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公开(公告)号：CN1610254A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410087742.9
申请日：2004-10-20
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H9/02133 , H03H9/132 , H03H9/564 , H03H9/568
Abstract: 压电薄膜谐振器以及使用其的滤波器。压电薄膜谐振器包括：基板；设置在基板上的下电极；设置在下电极上的压电膜；以及设置在压电膜上的上电极。上电极隔着压电膜与下电极相交叠的区域具有椭圆形状，且满足1＜a/b＜1.9的条件，其中a为该椭圆形状的主轴，b为其副轴。
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公开(公告)号：CN1592100A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410057295.2
申请日：2004-08-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023
Abstract: 膜体声学谐振器及其制造方法。一种膜体声学谐振器包括：形成在一基板的主表面上的一压电薄膜；以及一下电极和一上电极，其被布置得夹着所述压电薄膜。在该膜体声学谐振器中，所述压电薄膜由氮化铝制成，并且所述上电极和所述下电极中的至少一个包含一钌或钌合金层。
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公开(公告)号：CN110545084A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910316552.6
申请日：2019-04-19
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明涉及氮化铝膜、压电装置、谐振器、滤波器和多路复用器。本发明提供一种氮化铝膜，其中，含有不同于铝并取代铝的金属元素的氮化铝晶粒是由晶粒形成的多晶膜的主晶粒，并且在多晶膜的膜厚度方向上对应于多晶膜的两个端部的第一区域和第二区域中的至少一个区域中的氮化铝晶粒之间的晶界中的金属元素的浓度高于至少一个区域中的氮化铝晶粒的中心区域中的金属元素的浓度，并高于在多晶膜的膜厚度方向上位于第一区域和第二区域之间的第三区域中的氮化铝晶粒之间的晶界中的金属元素的浓度。
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公开(公告)号：CN103973258B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201410042168.9
申请日：2014-01-28
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。一种压电薄膜谐振器包括：基板；位于所述基板上的压电膜；隔着所述压电膜的至少一部分彼此相对的下电极和上电极；插入膜，其插入进所述压电膜，并且位于所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此相对的谐振区域内的外周区域的至少一部分中，并且不位于所述谐振区域的中心区域中。
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公开(公告)号：CN104716925B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410783801.X
申请日：2014-12-16
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/706 , C23C14/34 , C23C16/44 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H2003/021 , Y10T29/42
Abstract: 压电薄膜谐振器及其制造方法、滤波器以及双工器。一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：基板；压电膜，该压电膜具有设置在基板上的下压电膜和设置在下压电膜上的上压电膜；下电极和上电极，该下电极和上电极隔着压电膜的至少一部分彼此面对；插入膜，该插入膜插入在下压电膜与上压电膜之间，并且位于其中下电极和上电极隔着压电膜彼此面对的谐振区的外周部分中，插入膜不设置在谐振区的中央部分中；下压电膜的上表面在其中不设置插入膜的区域中具有第一粗糙度，并且在其中设置了插入膜的另一区域中具有第二粗糙度，第一粗糙度小于第二粗糙度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104716925A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410783801.X
申请日：2014-12-16
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/706 , C23C14/34 , C23C16/44 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H2003/021 , Y10T29/42
Abstract: 压电薄膜谐振器及其制造方法、滤波器以及双工器。一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：基板；压电膜，该压电膜具有设置在基板上的下压电膜和设置在下压电膜上的上压电膜；下电极和上电极，该下电极和上电极隔着压电膜的至少一部分彼此面对；插入膜，该插入膜插入在下压电膜与上压电膜之间，并且位于其中下电极和上电极隔着压电膜彼此面对的谐振区的外周部分中，插入膜不设置在谐振区的中央部分中；下压电膜的上表面在其中不设置插入膜的区域中具有第一粗糙度，并且在其中设置了插入膜的另一区域中具有第二粗糙度，第一粗糙度小于第二粗糙度。
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公开(公告)号：CN103973258A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410042168.9
申请日：2014-01-28
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/70 , H03H9/02015 , H03H9/02047 , H03H9/02118 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/568 , H03H9/588 , H03H9/589
Abstract: 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。一种压电薄膜谐振器包括：基板；位于所述基板上的压电膜；隔着所述压电膜的至少一部分彼此相对的下电极和上电极；插入膜，其插入进所述压电膜，并且位于所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此相对的谐振区域内的外周区域的至少一部分中，并且不位于所述谐振区域的中心区域中。
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公开(公告)号：CN101796726B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200780100360.7
申请日：2007-08-24
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/17
Abstract: 提供一种在保持了本来的基于厚度纵向振动的谐振特性的情况下选择性地仅减少横向波型的波的压电薄膜谐振器。压电薄膜谐振器包括：压电膜(14)；第一电极(15a)，形成在压电膜(14)的第一主面上；以及第二电极(13)，形成在压电膜(14)的第二主面上，该第二主面是压电膜(14)的第一主面的背面；所述压电薄膜谐振器具有第一电极(15a)和第二电极(13)相对的谐振区域(20)。在谐振区域(20)中的压电膜(14)的第一主面上具有与第一电极(15a)绝缘的电气性不连续部(18a)，电气性不连续部(18a)在第一主面上被第一电极(15a)包围。
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公开(公告)号：CN101741343B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200910168371.X
申请日：2009-08-31
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明涉及谐振器、滤波器、以及电子装置。该谐振器包括：基板；下电极；压电薄膜，设置在所述下电极上；以及上电极，设置在所述压电薄膜上。所述下电极包括设置在所述基板上的第一薄膜、以及设置在第一薄膜上并且比重大于第一薄膜的比重的第二薄膜。所述压电薄膜设置在第二薄膜上。所述上电极包括设置在所述压电薄膜上的第三薄膜、以及设置在第三薄膜上的第四薄膜，第三薄膜的比重大于第四薄膜的比重。第三薄膜比第二薄膜厚。
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公开(公告)号：CN102638244A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210027528.9
申请日：2012-02-08
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/02086 , H03H3/04 , H03H9/02157 , H03H9/173 , H03H9/582 , H03H2003/021 , H03H2003/0442 , H03H2003/045 , H03H2003/0471
Abstract: 本发明涉及声波器件和滤波器。所述声波器件包括：基板；压电膜，所述压电膜形成在所述基板上；下电极，所述下电极设置在所述压电膜的第一表面上；上电极，所述上电极设置在所述压电膜的与所述第一表面相对的第二表面上；以及质量负荷膜，所述质量负荷膜在谐振部分中具有第一图案和第二图案，在所述谐振部分中所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此面对，所述第一图案具有多个部分，并且所述第二图案具有将所述第一图案的所述多个部分相互连接的多个部分。
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