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公开(公告)号：CN102273073A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980154141.6
申请日：2009-01-09
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/584 , H03H9/0095 , H03H9/542 , H03H9/60 , H03H9/706
Abstract: 滤波元件具有：相互级联连接的多个层叠滤波器(101、102)，各个层叠滤波器具有上下层叠的多个压电薄膜谐振器，各压电薄膜谐振器具有压电膜和上下夹着所述压电膜的一对第1电极；以及电容器(40)，其连接在多个层叠滤波器之中前级的层叠滤波器(101)的输入端子与多个层叠滤波器之中后级的层叠滤波器(102)的输入端子之间，所述前级和所述后级的层叠滤波器的输入端子所连接的所述压电薄膜谐振器(10a)和(20b)的激振方向相互反转。
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公开(公告)号：CN101960717A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200880127827.1
申请日：2008-03-04
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H2003/021 , H03H2003/023
Abstract: 本发明的压电薄膜谐振器具有：基板(1)；中间层(7)，其配置在基板(1)上，由绝缘体形成；下部电极(3)，其配置在中间层(7)上；压电膜(4)，其配置在下部电极(3)上；以及上部电极(5)，其配置在隔着压电膜(4)与下部电极(3)相对向的位置处，在下部电极(3)与上部电极(5)相对向的谐振部(8)的区域内，在基板(1)和中间层(7)上，或在下部电极(3)与中间层(7)之间形成有空隙(6)，空隙(6)的区域包括在谐振部(8)的区域内。根据该结构，能够抑制振动能量从谐振区域散逸到基板，从而能够提高品质因数。
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公开(公告)号：CN104639087B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201410643401.9
申请日：2014-11-06
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/02118 , H01L41/18 , H03H9/13 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/568 , H03H9/706
Abstract: 本发明涉及压电薄膜共振器、滤波器和双工器。该压电薄膜共振器包括：压电膜，该压电膜设置在基板上；下电极和上电极，所述下电极和上电极夹着压电膜的至少一部分并且彼此面对；以及插入膜，该插入膜插入在压电膜中并且设置在共振区域的外周区域中并且不设置在共振区域的中心区域中，其中：在共振区域中下电极的边缘面与下电极的下表面之间的角是锐角；并且在用于从共振区域引出上电极的一侧、插入膜在共振区域中的宽度大于在用于从共振区域引出下电极的一侧、插入膜在共振区域中的另一宽度。
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公开(公告)号：CN105610407A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510765123.9
申请日：2015-11-11
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/706 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/021
Abstract: 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。一种压电薄膜谐振器包括：基板；位于基板上的压电膜；下电极和上电极，该下电极和上电极隔着压电膜的至少一部分彼此面对；以及插入压电膜中的插入膜，该插入膜位于下电极和上电极隔着压电膜彼此面对的谐振区内的外周区域的至少一部分中，并且不位于谐振区的中心区域中，其中，谐振区内的被插入所述插入膜的第一区域中的压电膜和插入膜的总膜厚度与不插入所述插入膜的第二区域中的压电膜的膜厚度之差小于插入膜的膜厚度。
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公开(公告)号：CN1503451B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200310113761.X
申请日：2003-11-21
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/564 , H03H9/0095 , H03H9/1014 , H03H9/568
Abstract: 一种滤波器元件以及包含它的滤波器器件、双工器和高频电路，该滤波器元件包含位于电路的串联支路和并联支路中的多个谐振器。在该滤波器元件中，至少一个串联支路谐振器包含多个并联的单端双压电薄膜谐振器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105610407B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201510765123.9
申请日：2015-11-11
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。一种压电薄膜谐振器包括：基板；位于基板上的压电膜；下电极和上电极，该下电极和上电极隔着压电膜的至少一部分彼此面对；以及插入压电膜中的插入膜，该插入膜位于下电极和上电极隔着压电膜彼此面对的谐振区内的外周区域的至少一部分中，并且不位于谐振区的中心区域中，其中，谐振区内的被插入所述插入膜的第一区域中的压电膜和插入膜的总膜厚度与不插入所述插入膜的第二区域中的压电膜的膜厚度之差小于插入膜的膜厚度。
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公开(公告)号：CN102468818B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201110339535.8
申请日：2011-11-01
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明提供一种声波器件，该声波器件包括：第一压电薄膜谐振器，其包括第一下电极、第一上电极和夹在第一下电极和第一上电极之间的第一压电膜；去耦合器膜，其设置在第一上电极上；以及第二压电薄膜谐振器，其设置在去耦合器膜上，并包括第二下电极、第二上电极和夹在第二下电极和第二上电极之间的第二压电膜，其中第一压电膜和第二压电膜包括氮化铝，并包括增大氮化铝的压电常数的元素。
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公开(公告)号：CN102931942B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210282502.9
申请日：2012-08-09
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/02102 , H03H3/04 , H03H9/02118 , H03H9/02157 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/564 , H03H9/582 , H03H9/706 , H03H2003/021 , H03H2003/0407 , H03H2003/0442
Abstract: 本发明提供了声波器件。一种声波器件包括：基板；形成在所述基板上的下电极；形成在所述下电极上的至少两个压电膜；位于所述至少两个压电膜之间的绝缘膜；以及形成在所述至少两个压电膜上的上电极，其中，在所述下电极和所述上电极彼此面对的区域中，所述至少两个压电膜中的最上面的压电膜的外周比所述上电极的外周更靠内。
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公开(公告)号：CN104811157A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510034277.0
申请日：2015-01-23
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/568 , H03H9/706 , H03H2003/0407
Abstract: 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。压电薄膜谐振器(100、200、400、500)包括：基板(10)；压电膜(14)，其设置在所述基板上；下电极(12)和上电极(16)，其彼此相对，以在所述下电极(12)和所述上电极(16)之间设置所述压电膜的至少部分；以及插入膜(28)，其被插入到谐振区(50)中的所述压电膜内，在所述谐振区(50)中，所述压电膜的至少所述部分被设置在所述下电极和所述上电极之间，所述插入膜的与所述谐振区中的外围区(52)对应的至少部分(28b)比所述插入膜的与所述谐振区中的中心区(54)对应的部分(28a)厚。
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公开(公告)号：CN101960717B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN200880127827.1
申请日：2008-03-04
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H2003/021 , H03H2003/023
Abstract: 本发明的压电薄膜谐振器具有：基板(1)；中间层(7)，其配置在基板(1)上，由绝缘体形成；下部电极(3)，其配置在中间层(7)上；压电膜(4)，其配置在下部电极(3)上；以及上部电极(5)，其配置在隔着压电膜(4)与下部电极(3)相对向的位置处，在下部电极(3)与上部电极(5)相对向的谐振部(8)的区域内，在基板(1)和中间层(7)上，或在下部电极(3)与中间层(7)之间形成有空隙(6)，空隙(6)的区域包括在谐振部(8)的区域内。根据该结构，能够抑制振动能量从谐振区域散逸到基板，从而能够提高品质因数。
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