透明导电性薄膜
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117099169A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202280022125.7

    申请日:2022-09-14

    Abstract: 透明导电性薄膜(1)朝向厚度方向的一侧依次具备基材(2)和非晶质透明导电层(3)。基材(2)具有比与厚度方向正交的第1方向的第1热收缩率HS1低的、与厚度方向及第1方向正交的第2方向上的第2热收缩率HS2。基材(2)的第2热收缩率HS2为0.00%以下。非晶质透明导电层(3)含有原子序数比氩大的稀有气体。非晶质透明导电层(3)的密度超过7.27g/cm3。

    透明导电性薄膜的制造方法
    42.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116964692A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202280011990.1

    申请日:2022-09-14

    Abstract: 透明导电性薄膜(3)的制造方法具备:第1工序,准备长条的基材(1);第2工序,在真空气氛下在基材(1)的厚度方向一个面形成透明导电层(3);和第3工序,在真空气氛下对透明导电层(2)进行加热。在第2工序中不卷取前述基材,而连续实施第3工序。

    透明导电性薄膜以及透明导电性薄膜的制造方法

    公开(公告)号:CN116745867A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202180074002.3

    申请日:2021-10-28

    Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿厚度方向(T)依次具备透明树脂基材(10)和透明导电层(20)。透明导电性薄膜(X)在与厚度方向(T)正交的面内方向上具有由165℃和60分钟的加热条件下的加热处理引起的热收缩率最大的第1方向、以及与该第1方向正交的第2方向。透明导电性薄膜(X)的由前述加热条件下的加热处理引起的第2方向的第1热收缩率T1以及透明树脂基材(10)的由前述加热条件下的加热处理引起的第2方向的第2热收缩率T2满足|T1‑T2|

    透光性导电性片的制造方法

    公开(公告)号:CN115667573A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202180038168.X

    申请日:2021-03-18

    Abstract: 透光性导电性片(1)的制造方法中,通过对多个靶(51)、(52)、(53)、(54)分别施加电力的多次溅射,于基材片(2)形成透光性导电层(3)。该方法具备下述工序:第一工序,对由氧化锡的含有率超过8质量%的铟‑锡复合氧化物形成的第一靶(51)施加电力,于基材片(2)形成内侧层(6);以及,第二工序,对由铟‑锡复合氧化物形成的第二靶(52)、由铟‑锡复合氧化物形成的第三靶(53)及由铟‑锡复合氧化物形成的第四靶(54)分别施加电力,于内侧层(6)形成外侧层(22)。第一靶(51)的电力密度P1相对于第二靶(52)、第三靶(53)及第四靶(54)的总电力密度P之比(P1/P)为0.20以下。

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