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公开(公告)号：CN106537603A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201680002108.1
申请日：2016-02-12
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：一个以上的沟槽栅，在平面视图中沿第一方向延伸而形成，比沟槽栅浅；一个以上的第一导电型区，在第一方向上相互分离而形成，且比沟槽栅浅，且比第一导电型区深；一个以上的第二导电型区，在第一方向上与第一导电型区交替地形成；以及第二导电型的沟槽分离区，与一个以上的沟槽栅分离而形成，且浓度比第二导电型区高，其中，沟槽分离区在平面视图中位于第一导电型区内，且形成于比第一导电型区更靠背面侧的位置。
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