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公开(公告)号：CN116940161A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210331783.6
申请日：2022-03-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K50/87 , H10K50/16 , H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 本申请涉及显示技术领域，公开一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。所述量子点发光二极管包括：依次层叠设置的阳极、发光层、辅助功能层、电子传输层和阴极，其中，所述辅助功能层的材料包括硅氧烷化合物和胺类化合物。通过在电子传输层和发光层之间设置含有热修复功能的辅助功能层，能有效吸收热量，加强载流子传导能力，提高了电子传输层的稳定性，提高电子传输层的热稳定性与传导性能，从而改善了器件的电荷注入平衡，提高了器件的发光效率和寿命。
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公开(公告)号：CN116156923A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111341189.7
申请日：2021-11-12
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种发光二极管及其制备方法，涉及显示技术领域，该发光二极管，包括层叠设置的空穴传输层和发光层，空穴传输层的材料包括空穴传输材料和导热材料；导热材料为空心纳米材料；其中，空穴传输材料与导热材料形成混合材料体；或者至少部分导热材料在空穴传输层的靠近发光层的一侧形成独立材料体；本申请还提供了该发光二极管的制备方法。本申请提供的发光二极管及其制备方法，在空穴传输层中加入具有良好散热效果的空心纳米材料，实现器件发光区域散热的，有效降低器件在工况下发光区域温度升高对空穴传输层的损坏。
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公开(公告)号：CN115707264A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110927911.9
申请日：2021-08-11
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K50/115 , H10K59/12 , H10K59/17 , H10K99/00 , C01G39/06 , C01G9/02 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供一种核壳纳米材料，该纳米材料以1T型的二硫化钼为壳，以氧化锌为核，将该纳米材料用于电子传输层中，通过利用1T型的二硫化钼保护活性相对较高的氧化锌核，可减少氧化锌表面缺陷，抑制表面缺陷对载流子的俘获，从而提高电子‑空穴在发光层的有效复合；另一方面，1T型二硫化钼具有更高的导电性，更好的电子传输性能，可以保证电子的快速转移；此外，还可使电子更易从电子传输层注入到发光层。
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公开(公告)号：CN113120952B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201911400746.0
申请日：2019-12-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硫化锌纳米材料及其制备方法、硫化锌薄膜、量子点发光二极管，其中，所述硫化锌纳米材料的制备方法包括步骤：将锌盐以及硫源分散在有机溶剂中，反应得到硫化锌前驱体溶液；向所述硫化锌前驱体溶液中加入芳环双齿配体溶液，制得所述硫化锌纳米材料。本发明通过采用芳环双齿配体与硫化锌纳米颗粒组装形成接枝结构，以改善硫化锌纳米颗粒的质量，从而提高硫化锌纳米材料的导电能力、并改善以所述硫化锌材料作为电子传输层时与活性层的接触界面，提升其电子传输性能以及稳定性。
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公开(公告)号：CN114695813A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011616717.0
申请日：2020-12-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管，其中，所述复合材料包括三维石墨烯以及负载在所述三维石墨烯上的氧化锌纳米颗粒或金属离子掺杂氧化锌纳米颗粒。本发明所述复合材料中，由于氧化锌纳米颗粒或金属离子掺杂氧化锌纳米颗粒是负载在三维石墨烯中，所述三维石墨烯一方面可提升复合材料的导电能力，另一方面还可有效避免氧化锌纳米颗粒之间或金属离子掺杂氧化锌纳米颗粒之间发生团聚；所述三维石墨烯还具有良好的刚性与良好的延展性，能够提升复合材料的成膜均匀性。
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公开(公告)号：CN114695746A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011640399.1
申请日：2020-12-31
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管及其制备方法。本申请提供的量子点发光二极管包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子传输层，其中，所述电子传输层含有氧化锌，且至少部分所述氧化锌的表面含有碳原子数为3‑7的胺基配体和/或羧基配体。本申请提供的量子点发光二极管，有效提升了量子点发光二极管器件的寿命。
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公开(公告)号：CN114695719A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011636998.6
申请日：2020-12-31
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管的制备方法。本申请提供的量子点发光二极管包括相对设置的阳极和阴极，设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，设置在量子点发光层和阴极之间的电子传输层，其中，电子传输层包括第一电子传输层，且至少第一电子传输层的一侧表面含有碳原子数为8‑18的胺基配体和/或羧基配体，其中，第一电子传输层的制备方法，包括：在待制备第一电子传输层的预制器件基板上制备氧化锌预制薄膜；在氧化锌预制薄膜的表面沉积碳原子数为8‑18的胺基配体和/或羧基配体溶液后进行干燥处理，得到氧化锌薄膜。本申请提供的量子点发光二极管的制备方法，有效提升了量子点发光二极管器件的寿命。
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公开(公告)号：CN114695685A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011588908.0
申请日：2020-12-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米材料、发光二极管器件及其制备方法，其中所述纳米材料包括ZnO纳米颗粒，以及包覆在所述ZnO纳米颗粒表面的In2O3壳层。本发明通过在ZnO纳米颗粒表面包覆In2O3壳层，形成ZnO@In2O3核壳结构，即制得纳米材料。本发明以宽带隙的In2O3作为壳层包覆带隙相对较窄的半导体ZnO纳米颗粒，可有效钝化ZnO纳米颗粒表面，使其表面缺陷减少，缓解其晶格失配，同时还可有效阻挡空穴从发光层传输至阴极，提高电子和空穴在发光层的复合效率，从而提升发光器件的发光性能。
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公开(公告)号：CN113903865A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010638917.X
申请日：2020-07-06
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于发光器件技术领域，尤其涉及一种氧化锌纳米材料的制备方法，包括步骤：获取氧化锌溶液，将第一配体物质与所述氧化锌溶液混合后，进行第一混合反应，得到第一配体修饰的氧化锌；获取硫醇类物质，将所述硫醇类物质与所述第一配体修饰的氧化锌混合后，进行第二混合反应，得到表面含有非晶相的氧化锌纳米材料。本发明氧化锌纳米材料的制备方法，通过配体交换使氧化锌纳米颗粒表面膨胀、变形，诱导部分结晶相转变为非晶化，同时形成更多的非配位键与悬浮键，提升氧化锌纳米材料的电子传导，从而提高氧化锌纳米薄膜的电子传输效率。
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公开(公告)号：CN113823568B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010560048.3
申请日：2020-06-18
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K71/00 , H10K50/16 , H10K50/115
Abstract: 本发明涉及显示技术领域，提供了一种氧化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤：配制氧化锌颗粒和卤离子有机盐的混合溶液；将所述混合溶液沉积在基板上，退火处理，制备氧化锌薄膜。本申请提供的氧化锌薄膜的制备方法，卤离子有机盐能够吸附在氧化锌的晶面，并显著调控薄膜晶型生长过程，从而优化氧化锌薄膜的成膜质量，提高氧化锌薄膜的电子传输性能。
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