干也 ,  下平孝直 ,  吉野隆史 ,  今井克宏 ,  仓冈义孝

IPC: C30B29/40 ,  C30B9/10 ,  C30B25/18 ,  C30B7/10

Abstract: 本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。

公开(公告)号：CN113506777A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202110773748.5

申请日：2016-10-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: H01L23/14 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种抑制漏电流且耐压高的半导体元件用外延基板和半导体元件。在半导体元件用外延基板中，包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与自立基板邻接的包含第13族氮化物的缓冲层、与缓冲层邻接的包含第13族氮化物的沟道层、和夹着沟道层而设置在与缓冲层相反一侧的包含第13族氮化物的势垒层，包含自立基板和缓冲层的第1区域中的一部分为以1×1017cm‑3以上的浓度含有Si的第2区域，第2区域中的Zn浓度的最小值为1×1017cm‑3。

公开(公告)号：CN105745366B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201480057318.1

申请日：2014-09-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  仓冈义孝 ,  滑川政彦

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/12 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  C30B29/68 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明实现不产生筋状的形貌异常的器件基板。GaN模板基板包括基底基板和在基底基板上外延生长而形成的第1GaN层，第1GaN层在面内方向上固有的压缩应力在260MPa以上，或者拉曼光谱中波数568cm‑1附近的GaN的E2声子的峰值半高宽在1.8cm‑1以下，这二者同时满足，器件基板包括在第1GaN层上外延生长而形成的第2GaN层、以及在第2GaN层上外延生长而形成的包括13族氮化物的器件层。

公开(公告)号：CN108352327A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680059657.2

申请日：2016-10-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: H01L21/338 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种抑制漏电流且耐压高的半导体元件用外延基板。在半导体元件用外延基板中，包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与自立基板邻接的包含第13族氮化物的缓冲层、与缓冲层邻接的包含第13族氮化物的沟道层、和夹着沟道层而设置在与缓冲层相反一侧的包含第13族氮化物的势垒层，包含自立基板和缓冲层的第1区域中的一部分为以1×1017cm-3以上的浓度含有Si的第2区域，第2区域中的Zn浓度的最小值为1×1017cm-3。

公开(公告)号：CN105745366A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201480057318.1

申请日：2014-09-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  仓冈义孝 ,  滑川政彦

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/12 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  C30B29/68 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明实现不产生筋状的形貌异常的器件基板。GaN模板基板包括基底基板和在基底基板上外延生长而形成的第1GaN层，第1GaN层在面内方向上固有的压缩应力在260MPa以上，或者拉曼光谱中波数568nm?1附近的GaN的E2声子的峰值半高宽在1.8cm?1以下，这二者同时满足，器件基板包括在第1GaN层上外延生长而形成的第2GaN层、以及在第2GaN层上外延生长而形成的包括13族氮化物的器件层。

公开(公告)号：CN105229778A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201480025003.9

申请日：2014-05-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 仓冈義孝 ,  市村干也 ,  岩井真

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种13族氮化物复合基板以及使用它制作的半导体元件，上述13族氮化物复合基板能够实现即使使用导电性的GaN基板、也适合高频用途的半导体元件。13族氮化物复合基板包括：基材，由GaN形成、呈n型导电性，基底层，形成在基材上、是电阻率为1×106Ωcm以上的13族氮化物层，沟道层，形成在基底层上、是杂质浓度的总和为1×1017/cm3以下的GaN层，势垒层，形成在沟道层上、由组成为AlxInyGa1－x－yN(0≤x≤1、0≤y≤1)的13族氮化物形成。

公开(公告)号：CN102511075B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201080041195.4

申请日：2010-12-02

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好实人 ,  角谷茂明 ,  市村干也 ,  前原宗太 ,  田中光浩

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787

Abstract: 提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且降低弯曲的外延基板。该外延基板，在(111)单晶Si基板之上以(0001)结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，并具有：缓冲层，交替层叠第一层叠单位和第二层叠单位而成，并且，最上部和最下部都由第一层叠单位构成，结晶层，形成在缓冲层之上；第一层叠单位包括：组分调制层，通过重复交替层叠组分不同的第一单位层和第二单位层而成，从而内部存在压缩应变；第一中间层，加强在组分调制层中存在的压缩应变；第二层叠单位是实质上无应变的第二中间层。